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1-MHz eGaN多输出DC-DC变换器的共模噪声建模与抑制
Common-Mode Noise Modeling and Reduction for 1-MHz eGaN Multioutput DC–DC Converters
| 作者 | Zhiliang Zhang · Binghui He · Dong-Dong Hu · Xiaoyong Ren · Qianhong Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | eGaN HEMT DC-DC变换器 共模噪声 平面变压器 EMI 开关频率 功率密度 |
语言:
中文摘要
增强型氮化镓（eGaN）HEMT器件在实现多兆赫兹开关频率以提升功率密度方面具有巨大潜力。然而，在进行电磁干扰（EMI）滤波器优化时，准确识别兆赫兹多绕组平面变压器的等效集总电容以进行共模（CM）噪声分析是一项严峻挑战。本文针对该问题提出了建模与抑制方案。
English Abstract
Enhancement-mode gallium nitride (eGaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) are promising to increase the switching frequency into multimegahertz for the high power density. However, it is a serious challenge to identify the equivalent lumped capacitances of megahertz multiwinding planar transformers for common-mode (CM) noise analysis to optimize the electromagnetic interference filters. T...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度的追求，开关频率向兆赫兹（MHz）迈进是必然趋势。eGaN器件的应用能显著减小磁性元件体积，但随之而来的高频共模噪声干扰（EMI）是产品认证与可靠性的关键瓶颈。本文提出的高频变压器寄生参数建模与噪声抑制方法，对公司研发下一代高功率密度、轻量化的组串式逆变器及微型逆变器具有重要参考价值。建议研发团队在设计阶段引入该建模方法，以优化EMI滤波器设计，缩短产品开发周期。