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500 °C 碳化硅(SiC) PWM集成电路
500 °C SiC PWM Integrated Circuit
| 作者 | Saleh Kargarrazi · Hossein Elahipanah · Stefano Saggini · Debbie Senesky · Carl-Mikael Zetterling |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 PWM控制 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 4H-SiC 双极型工艺 PWM集成电路 高温电子学 斜坡发生器 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文报道了一种采用4H-SiC双极工艺制造的高温脉宽调制(PWM)集成电路，该电路集成了片上斜坡发生器。测试表明，该电路可在25至500 °C的宽温度范围内稳定工作，PWM工作频率范围为160至210 kHz。
English Abstract
This letter reports on a high-temperature pulsewidth modulation (PWM) integrated circuit microfabricated in 4H-SiC bipolar process technology that features an on-chip integrated ramp generator. The circuit has been characterized and shown to be operational in a wide temperature range from 25 to 500 °C. The operating frequency of the PWM varies in the range of 160 to 210 kHz and the duty cycle vari...
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SunView 深度解读
该研究展示了SiC器件在极端高温环境下的集成控制能力，对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。在光伏逆变器和储能变流器（如PowerTitan系列）中，功率模块的散热设计一直是提升功率密度的瓶颈。若能将控制电路与功率器件实现更高程度的耐高温集成，将显著简化散热系统设计，提高系统可靠性。建议研发团队关注该高温SiC工艺在极端工况下对提升逆变器功率密度及降低冷却系统复杂度的潜在应用，特别是在高功率密度组串式逆变器及航空航天等特殊场景的功率变换应用。