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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种基于单门极驱动器的串联SiC MOSFET固态断路器

A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs

作者 Yu Ren · Xu Yang · Fan Zhang · Fred Wang · Leon M. Tolbert · Yunqing Pei
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2019年3月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 固态断路器 SiC MOSFET 串联连接 栅极驱动器 直流配电 半导体器件
语言:

中文摘要

本文提出了一种基于串联碳化硅(SiC)MOSFET的固态断路器(SSCB)拓扑结构。该方案仅需单个隔离门极驱动器,有效降低了直流配电系统中保护装置的成本与复杂性,并保持了半导体器件超短动作时间的优势。

English Abstract

Semiconductor devices based solid-state circuit breakers (SSCBs) are promising in the dc power distribution system as protective equipment for their ultrashort action time. This letter proposes a topology of SSCB using series connected silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfets), which only requires a single isolated gate driver. The SSCB has very low cost an...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及直流配电应用具有重要价值。在兆瓦级储能系统中,直流侧保护是提升系统安全性的关键,串联SiC方案能有效解决高压直流分断难题,同时通过简化驱动电路降低成本。建议研发团队关注该拓扑在直流汇流排保护中的应用,以提升系统响应速度和可靠性,并探索其在组串式光伏逆变器直流侧保护中的潜在替代方案,以进一步优化整机功率密度。