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用于结温平衡与功率损耗降低的Si/SiC混合开关栅极控制优化
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction
| 作者 | Jun Wang · Zongjian Li · Xi Jiang · Cheng Zeng · Z. John Shen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 IGBT 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 混合开关 Si IGBT SiC MOSFET 门极控制 结温 功率损耗 热管理 |
语言:
中文摘要
Si/SiC混合开关通过并联大电流Si IGBT与小电流SiC MOSFET，在功率转换器中实现了成本与性能的平衡。现有栅极控制策略多侧重于效率优化，但忽略了器件过热风险。本文提出了一种新的栅极控制策略，旨在实现混合开关内部器件的结温平衡，同时有效降低总功率损耗，提升系统可靠性。
English Abstract
The hybrid switch concept of paralleling a higher-current main Si IGBT and a lower-current auxiliary SiC mosfet offers an improved cost/performance tradeoff in power converters. Currently, the gate control strategy of these two internal devices emphasizes on minimizing the total power loss, and is referred to as the efficiency control mode in this paper. However, there is a serious risk of overhea...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）具有极高的应用价值。随着功率密度要求的不断提升，Si/SiC混合开关方案能在保证成本竞争力的同时，通过优化栅极驱动实现热管理升级。建议研发团队在下一代大功率逆变器及PCS模块设计中引入该控制策略，以解决高功率密度下的局部过热问题，提升模块在极端工况下的可靠性与寿命，从而进一步巩固阳光电源在高性能电力电子转换领域的领先地位。