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硅/碳化硅混合开关的短路耐受能力与失效机理
Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch
| 作者 | Jun Wang · Xi Jiang · Zongjian Li · Z. John Shen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT SiC器件 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 混合开关 Si IGBT SiC MOSFET 短路耐受能力 失效机理 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文研究了由大电流Si IGBT与小电流SiC MOSFET并联组成的混合开关（HyS），旨在探讨其短路耐受能力、失效机理及性能提升技术。分析了限制混合开关可靠性的关键因素，为优化功率电子设计提供了理论依据。
English Abstract
The hybrid switch (HyS) of a higher-current main Si IGBT and a parallel lower-current auxiliary Silicon Carbide (SiC) mosfet offer an improved cost/performance tradeoff for practical power electronic designs. The purpose of this paper is to investigate the short-circuit (SC) ruggedness, failure mechanisms, and techniques for improvement of the Silicon/SiC HyS. The influence of major limiting facto...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有重要价值。在光伏组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，通过引入Si/SiC混合开关，可以在不显著增加成本的前提下，提升系统效率并优化热管理。该研究揭示的短路失效机理对于提升阳光电源功率模块的可靠性设计至关重要。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器设计中，评估该混合开关方案在应对电网瞬态故障时的鲁棒性，以进一步提升产品在极端工况下的生存能力。