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基于数据手册规格的二极管反向恢复特性精确估算
Accurate Estimation of Diode Reverse-Recovery Characteristics From Datasheet Specifications
| 作者 | Utsab Kundu · Parthasarathi Sensarma |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 二极管 反向恢复 数据手册规范 电导模型 寄生电感 器件电容 状态方程 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种利用数据手册规格精确估算二极管反向恢复特性的结构化方法。该方法基于二极管电导模型，将反向恢复过程划分为四个工作模式，并综合考虑了器件电容和寄生电感等电路非理想因素，推导了各模式的状态方程，实现了对反向恢复特性的准确预测。
English Abstract
This letter proposes a structured approach for accurate estimation of diode reverse-recovery characteristics using datasheet specifications. Considering a conductance model of a diode, the entire reverse-recovery process is divided into four operating modes. The state equations for each mode are derived taking the circuit nonidealities, viz., device capacitance and parasitic inductances, into acco...
S
SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的功率模块设计与选型具有重要指导意义。在组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及风电变流器等高功率密度产品中，二极管的反向恢复特性直接影响开关损耗、电磁干扰（EMI）及器件热应力。通过该估算方法，研发团队可在仿真阶段更精准地评估不同供应商器件的性能，优化驱动电路设计，从而提升逆变器及PCS的转换效率与可靠性。建议在功率模块选型评估流程中引入该模型，以辅助宽禁带半导体及高性能硅基器件的选型决策。