← 返回
硬开关工况下共源共栅结构超结MOSFET的评估
Evaluation of Superjunction MOSFETs in Cascode Configuration for Hard-Switching Operation
| 作者 | Juan Rodriguez · Jaume Roig · Alberto Rodriguez · Diego G. Lamar · Filip Bauwens |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 超结MOSFET 共源共栅配置 硬开关 开关损耗 硅技术 电力电子 MOSFET性能 |
语言:
中文摘要
本文评估了采用低压硅MOSFET与超结MOSFET构成的共源共栅（Cascode）结构。该结构结合了共源共栅配置的优异开关性能与硅基技术在鲁棒性、成熟度及低成本方面的优势。研究旨在解释并验证该结构如何有效降低超结MOSFET在硬开关工况下的开关损耗。
English Abstract
Superjunction MOSFETs in cascode configuration with low-voltage silicon MOSFETs are evaluated in this paper. The proposed structure combines the good switching performance provided by the cascode configuration with the benefits of the silicon technology such as its robustness, maturity, and low cost. This paper aims to explain and to demonstrate the reduction of switching losses of superjunction M...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）具有重要参考价值。在追求高功率密度和高效率的背景下，硬开关损耗是限制开关频率提升的关键。通过采用Cascode结构，可以在不完全依赖昂贵SiC/GaN器件的前提下，利用成熟的硅基超结MOSFET实现更优的开关特性，从而降低散热压力并提升整机效率。建议研发团队在户用及工商业逆变器产品中评估该方案，以在成本控制与性能提升之间取得平衡，特别是在中功率段的DC-DC变换电路中具有潜在的应用前景。