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10 kV, 100 A 碳化硅MOSFET功率模块评估
Assessment of 10 kV, 100 A Silicon Carbide mosfet Power Modules
| 作者 | Daniel Johannesson · Muhammad Nawaz · Kalle Ilves |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 功率模块 宽禁带半导体 体二极管 静态性能 高压 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文对配备第三代芯片且无外置续流二极管的10 kV SiC MOSFET功率模块进行了全面表征。通过在不同温度下测量静态性能（如IDS-VDS、C-V特性、漏电流及体二极管特性），验证了利用SiC MOSFET体二极管的可行性。
English Abstract
This paper presents a thorough characterization of 10 kV SiC MOSFET power modules, equipped with third-generation mosfet chips and without external free-wheeling diodes, using the inherent SiC MOSFET body-diode instead. The static performance (e.g., IDS-VDS, IDS-VDS, C-V characteristics, leakage current, body-diode characteristics) is addressed by measurements at various temperatures. Moreover, th...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于高压SiC功率模块，对阳光电源的未来产品布局具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级（如1500V及以上）演进，高压SiC器件是提升组串式逆变器和PowerTitan系列储能变流器（PCS）功率密度与效率的关键。特别是利用SiC体二极管替代外置二极管的方案，有助于进一步简化电路拓扑、降低模块体积并提升系统可靠性。建议研发团队关注该类高压器件在高温环境下的长期稳定性，并评估其在下一代高压大功率PCS中的应用潜力，以保持在行业内的技术领先优势。