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基于空芯PCB电路的SiC MOSFET开关振铃阻尼方案
A Damping Scheme for Switching Ringing of Full SiC MOSFET by Air Core PCB Circuit
| 作者 | Jaesuk Kim · Dongho Shin · Seung-Ki Sul |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 开关振荡 寄生阻抗 空心PCB变压器 谐振阻尼电路 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于抑制全SiC MOSFET开关振铃的谐振阻尼电路。研究表明，通过设计合理的空芯PCB变压器及其二次侧电路，可以有效抑制由开关回路寄生阻抗引起的振铃现象。文中详细阐述了PCB变压器及二次侧电路的设计方法。
English Abstract
In this paper, a resonant damping circuit to suppress the switching ringing of full SiC mosfet is proposed. It reveals that the ringing phenomenon caused by parasitic impedances of switching circuit can be damped out using air core PCB transformer which has a properly designed secondary side circuit. The design method for PCB transformer and the secondary circuit are developed considering the phys...
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SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高开关频率方向演进，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该文献提出的空芯PCB阻尼方案，能够有效解决高频开关带来的电压振铃和电磁干扰问题，有助于优化逆变器及PCS的功率模块布局。建议研发团队在下一代高频SiC功率模块设计中引入该PCB变压器阻尼技术，以降低开关损耗并提升系统电磁兼容性（EMC）表现，从而进一步提升产品在极端工况下的可靠性。