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基于eGaN FET的高频大功率无线电能传输谐振逆变器
High-Frequency, High-Power Resonant Inverter With eGaN FET for Wireless Power Transfer
| 作者 | Jungwon Choi · Daisuke Tsukiyama · Yoshinori Tsuruda · Juan Manuel Rivas Davila |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | eGaN FET 无线电能传输 谐振逆变器 Class Φ2 逆变器 高频 磁谐振耦合 |
语言:
中文摘要
本文介绍了一种用于无线电能传输（WPT）的高功率谐振逆变器，该逆变器采用增强型氮化镓（eGaN）器件，工作频率为13.56 MHz。驱动发射线圈的逆变器基于Φ2类拓扑，具有单开关结构、低开关电压应力和快速瞬态响应的特点。
English Abstract
This letter presents a high-power resonant inverter using an enhancement mode gallium nitride (eGaN) device with magnetic resonant coupling (MRC) coils at 13.56 MHz for wireless power transfer (WPT). The power inverter driving the transmitting coils is based on a class Φ2 inverter, a single-switch topology with low switch-voltage stress, and fast transient response. The implementation utilizes a r...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于高频氮化镓（GaN）器件在无线电能传输中的应用，体现了宽禁带半导体在高频化、小型化设计中的优势。对于阳光电源而言，虽然目前核心业务集中在光伏逆变器和储能PCS，但随着电动汽车充电桩业务的拓展，无线充电技术是未来潜在的技术储备方向。此外，GaN器件在高频开关下的优异表现，可为公司下一代高功率密度、小型化户用光伏逆变器及微型逆变器的研发提供技术参考，建议关注其在高频拓扑下的热管理与电磁兼容设计。