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电动汽车驱动 PWM控制 多电平 ★ 5.0

七电平树型有源中点钳位变换器的拓扑与控制

Topology and Control of Seven-Level Tree-Type Active Neutral-Point-Clamped Converters

Mingzhe Wu · Kui Wang · Josep Pou · Kehu Yang 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年9月

为降低中点钳位(NPC)多电平变换器的器件数量以提高功率密度,本文提出两种七电平树型有源NPC(7L-TANPC)变换器拓扑。相比现有七电平NPC拓扑,所提结构器件数量更少且总器件耐压更低,有助于降低成本并提升功率密度。为实现直流母线电容电压平衡,本文还提出了载波交叠脉宽调制方法,并结合零序电压注入与占空比调节实现电容电压主动平衡控制。仿真与实验结果验证了所提拓扑及调制控制策略的有效性。

解读: 该七电平树型ANPC拓扑对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和SG大功率光伏逆变器中,所提拓扑通过减少器件数量和降低总器件耐压,可显著提升功率密度并降低成本,契合1500V高压系统需求。载波交叠PWM与电容电压主动平衡控制策略可直接应用于PowerTitan大型储能系统的多电平...

功率器件技术 SiC器件 深度学习 ★ 5.0

基于物理信息神经网络与交叉注意力的磁芯损耗模型

A Magnetic Core Loss Model Based on Physics-Informed Neural Network with Cross-Attention

Yunhao Xiao · Chi Li · Zedong Zheng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

由于软磁材料固有的损耗机制尚不明确,损耗建模往往成为电力电子系统分析中的瓶颈。一方面,损耗会显著影响整体效率;另一方面,高频运行导致的小型化使得高频磁性元件的温升对损耗更为敏感,这使得热可靠性分析变得至关重要。然而,现有的损耗模型由于对复杂运行条件的高敏感性,在这些条件下的适用性会变差。本文提出了一种自适应损耗模型,该模型通过交叉注意力机制增强了物理损耗模型的学习能力和运行条件适应性,在测试集上实现了平均误差2.8%、最大误差12.3%的效果。此外,通过热分析验证了所提模型的准确性,相对误差为1...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于物理信息神经网络的磁芯损耗模型技术具有重要的战略价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,高频变压器和电感等磁性元件是影响系统效率和可靠性的关键部件。该技术通过交叉注意力机制实现的自适应损耗建模,能够在复杂工况下保持2.8%的平均误差和1.7%的热分析误差,这对我...

储能系统技术 储能系统 DC-DC变换器 多物理场耦合 ★ 5.0

用于电力转X应用的直流三端口串联谐振变换器建模与控制

Modeling and Control for the DC-DC Three-Port Series Resonant Converter in Power-to-X Application

Zhijing Ye · Chi Li · Zedong Zheng · Wenbin Shu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月

电力转X技术为可再生能源利用提供了有效途径,需依赖多能交互系统以高效管理多种源荷间的功率流动。多端口谐振直流变换器在集成度、功率密度和效率方面具有优势,但其复杂结构给建模与控制设计带来挑战。本文详述了一种含三个串联谐振绕组的三端口直流变换器的综合建模方法,采用谐波近似、扩展描述函数法及状态变量降阶策略,有效简化了非线性强耦合高阶模型。所提方法适用于多种电力转X场景下的n端口谐振变换器。基于所得大信号与小信号模型,本文进一步提出多端口谐振变换器的通用调制与控制原则,并引入基于内移相调制的电压控制策...

解读: 该三端口串联谐振变换器建模与控制技术对阳光电源多能交互系统具有重要应用价值。在PowerTitan储能系统中,可实现光伏、储能、负载三端口高效功率管理,提升系统集成度与功率密度。所提内移相调制策略可应用于ST系列储能变流器的宽范围电压调节,解决多端口功率耦合难题。扩展描述函数建模方法为阳光电源开发新...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

面向全碳化硅电压源变换器中不同导通电阻的肖特基势垒二极管选型

Selection for Schottky Barrier Diodes With Various On-Resistance in Full-SiC Voltage Source Converters

Yuzhi Chen · Chi Li · Jianwei Liu · Yifan Wu 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年5月

在基于碳化硅的电压源换流器(VSCs)中,搭配肖特基势垒二极管(SBDs)存在权衡问题。虽然肖特基势垒二极管可降低续流损耗并减轻双极传导的不利影响,但其结电容也会导致开关损耗增加。本文提出了一种以导通电阻为设计变量、旨在提高换流器效率的肖特基势垒二极管系统选择策略。以一个采用1.2 kV金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFETs)和四组1.2 kV肖特基势垒二极管的三相电压源换流器为例进行研究。在较宽的温度范围内对MOSFET/肖特基势垒二极管对的静态和开关特性进行了测量和分析。评...

解读: 该研究对阳光电源的SiC器件应用具有重要指导意义。SBD选型优化可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率级设计,通过合理匹配SBD导通电阻,可优化系统损耗分布,提升整机效率。特别是在1500V高压系统中,优化后的SBD可有效降低续流损耗,改善热设计裕度。这对提升产品可靠性和降低散热成...