找到 16 条结果

排序:
功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导

Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET

Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应,显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性,从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明,极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导,提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。

解读: 该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性,可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能,有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中,该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时,增强型p-FET的...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

采用有源钝化技术抑制浮动Si衬底诱导背栅效应的900-V p-GaN栅HEMT

900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect

Hao Chang · Junjie Yang · Jingjing Yu · Jiawei Cui · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用有源钝化技术的900-V p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT),有效抑制了由浮动Si衬底引起的背栅效应。通过引入深沟槽隔离与介质填充的有源钝化结构,显著降低了漏极对衬底的电场耦合,从而消除背栅导致的阈值电压不稳定性与动态导通电阻退化。器件在高压关断状态下表现出优异的可靠性与稳定性,同时保持良好的开关性能。该设计为高压p-GaN栅HEMT在功率集成应用中的性能优化提供了有效解决方案。

解读: 该900-V p-GaN栅HEMT的有源钝化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过深沟槽隔离抑制背栅效应,解决了GaN器件阈值电压漂移和动态导通电阻退化问题,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频开关电路。900V耐压等级匹配1500V光伏系统和储能系统的母线电压需求,有源钝...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于ScAlN/ScN电荷陷阱耦合铁电栅堆叠的增强型AlGaN/GaN HEMT

E-mode AlGaN/GaN HEMT with ScAlN/ScN charge trap-coupled ferroelectric gate stacks

Jiangnan Liu · Ding Wang · Md Tanvir Hasan · Shubham Mondal · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用ScAlN/ScN电荷陷阱耦合铁电栅堆叠结构的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件通过铁电极化与界面电荷陷阱的协同作用,实现了稳定的增强型操作特性。实验结果表明,该结构有效调控了阈值电压并提升了栅控能力,同时保持了较高的开关比和低关态漏电流。透射电子显微镜分析证实了栅堆叠的高质量界面特性。该方法为实现高性能、高可靠性的GaN基增强型功率器件提供了新途径。

解读: 该ScAlN/ScN栅堆叠GaN HEMT技术对阳光电源功率变换产品具有重要价值。增强型特性和低漏电流的优势可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的效率与可靠性。铁电栅结构创新为开发更高功率密度的三电平拓扑模块提供新思路,特别适用于PowerTitan大型储能系统的高频开关应用。同时,该技...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

迈向100%可再生能源电网:综述

Toward 100% Renewable Power Grids: A Review

Yayu Yang · Yan Wen · Zhengfa Zhang · Yuqing Dong 等6人 · IEEE Access · 2025年1月

本文综述100%可再生能源电网面临的技术挑战。可再生能源的波动性和不可预测性使电力平衡复杂化,逆变器型资源IBR渗透率提高引入谐振稳定性等新挑战。IBR的动态行为和故障响应与同步发电机显著不同,传统保护方案逐渐失效。文章综述电力平衡、电网灵活性、稳定性增强和先进保护策略的最新解决方案,评估近期技术进展,为实现弹性100%可再生电网提供关键研究方向。

解读: 该综述与阳光电源构网型储能技术发展方向一致。阳光电源PowerTitan2.0储能系统支持构网型GFM控制,可为高比例新能源电网提供惯量和电压支撑,解决逆变器型资源带来的稳定性问题。阳光1500V光伏逆变器和储能变流器具备低电压穿越、快速频率响应等先进电网支撑功能。结合阳光iSolarCloud智慧...

电动汽车驱动 GaN器件 可靠性分析 ★ 5.0

利用斜极场板调控GaN HEMT中的自加热效应

Modulating Self-Heating Effects in GaN HEMTs Using Slant Field Plate

Zheng-Lai Tang · Yang Shen · Bing-Yang Cao · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月

电子设备中的自热效应会导致局部热点,对其性能和可靠性产生不利影响,在氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)等高功率密度器件中尤为明显。除了增强散热外,通过结构设计减少热量产生可以有效调节自热效应。本研究基于漂移 - 扩散模型,利用电热模拟方法研究了非对称倾斜场板(FP)对GaN HEMTs自热效应的调节作用。此外,采用蒙特卡罗(MC)模拟方法研究了在非傅里叶热传导条件下,倾斜场板对声子弹道输运的影响。结果表明,倾斜场板使电位分布更加平滑,降低了沟道中的最大电场强度,从而降低了最大发热密度...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于GaN HEMT器件自热效应调控的研究具有重要的战略意义。GaN功率器件凭借其高频、高效、高功率密度的特性,已成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术方向。然而,自热效应导致的局部热点一直是制约GaN器件在大功率应用中可靠性的关键瓶颈。 该研究提出的倾斜场板...

储能系统技术 储能系统 可靠性分析 ★ 4.0

基于RRAM的单器件实现向量乘法与多比特存储的超高面积效率方案

RRAM-Based Single Device for Vector Multiplication and Multibit Storage With Ultrahigh Area Efficiency

Yang Shen · Zhoujie Pan · Mengge Jin · Jintian Gao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

针对冯·诺依曼架构在速度与功耗方面的瓶颈,存内计算成为一种有前景的解决方案。该技术通常依赖由阻变存储器(RRAM)构成的存储单元阵列,利用其多阻态特性可提升数据存储密度。然而,RRAM普遍存在可靠性不足及长程循环特性难以优化的问题。本文提出一种新型三维RRAM器件,兼具2比特向量乘法与多比特存储功能。通过分析与SPICE仿真验证了其可行性,该器件无需写入验证过程,显著提升了面积效率、存储密度与运算速度。相较于传统用于向量乘法的CMOS电路,所需器件数量减少93.75%,为未来存内计算提供了新路径...

解读: 该RRAM存内计算技术对阳光电源储能系统的智能控制器具有重要应用价值。PowerTitan等大型储能系统需处理海量电池管理数据和实时功率调度计算,传统架构存在功耗与响应速度瓶颈。该技术通过单器件实现向量乘法运算,器件数量减少93.75%,可直接应用于ST系列储能变流器的BMS芯片和iSolarClo...

储能系统技术 储能系统 多物理场耦合 ★ 5.0

基于移动储能系统的主动配电网数据驱动电压-无功协调调度

Data-Driven Volt-VAR Coordinated Scheduling With Mobile Energy Storage System for Active Distribution Network

Yang Mi · Changkun Lu · Chunxu Li · Jinpeng Qiao 等6人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2024年9月

为改善主动配电网(ADN)的电压分布与运行成本,提出一种融合灵活资源特别是移动储能系统在ADN与交通网耦合环境下的协调调度策略。结合去噪扩散概率模型构建数据驱动的日前场景生成方法,利用历史数据学习实际与预测功率曲线的误差关系,建立可再生能源出力的概率分布模型。采用随机机会约束优化方法量化不确定环境下的电压运行风险,并充分挖掘ADN中多资源在时空尺度上的调控能力。通过线性化处理将ADN与交通网耦合模型转化为混合整数线性规划问题。基于IEEE 33节点配电网与15节点交通网的仿真验证了所提方法的有效...

解读: 该移动储能协调调度技术对阳光电源PowerTitan储能系统与充电桩业务具有重要应用价值。研究提出的数据驱动场景生成方法可集成至iSolarCloud平台,通过去噪扩散模型提升光伏出力预测精度,优化ST系列储能变流器的日前调度策略。移动储能与配电网耦合模型为阳光电源开发车载储能与V2G技术提供理论支...

电动汽车驱动 三相逆变器 PWM控制 ★ 5.0

用于三相逆变器相电流重构的非对称空间矢量脉宽调制

Asymmetric Space Vector Pulse Width Modulation for the Phase Current Reconstruction in Three-Phase Inverters

Yongpeng Shen · Zhiwei Chen · Hongyuan Huang · Qiancheng Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

摘要:直流母线单电流传感器技术(SCST)因能降低成本和体积,在电机驱动系统中受到了广泛关注。然而,当直流母线单电流传感器技术与传统空间矢量脉宽调制(SVPWM)策略结合使用时,扇区边界和低调制区域不可观测区域的电流重构会降低采样数据的准确性。本文针对三相两电平电压源逆变器提出了一种新型不对称空间矢量脉宽调制(ASVPWM)方法,该方法具有计算开销低、电流重构准确和采样频率恒定的特点。通过在不可观测区域随机移动逆变器的开关状态脉冲,应用该不对称空间矢量脉宽调制方法实现了完整的电流重构。此外,该方...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项非对称空间矢量脉宽调制(ASVPWM)技术在直流母线单电流传感器相电流重构方面的创新,对我们的光伏逆变器和储能变流器产品线具有显著的降本增效价值。 该技术通过单电流传感器替代传统三相电流传感器方案,可直接降低硬件成本约15-20%,同时减小系统体积,这对我们追求高功率...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于混合旁路开关的超快速直流可控避雷器用于陡波前过电压抑制

An Ultra-Fast DC Controllable Arrester With Hybrid Bypass Switch for Fast-Front Overvoltage Suppression

Tai Yang · Xiangyu Zhang · Zhiguo He · Sihang Wu 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年4月

可控避雷器是一种可有效抑制过电压并提升系统技术经济性的新型保护装置,尤其适用于含大量电压敏感型半导体器件的直流输电系统。现有可控避雷器难以及时响应陡波前过电压,无法保障全工况下的电压安全。本文提出一种基于混合旁路开关的超快速直流可控避雷器(HBS-CA),通过在旁路开关中集成可断开间隙与晶闸管,实现超快主动导通能力。模块化设计及元件协同作用显著降低间隙放电分散性与晶闸管电压失衡风险。在深入分析混合旁路开关工作原理与特性的基础上,给出了HBS-CA的控制策略与设计方法。研制了2 kV样机,实验验证...

解读: 该超快速可控避雷器技术对阳光电源储能与光伏产品具有重要防护价值。在PowerTitan大型储能系统中,直流母线侧面临雷击、开关操作等陡波前过电压威胁,HBS-CA的微秒级响应能力可有效保护SiC/IGBT功率模块,避免传统MOV响应滞后导致的器件损坏。对于1500V高压光伏系统,该混合旁路开关设计可...

光伏发电技术 ★ 5.0

量化光伏双层幕墙的参数交互:基于二阶Morris方法的敏感性分析

Quantifying the parameter interaction of photovoltaic double skin façade: A sensitivity analysis based on second-order Morris method

Xingjiang Liu · Haotian Yang · Chao Shen · Lin LU 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.386

针对光伏双层幕墙(PV-DSF)的大量参数化分析已为其实际设计提供了有价值的参考,然而已有研究报道的最优参数值存在不一致现象,通常归因于气候条件的差异。其他研究也识别出参数之间的耦合效应,这种耦合可能对优化结果引入潜在误差。为解决参数影响中的此类差异,本文采用Morris方法对三类共十个参数分别进行一阶和二阶敏感性分析。通过选取具有最大欧氏距离的轨迹组以实现高效的分析过程。一阶敏感性分析结果表明,太阳能量丰富程度、室内照度设定值(Lset)以及半透明光伏模块的蚀刻率(ϑSTPV)具有最强的独立影...

解读: 该光伏双层表皮幕墙参数耦合研究对阳光电源SG系列光伏逆变器及智能运维平台具有重要价值。研究揭示的半透明光伏组件蚀刻比与腔体深度的强耦合效应,可指导逆变器MPPT算法优化,针对建筑光伏复杂遮挡场景实现精准功率追踪。室内照度设定值与采光参数的交互作用,为iSolarCloud平台开发BIPV智能控制策略...

光伏发电技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

通过溶液中无机配体交换法合成p型PbS量子点墨水用于高效稳定太阳能电池

Synthesis of p-type PbS quantum dot ink via inorganic ligand exchange in solution for high-efficiency and stable solar cells

Napasuda Wichaiyo1Yuyao Wei1Chao Ding1Guozheng Shi1Witoon Yindeesuk2Liang Wang1Huān Bì1Jiaqi Liu1Shuzi Hayase1Yusheng Li1Yongge Yang1Qing Shen1 · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46

传统胶体量子点太阳能电池中的p型空穴传输层多基于有机配体交换与逐层沉积技术,易引发配体脱落与表面缺陷,影响器件效率与稳定性。本研究首次提出一种溶液相无机配体交换法,制备稳定的p型硫化铅量子点墨水。通过调控锡碘(SnI₂)浓度,实现量子点由n型向p型的转变。采用无机配体钝化的量子点墨水器件相较传统EDT配体器件,效率提升至10.93%(对照组为9.83%),归因于界面缺陷减少与载流子迁移率增强。该方法为高性能柔性量子点光电器件提供了新途径。

解读: 该p型PbS量子点墨水技术对阳光电源光伏产品线具有前瞻性参考价值。溶液相无机配体交换法制备的稳定量子点墨水,其10.93%的效率提升和增强的稳定性,为SG系列光伏逆变器的前端光伏组件技术升级提供新思路。该技术的界面缺陷抑制与载流子迁移率优化机制,可借鉴应用于阳光电源功率器件的表面钝化工艺,特别是Si...

储能系统技术 储能系统 微电网 ★ 5.0

基于微网群与共享储能的主动配电网优化调度策略

Optimization schedule strategy of active distribution network based on microgrid group and shared energy storage

Jinpeng Qiao · Yang Mi · Jie Shen · Changkun Lu 等7人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.377

摘要 随着微网群与共享储能系统越来越多地接入主动配电网(ADN),亟需对这些复杂的能源要素进行有效协调。为此,本文构建了一种基于微网群与共享储能的主动配电网主从博弈调度策略。由主动配电网作为主导方确定分时电价,微网群与共享储能作为从属方响应电价信号,并考虑系统的安全运行与削峰填谷调度需求。此外,基于分时电价机制,提出了微网群与共享储能之间的两阶段电力交互策略。在第一阶段,通过多目标优化算法计算微网群的储能租赁需求,并据此制定共享储能的充放电策略,使其在满足微网群用电需求的同时,利用剩余容量响应配...

解读: 该主从博弈调度策略对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan系统具有重要应用价值。文中提出的共享储能两阶段功率交互机制,可直接应用于阳光电源微电网群储能解决方案,通过QPSO算法优化分时电价响应策略,提升储能系统削峰填谷效率。该研究为阳光电源iSolarCloud平台的多微网协同调度功能提供...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

面向SiC上异质集成β-Ga2O3 SBD布局设计的电热分析

Electrothermal Analysis for Layout Design of Hetero-Integrated β-Ga2O3 SBDs on SiC

Yinfei Xie · Yang He · Zhenghao Shen · Zhenyu Qu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

β相氧化镓(β - Ga₂O₃)在下一代电力电子领域具有广阔前景,但其较低的热导率要求进行有效的热管理,特别是在高功率应用中。以往的研究主要集中于采用高导热率衬底策略来增强β - Ga₂O₃器件的散热性能。本研究通过三维拉曼测温法和电热模拟进行综合分析,对碳化硅(SiC)上异质集成的β - Ga₂O₃肖特基势垒二极管(SBD)的电极布局(包括形状、尺寸和间距)进行了优化。由于电流密度较高,圆形电极肖特基势垒二极管的峰值温度出现在内电极附近,而叉指电极肖特基势垒二极管的峰值温度出现在阳极附近。特别...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于β-Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)异质集成技术的研究具有重要的战略参考价值。作为功率半导体器件的潜在革新方向,β-Ga2O3材料凭借其超宽禁带特性,理论上可实现比传统硅基甚至碳化硅器件更高的击穿电压和更低的导通损耗,这与我们在光伏逆变器和储能变流器领域追求的高...

储能系统技术 储能变流器PCS ★ 5.0

面向高功率微波源的Fe-β-Ga2O3光电导半导体器件输出特性测试

Test on the Output Characteristics of Fe-β-Ga2O3 Photoconductive Semiconductor Device Toward High-Power Microwave Sources

Tianjiao Shen · Langning Wang · Ting He · Li'Ao Yang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月

我们聚焦于用于高功率微波源应用的 Fe - β - Ga₂O₃ 光电导半导体器件(PCSD)。我们测试并分析了该器件的输出特性,包括其暗态电阻(10¹³ Ω)、暗态耐压(31.6 kV)、光电导输出和高频响应。当受到半高宽(FWHM)均为 10 ns 的 532 nm 和 1064 nm 单脉冲激光照射时,Fe - β - Ga₂O₃ 光电导半导体器件以线性模式工作。在 532 nm 激光照射下的峰值电压输出是 1064 nm 激光照射下的 18 倍。然而,其光响应度相对较低,最高值仅达到 10...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项Fe-β-Ga2O3光导半导体器件研究虽然主要面向高功率微波源应用,但其核心技术特性对我们在光伏逆变器和储能系统中的功率半导体器件应用具有一定参考价值。 该器件展现出的超高暗态电阻(10¹³Ω)和31.6kV耐压能力,反映了β-Ga2O3材料在宽禁带半导体领域的潜力。...

光伏发电技术 ★ 5.0

多尺度融合图卷积网络用于多站点光伏功率预测

Multi-scale fused Graph Convolutional Network for multi-site photovoltaic power forecasting

Qi Sim · Xinze Zhang · Siyue Yang · Liang Shen 等5人 · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.333

摘要 近年来,通过精细挖掘时空关系的多站点光伏功率预测因其在降低建模成本和提高预测精度方面的潜力而受到广泛关注。然而,现有方法通常忽略了在真实场景中多个站点之间跨不同时间尺度存在的复杂且动态变化的时空相关性。为解决这一局限性,本研究从多尺度视角提出了一种新颖且有效的模型:多尺度融合图卷积网络(Multi-Scale Fused Graph Convolutional Neural Network, MSF-GCN)。MSF-GCN引入了一个多图卷积(MGCN)模块,该模块结合预定义图与可自适应学...

解读: 该多尺度图卷积网络技术对阳光电源iSolarCloud智慧运维平台具有重要应用价值。MSF-GCN模型通过多图卷积捕获分布式光伏电站间空间依赖关系,结合多尺度时序分解,可显著提升SG系列逆变器集群的功率预测精度(MAE提升13.21%)。其自适应图学习机制能优化PowerTitan储能系统的充放电策...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

负栅压关态下p-GaN HEMT重离子辐照硬度的实验研究

Experimental Study of Heavy Ion Irradiation Hardness for p-GaN HEMTs Under Off-State With Negative Gate Voltage

Xintong Xie · Shuxiang Sun · Jingyu Shen · Renkuan Liu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月

本研究首次证明,关态时施加负栅极电压(<inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">${V} _{\text {GS}}$ </tex-math></inline-formula>)可提高 100 V 增强型 p 型氮化镓高电子迁移率晶体管(E - mode p - GaN H...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于p-GaN HEMT器件抗辐射加固技术的研究具有重要的战略参考价值。GaN基功率器件因其高频、高效、高功率密度特性,正逐步成为光伏逆变器和储能变流器等核心产品的关键技术方向。 该研究首次验证了在关断状态下施加负栅压可显著提升p-GaN HEMT的抗单粒子效应能力,...