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增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导
Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET
| 作者 | Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan · Jiawei Cui |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 127 卷 第 13 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 极化增强导电性 增强型GaN p - FET 应用物理快报 2025年 127卷 |
语言:
中文摘要
本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应，显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性，从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明，极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导，提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。
English Abstract
Hengyuan Qi, Teng Li, Jingjing Yu, Jialin Duan, Jiawei Cui, Sihang Liu, Junjie Yang, Yingming Song, Han Yang, Zhijian Yang, Xuelin Yang, Maojun Wang, Shiwei Feng, Bo Shen, Meng Zhang, Jin Wei; Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET. _Appl. Phys. Lett._ 30 September 2025; 127 (13): 133502.
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SunView 深度解读
该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性，可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能，有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中，该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时，增强型p-FET的优异开关特性也适用于车载OBC等对功率密度要求较高的应用场景。这为阳光电源开发更高效的互补型GaN功率模块提供了技术基础，有望进一步提升产品竞争力。