找到 8 条结果
基于二维CuCrP2S6材料的超低暗电流光电探测器
Ultra-low dark current photodetector based on two-dimensional CuCrP2S6 material
Xin Cheng · Jiao Peng · West Anhui University · Yanan Cao 等7人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
复旦大学光电子研究院、材料科学系及光伏科学与技术国家重点实验室、上海市智能光电子与感知前沿科学研究基地报道了一种基于二维CuCrP2S6材料的高性能光电探测器。该器件展现出极低的暗电流水平，显著提升了信噪比与探测灵敏度。通过精确调控材料厚度与界面特性，有效抑制了载流子热激发与缺陷辅助隧穿等暗电流产生机制。实验结果表明，该探测器在室温下具有优异的光电响应特性与稳定性，为发展低功耗、高灵敏度二维光电探测器提供了新思路。
解读: 该超低暗电流二维光电探测器技术对阳光电源智能运维系统具有重要应用价值。其极低暗电流特性可应用于iSolarCloud云平台的光伏组件智能诊断模块，通过集成高灵敏度探测器实现微弱光照条件下的精准监测，提升SG系列逆变器在低辐照度环境的MPPT追踪精度。二维材料的低功耗特性契合ST储能系统的能效管理需求...
基于背栅调控硒磷酸盐In2P3Se9材料的高灵敏深紫外至可见光探测器
Highly sensitive deep ultraviolet to visible photodetector based on backgate regulated selenophosphate In2P3Se9 material
Jinhan Hu · Jiao Peng · West Anhui University · Xiang Li 等7人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
复旦大学光电子研究院、材料科学系及光伏科学与技术国家重点实验室、智能光电与感知上海市前沿科学研究基地报道了一种基于新型硒磷酸盐In2P3Se9的高性能光探测器。通过引入背栅电场调控策略，显著提升了器件在深紫外至可见光波段的光响应特性。该探测器展现出高灵敏度、宽光谱响应范围以及优异的开关比和稳定性，为二维层状材料在可调谐光电探测领域的应用提供了新思路。
解读: 该In2P3Se9光探测器技术对阳光电源光伏系统具有潜在应用价值。其深紫外至可见光宽光谱响应特性可应用于SG系列逆变器的智能光照监测模块，通过背栅电场调控实现高灵敏度检测，优化MPPT算法的光照追踪精度。该材料的高开关比和稳定性可用于iSolarCloud平台的光伏阵列实时监测传感器，提升组件遮挡、...
基于坐标变换的级联风电系统中QAB变换器灵活功率解耦控制
Flexible Power Decoupling Control for QAB Converters in Cascaded Wind Power Systems by Coordinate Transformation
Xin Peng · Xibo Yuan · Yonglei Zhang · Chen Wei 等7人 · IET Power Electronics · 2025年7月 · Vol.18
本文提出一种基于坐标变换的级联风电系统中QAB变换器的灵活功率解耦控制策略。该方法通过优化QAB变换器绕组电流应力，有效降低器件热应力，提升系统运行效率与可靠性。所提控制策略在实现功率解耦的同时，增强了系统在动态工况下的稳定性，适用于新型级联式风力发电系统。
解读: 该QAB变换器功率解耦控制技术对阳光电源储能与风电产品线具有重要应用价值。通过坐标变换实现的灵活功率解耦控制，可优化ST系列储能变流器的多绕组变压器设计，降低PowerTitan大型储能系统中功率器件的热应力。该技术的动态稳定性提升特性，也可应用于公司风电变流器产品的功率控制优化。此外，其多物理场耦...
基于混合注意力深度强化学习的健康感知集成热管理策略
Health-Conscious Integrated Thermal Management Strategy Using Hybrid Attention Deep Reinforcement Learning for Battery Electric Vehicles
Changcheng Wu · Jiankun Peng · Dawei Pi · Xin Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
有效的热管理策略（TMS）可以延长纯电动汽车（BEV）的续航里程，并在高温环境下提高车内热舒适性。考虑到集成热管理系统（ITMS）的发展趋势以及动力电池在纯电动汽车中的关键作用，本文建立了一个嵌入电池健康意识的集成热管理系统模型。为进一步挖掘所提出的集成热管理系统的温度控制和节能潜力，采用双延迟深度确定性策略梯度算法（TD3）设计了一种学习型热管理策略。鉴于集成热管理系统内复杂的状态信息，引入了一种混合注意力机制对原始TD3算法进行优化，使TD3智能体能够辨别各种状态信息的相对重要性，从而提高其...
解读: 从阳光电源的业务布局来看，这项基于混合注意力深度强化学习的电动汽车热管理技术具有显著的战略价值。该研究将电池健康意识嵌入集成热管理系统，通过TD3算法实现了电池健康退化降低22.50%、能量损失减少35.33%的效果，这与我司在储能系统和电动汽车动力解决方案领域的核心诉求高度契合。 从技术迁移角度...
高功率器件封装中含重铸层和粗糙界面的陶瓷通孔互连结构热力学分析
Thermodynamic analysis of TCV interconnect structure with recast layers and rough interfaces for high-power device packaging
Xin Zou · Zhirui Xu · Hao Chen · Yang Peng 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年9月
通孔陶瓷过孔（TCV）互连结构的热机械行为对三维封装可靠性有着显著影响。然而，现有研究在很大程度上忽视了激光钻孔所产生的缺陷——特别是重铸层和粗糙界面——在调节高功率器件热应力方面的关键作用。在本研究中，提出了一种考虑重铸层和粗糙界面的TCV互连结构的新型热力学分析方法。利用魏尔斯特拉斯 - 曼德布罗特（W - M）分形函数建立了具有可调界面粗糙度的陶瓷 - 重铸层 - 铜模型。实验结果与模拟结果吻合良好，最大误差仅为11.1%。热力学模拟结果显示，热应力与界面粗糙度之间存在非单调关系：在所有温...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文针对陶瓷通孔（TCV）互连结构的热力学研究具有显著的应用价值。在光伏逆变器和储能变流器等大功率设备中，功率半导体模块是核心部件，其封装可靠性直接影响系统的长期稳定性和功率密度提升。 该研究的核心贡献在于首次系统性地量化了激光钻孔工艺缺陷（重铸层和粗糙界面）对热应力的...
一种用于风力涡轮机应用中精确预测三维时空风场的新型频域物理信息神经网络
A novel frequency-domain physics-informed neural network for accurate prediction of 3D spatio-temporal wind fields in wind turbine applications
Shaopeng Li · Xin Li · Yan Jiang · Qingshan Yang 等7人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.386
摘要 风能是全球关键的清洁能源之一。风力涡轮机的结构安全性和动力响应分析在很大程度上受到其所在位置风速数据可获得性与精度的影响。然而，气象观测站分布稀疏，通常难以获取高分辨率的空间风速数据，因此需要采用条件模拟方法来补充低分辨率的观测数据。本研究针对这一挑战，提出了一种频域物理信息神经网络（FD-PINN），该方法利用频域信息，旨在实现对风力涡轮机三维（3D）时空风场的精准预测。该方法构建了一个深度神经网络，并将其与关键物理模型相结合，包括风谱、风场相干函数以及风速廓线。通过融合这些物理先验知识...
解读: 该频域物理信息神经网络技术对阳光电源风电变流器及新能源场站具有重要价值。通过高精度3D时空风场预测,可优化SG系列风电变流器的功率预测算法和主动抗扰控制策略,提升MPPT效率。结合iSolarCloud平台,该深度学习方法可增强风光储混合电站的预测性维护能力,优化储能系统ST系列PCS的充放电策略。...
基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究
Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design
Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.224
摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs，发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应，能够提高二维电子气（2DEG）密度，从而获得更高的饱和电流，并使击穿电压从615 V（GaN帽层）提升至895 V（AlN帽层）。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现，表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱，导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...
解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V，梯度帽层结构更达1308V，2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向：通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能，支持...
总电离剂量辐射引起的p-GaN栅极HEMTs漏电流退化
Total-Ionizing-Dose Radiation-Induced Leakage Current Degradation in p-GaN Gate HEMTs
Zhao Wang · Xin Zhou · Qingchen Jiang · Zhengyuan Peng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月
本研究对 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管（HEMT）中总电离剂量（TID）辐射诱发的漏极泄漏电流（<inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">${I} _{\text {off}}$ </tex-math></inline-formula>）退化现象进行了研究。辐射诱发...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于p-GaN栅极HEMT器件抗总电离剂量辐射性能的研究具有重要的战略参考价值。GaN基HEMT器件因其高频、高效、耐高温特性，正逐步成为光伏逆变器和储能变流器中功率转换模块的核心器件，直接影响系统的转换效率和可靠性。 该研究揭示的辐射损伤机制对我司产品在特殊应用场景...