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单电感多输出DC-DC降压变换器的单放电控制
Single Discharge Control for Single-Inductor Multiple-Output DC–DC Buck Converters
Tae Young Goh · Wai Tung Ng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月
随着便携式电子设备对多电压供电需求增加，单电感多输出（SIMO）变换器成为高性价比方案。本文提出一种单放电（SDC）控制策略，旨在简化SIMO设计，降低交叉调节效应，并支持宽负载范围下的高效功率转换。
解读: 该技术主要针对消费类电子或小型化电源管理领域，与阳光电源现有的光伏逆变器、大功率储能系统（PowerTitan/PowerStack）及风电变流器等核心业务在功率等级和应用场景上存在差异。然而，SIMO拓扑在降低系统成本、减少磁性元件数量方面的设计思路，可为阳光电源户用储能系统中的辅助电源模块或小型...
基于恒定导通时间控制的超快串联电容跨电感稳压器分析与设计
Analysis and Design of Ultrafast Series Capacitor Trans-Inductor Voltage Regulator With Constant On-Time Control
Liang Wang · Chenxi Li · Jiawei Liang · Wai Tung Ng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
本文提出了一种用于数据中心负载点（POL）应用的多相串联电容跨电感稳压器（SCTLVR）。通过串联电容结构，该拓扑实现了输入电压在各Buck单元间的分配，有效倍增了降压比和占空比，同时降低了开关管的电压应力，提升了变换效率与功率密度。
解读: 该技术主要针对高降压比、高功率密度的POL电源应用，虽与阳光电源核心的光伏逆变器或大型储能PCS架构存在差异，但其串联电容与跨电感技术在提升功率密度和降低开关应力方面的思路具有参考价值。在阳光电源的户用储能系统或iSolarCloud配套的边缘计算设备电源设计中，该拓扑可用于优化辅助电源模块的效率与...
一种具有温度补偿集电极电流检测功能的智能IGBT栅极驱动IC
A Smart IGBT Gate Driver IC With Temperature Compensated Collector Current Sensing
Jingxuan Chen · Wei Jia Zhang · Andrew Shorten · Jingshu Yu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月
传统的IGBT电流检测与保护技术通常依赖分流电阻等分立传感器，且需接入高压侧，集成难度大。本文提出了一种集成集电极电流检测电路与片上CPU的智能IGBT栅极驱动IC，实现了电流的精确感知与温度补偿，有效提升了功率模块的集成度与保护性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器）具有极高的应用价值。通过将电流检测与保护逻辑集成至驱动IC，可显著缩小功率模块体积，提升系统功率密度。同时，片上CPU提供的实时电流监测与温度补偿功能，能有效增强逆变器在极端工况下...
基于栅极电压监测与分析的IGBT间接过流检测技术
Indirect IGBT Over-Current Detection Technique Via Gate Voltage Monitoring and Analysis
Xinchang Li · Dawei Xu · Hongyue Zhu · Xinhong Cheng 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月
本文提出了一种基于栅极电压波形分析的IGBT过流检测新方法。通过分析IGBT开通瞬态模式检测硬开关故障（HSF），并监测导通状态下的栅极电压以识别负载下的故障（FUL）。该方法通过提取关断期间的米勒平台电压，实现了对IGBT故障的有效监测。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高的应用价值。IGBT作为功率变换的核心器件，其可靠性直接决定了产品的寿命与安全性。传统的过流检测通常依赖电流传感器，响应速度受限且成本较高。该技术通过栅极电压实现间接检测，能够显著提...
一种具有动态振铃抑制功能的GaN功率HEMT智能栅极驱动IC
A Smart Gate Driver IC for GaN Power HEMTs With Dynamic Ringing Suppression
Wei Jia Zhang · Jingshu Yu · Wen Tao Cui · Yahui Leng 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月
传统的GaN功率晶体管栅极驱动方案依赖外部控制器和分立元件，导致系统复杂且寄生参数增加。本文提出一种集成化智能栅极驱动IC，通过分段输出级和动态驱动技术，有效抑制开关过程中的振铃现象，优化GaN器件的高频开关性能，提升功率密度与可靠性。
解读: GaN作为宽禁带半导体，在提升阳光电源户用光伏逆变器及微型逆变器功率密度方面具有巨大潜力。该智能驱动IC通过集成化设计抑制振铃，能有效解决高频开关下的EMI问题，降低对复杂外围电路的依赖。建议研发团队关注该技术在下一代高频、高效率户用逆变器及小型化充电桩中的应用，以进一步缩小产品体积并提升转换效率，...
一种具有用于自举高侧栅极驱动器和二极管仿真器的动态电平转换器的高压DC-DC降压转换器
A High-Voltage DC–DC Buck Converter With Dynamic Level Shifter for Bootstrapped High-Side Gate Driver and Diode Emulator
Bing Yuan · Jing Ying · Wai Tung Ng · Xin-Quan Lai 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月
针对自举高侧栅极驱动设计中的传播延迟、dVSW/dt抗扰度和功耗问题，本文提出了一种集成高速动态电平转换器和改进型栅极驱动缓冲器的高压DC-DC降压转换器。通过引入瞬时动态电流，电平转换器的传播延迟降低至1.13 ns。
解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）产品具有重要参考价值。在PowerTitan等储能系统及高功率密度组串式逆变器中，高侧驱动电路的开关速度与抗干扰能力直接决定了功率模块（如SiC/GaN）的效率与可靠性。该研究提出的低延迟动态电平转换技术，有助于优化驱动电路设计，降低开关损耗，...
一种利用源极寄生电阻和电感提取SiC功率MOSFET漏极电流的技术
A Drain Current Extraction Technique Using Source Parasitic Resistance and Inductance in SiC Power MOSFETs
Tiantian Liu · Yuhua Quan · Xuetong Zhou · Yufei Tian 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月
为实时监测碳化硅（SiC）功率MOSFET的运行状态，本文提出了一种基于封装寄生参数的在路漏极电流提取技术。通过对开尔文源极与功率源极之间的连接进行建模，将其等效为串联的电阻（RSS）和电感（LSS）。通过对RSS和LSS两端的电压进行积分和采样，可实现对漏极电流的实时重构。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高的应用价值。随着公司在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块，实现对器件电流的实时、高精度监测对于提升系统可靠性和故障诊断能力至关重要。该方法无需额外的电流传感器，有助于降低系统成本并减小体积。建议研发团队将其集成至...
1.2 kV 4H-SiC MOSFET在重复短路测试下静态与动态特性的退化机制
Degradation mechanisms for static and dynamic characteristics in 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs under repetitive short-circuit tests
Ying Ji · Linna Zhao · Shilong Yang · Cunli Lu 等6人 · Solid-State Electronics · 2025年6月 · Vol.226
本文通过在栅源电压（VGS,OFF/VGS,ON）分别为−4/+15 V、−4/+19 V和0/+19 V条件下进行重复短路（RSC）测试，研究了1.2 kV 4H-SiC MOSFET的退化行为。结合实验与仿真结果发现，在雪崩过程中栅氧化层中捕获的电子或空穴是导致静态参数退化的主要机制。在VGS,OFF/VGS,ON = −4/+19 V条件下，经过240次短路（SC）测试后，阈值电压VTH和导通电阻RDS,ON分别增加了0.4 V和3.0 mΩ；在0/+19 V条件下分别增加了0.45 V和...
解读: 该研究揭示SiC MOSFET短路退化机理对阳光电源ST系列储能变流器和SG光伏逆变器至关重要。栅极氧化层电荷陷阱导致阈值电压漂移和导通电阻增加，直接影响功率器件可靠性。研究发现负偏压门极驱动(-4V)可显著改善短路耐受性，为PowerTitan储能系统和充电桩产品的SiC驱动电路优化提供依据。建议...