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一种采用堆叠MOSFET驱动技术的单电感双输出变换器，用于实现低静态电流和交叉调节
A Single-Inductor Dual-Output Converter With the Stacked mosfet Driving Technique for Low Quiescent Current and Cross Regulation
Hsin Chen · Chao-Jen Huang · Chun-Chieh Kuo · Li-Chi Lin 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年3月
本文提出了一种堆叠MOSFET驱动（SMD）技术，旨在解决低压器件在构建堆叠结构时面临的瞬态响应差或占用面积大的问题。该技术利用自稳定特性有效驱动功率级，显著降低了开关节点的噪声，从而实现了低静态电流和优异的交叉调节性能。
解读: 该技术主要针对集成电路层面的驱动优化，对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统（如PowerStack）中的辅助电源模块（Auxiliary Power Supply）具有参考价值。在追求高功率密度和低待机功耗的趋势下，该SMD技术可提升辅助电源的转换效率并降低EMI噪声，有助于优化小型化功率模块的设计...
一种具有快速最优比搜索方案的完全集成非对称并联开关电容DC-DC变换器，用于负载瞬态增强
A Fully Integrated Asymmetrical Shunt Switched-Capacitor DC–DC Converter With Fast Optimum Ratio Searching Scheme for Load Transient Enhancement
Yen-Ting Lin · Yan-Jiun Lai · Hung-Wei Chen · Wen-Hau Yang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
本文提出了一种改进的基于负极性转换器（NSC）的开关电容（SC）DC-DC变换器，旨在实现细粒度的电压转换比。通过在末级重构多个2:1 SC变换器，该非对称并联SC（ASSC）变换器提供了更多可控的正向和反馈增益变量，并引入快速最优比搜索方案以提升负载瞬态响应性能。
解读: 该技术主要针对芯片级或板级的高功率密度DC-DC转换，侧重于开关电容拓扑的细粒度控制与瞬态响应优化。对于阳光电源而言，该技术目前与大功率光伏逆变器或储能PCS的核心功率拓扑（通常基于磁性元件的硬/软开关电路）关联度较低。但在户用光伏优化器（Optimizer）或iSolarCloud配套的智能传感与...
面向高安全性万物互联设备Buck DC-DC变换器的真随机数伪滞环控制器
A True-Random-Number-Based Pseudohysteresis Controller for Buck DC–DC Converter in High-Security Internet-of-Everything Devices
Wen-Hau Yang · Shao-Wei Chiu · Chun-Chieh Kuo · Yen-Ting Lin 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月
针对高安全性万物互联（IoE）设备，本文提出了一种基于真随机数（TRN）的伪滞环控制器（PHC）。该方法在不牺牲瞬态响应和调节性能的前提下，有效防御了功率侧信道攻击（PSCA）和功率注入攻击（PIA），并降低了电磁干扰（EMI）。
解读: 该技术主要针对高安全等级的微型电子设备，通过随机化开关频率来提升抗攻击能力和EMI性能。对于阳光电源而言，该技术在户用光伏逆变器或iSolarCloud智能运维平台的通信模块、传感器及边缘计算网关中具有潜在的参考价值。随着光伏与储能系统数字化程度提升，设备的信息安全与抗干扰能力日益重要。虽然该技术目...
一种用于低交叉调节和改善电流平衡的双输出混合变换器
A Hybrid Converter With Dual Outputs for Low Cross Regulation and Improved Current Balance
Sheng Cheng Lee · Min-Chu Chien · Wei-Chieh Hung · Cheng-Wen Chen 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
传统单电感双输出变换器存在能量传输不连续问题，导致输出电压纹波大及交叉调节效应。本文提出了一种基于0.15μm BCD工艺的双降压双输出变换器，采用混合和与偏差控制策略，实现了25mV的低输出电压纹波并最小化了交叉调节影响。
解读: 该研究聚焦于集成电路层面的双输出DC-DC拓扑优化，主要应用于芯片级电源管理（PMIC）。对于阳光电源而言，该技术与核心的组串式逆变器或PowerTitan储能系统中的大功率电力电子变换器存在差异。然而，该文提出的“混合和与偏差控制”策略在提升多路输出电源的动态响应和纹波抑制方面具有参考价值，可为i...
一种具有突发模式以对应DC-DC开关变换器节能模式的高效率快速瞬态数字低压差线性稳压器
A High Efficiency and Fast Transient Digital Low-Dropout Regulator With the Burst Mode Corresponding to the Power-Saving Modes of DC–DC Switching Converters
Jian-He Lin · Shang-Hsien Yang · Balakumar Muniandi · Yu-Sheng Ma 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月
本文提出了一种数字低压差线性稳压器（DLDO），采用非线性开关控制（NLSC）技术。在开关变换器处于节能模式且开关噪声电压超过50mV时，该技术能将电压纹波抑制在6mV以下。此外，NLSC技术通过将静态电流降低至10μA以下，显著提升了电流效率并降低了开关损耗。
解读: 该技术主要应用于电源管理芯片（PMIC）的微功耗优化，对于阳光电源而言，其核心价值在于提升iSolarCloud智能运维平台配套的传感器、通信模块及户用逆变器内部控制电路的能效。在户用光伏和储能系统（如PowerStack）的待机模式下，通过引入此类低功耗DLDO设计，可有效降低系统在轻载或休眠状态...
一种基于单片GaN的LLC-SRC，具有低于1 mA的静态电流和98.6%的峰值效率，符合能源之星和80 Plus钛金标准
A Monolithic GaN-Based LLC-SRC With Sub-1 mA Quiescent Current and 98.6% Peak Efficiency for Energy Star Standard and 80 Plus Titanium Standard
Chi-Yu Chen · Po-Jui Chiu · Xiao-Quan Wu · Yu-Ting Huang 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
本文提出了一种基于GaN的混合栅极驱动器，包含两种逆变器，在25 MHz高频下实现了23.2 μA的低静态电流。通过自动预充技术监测自举电容电压，将待机漏电流从毫安级降至62 μA，使系统峰值效率达到98.6%，满足高能效标准。
解读: 该技术在宽禁带半导体应用及高频高效拓扑方面具有重要参考价值。对于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线，GaN器件的应用能显著提升功率密度并降低待机功耗，助力产品满足严苛的能效标准（如80 Plus钛金级）。建议研发团队关注该单片集成驱动技术，探索其在小功率DC-DC变换模块中的应用，以优化轻载效率...
一种具有浪涌电流保护和尖峰抑制功能的动态导通电阻降低型双向氮化镓负载开关
A Dynamic-RON-Reduced Bidirectional GaN Load Switch With Inrush Current Protection and Spike Suppression
Po-Jui Chiu · Xiao-Quan Wu · Chi-Yu Chen · Yu-Ting Huang 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
本文提出了一种双向氮化镓（GaN）负载开关，在实现双向电流导通的同时有效阻断反向电流。该开关支持最高48V输入电压和25A负载电流，导通电阻仅为11.2mΩ。通过集成驱动电流限制器，有效解决了浪涌电流和电压尖峰问题，提升了功率管理的效率与可靠性。
解读: 该技术主要针对低压（48V）直流侧的功率开关控制，在阳光电源的户用储能系统（如电池包内部BMS电路）或电动汽车充电桩的辅助电源管理中具有应用潜力。GaN器件的高频、低损耗特性有助于提升功率密度，但目前阳光电源的主流储能PCS（如PowerTitan）和光伏逆变器多采用高压功率器件。建议研发团队关注该...
一种基于截断区域特征函数展开法设计的全方位抗偏移无线电能传输系统
A Novel All-Direction Antimisalignment Wireless Power Transfer System Designed by Truncated Region Eigenfunction Expansion Method
Zifan Dong · Xiaoming Li · Sheng Liu · Ziwei Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月
本文提出了一种新型无线电能传输（WPT）系统，通过采用反向并联绕组实现了全方向的高抗偏移容忍度。发射线圈由两部分反向绕组组成，使不同方向的磁通部分抵消。通过优化参数设计，该系统有效提升了发射与接收线圈间的互感稳定性。
解读: 该技术主要应用于无线充电领域，与阳光电源目前的电动汽车充电桩业务具有一定的技术关联性。虽然目前主流充电桩仍以有线传导式为主，但无线充电是未来高阶自动驾驶和智慧园区充电的重要演进方向。该研究提出的抗偏移设计能显著提升用户体验，建议研发团队关注其在静态无线充电桩中的应用潜力，评估其在大功率传输下的效率与...
基于非接触式传感器的感应电能传输系统最大效率跟踪输出反馈控制
Contactless-Sensor-Based Output Feedback Control With Maximum Efficiency Tracking Technique in Inductive Power Transfer Systems
Sheng Liu · Yue Feng · Wanying Weng · Yizhen Lin 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
为提升串联-串联感应电能传输（SSIPT）系统的整体效率，本文提出了一种基于非接触式电流传感器的最大效率跟踪（MET）控制方法。该方法通过传感器实现互感估计与输出电压反馈，有效优化了前端与负载侧变换器的协同控制，在无需复杂通信链路的情况下实现了系统的高效运行。
解读: 该技术主要涉及无线电能传输（IPT）领域，虽然与阳光电源目前主流的光伏逆变器和储能系统（PowerTitan/PowerStack）存在差异，但其核心的“最大效率跟踪（MET）”与“非接触式传感”技术对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有潜在参考价值。随着大功率无线充电技术的演进，该控制策略可优化充电桩...
基于电化学阻抗谱的开放阴极质子交换膜燃料电池水管理故障诊断
Water Management Fault Diagnosis for Open-Cathode PEMFC Systems Based on Electrochemical Impedance Spectroscopy
Chuang Sheng · Qian Xiang · Weiming Chen · Wenxuan Zhang 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
为延长质子交换膜燃料电池（PEMFC）寿命，本文提出了一种集成机器学习与等效电路模型（ECM）的故障诊断框架，专门用于诊断膜干燥和水淹两种常见运行故障。通过燃料电池快速阻抗测试平台验证，该方法能有效提升系统运行的可靠性与稳定性。
解读: 阳光电源已布局氢能业务（电解槽电源及系统集成）。虽然本文聚焦于开放阴极燃料电池（PEMFC），但其提出的基于电化学阻抗谱（EIS）的故障诊断逻辑，对阳光电源的电解水制氢电源系统具有重要参考价值。特别是在电解槽的健康状态监测、膜堆性能衰减预测及水热管理优化方面，该研究中的机器学习与ECM融合建模方法，...
一种新型自适应准恒定导通时间电流模式Buck变换器
A Novel Adaptive Quasi-Constant On-Time Current-Mode Buck Converter
Chin-Fu Nien · Dan Chen · Sheng-Fu Hsiao · Le Kong 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月
本文提出了一种用于Buck变换器的新型自适应准恒定导通时间（COT）电流模式控制方案。该方案在保留传统COT电流模式变换器优势的基础上，实现了负载阶跃下的快速瞬态响应，并优化了变换器的性能表现。
解读: 该技术在DC-DC变换领域具有重要参考价值，直接关联阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统（如PowerStack/PowerTitan）中的辅助电源模块或DC-DC级电路。通过采用自适应准恒定导通时间控制，可显著提升变换器在负载突变时的动态响应速度，减小输出电压纹波，从而提高系统整体的功率密度与稳定性...
用于离网或并网运行的升压逆变器的电压调制与电流控制
Voltage Modulation and Current Control of Boost Inverters for Stand-Alone or Grid-Tied Operation
Woei-Luen Chen · Chung-Han Yang · Chia-Ting Lin · Ming-Sheng Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月
本文研究了升压逆变器（Boost Inverter）的电压调制与电流控制策略。该拓扑通过两个Boost变换器的差分输出实现直流升压与DC-AC转换。针对电路参数不一致导致的交流侧直流分量问题，以及Boost变换器电压增益的非线性特性，提出了相应的控制方案，以提升离网及并网运行的性能。
解读: 该研究涉及的升压逆变器拓扑在小功率光伏逆变器及微型逆变器领域具有应用潜力。对于阳光电源的户用光伏逆变器产品线，该拓扑能有效实现高升压比，简化系统架构。文中提到的差分输出共模噪声抑制特性，有助于优化EMI设计，提升产品电磁兼容性。建议研发团队关注其在处理参数不一致性导致的直流分量抑制方面的控制算法，这...
通过低温氮化处理有效抑制AlGaN/GaN MISHEMT中的电流崩塌
Effective Reduction of Current Collapse in AlGaN/GaN MISHEMT via Low-Temperature Nitriding Treatment
Sheng-Yao Chou · Yan-Chieh Chen · Cheng-Hsien Lin · Yan-Lin Chen 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
采用180°C下1小时的低温超临界流体氮化（SCFN）处理，成功将AlGaN/GaN MISHEMT在高场驱动条件（VD=300 V）下的电流崩塌减少了72%。经SCFN处理后，器件关态栅漏电流显著降低，击穿电压提升至710 V（@1 μA/mm），远高于未处理样品的110 V。同时，最大漏极电流、最大跨导分别提升4.6%和2.9%，导通电阻降低11.1%。性能改善归因于AlGaN表面悬键修复及Al2O3/AlGaN界面缺陷态减少。结合XPS、界面态密度（Dit）和栅漏电输运机制分析验证了该机理...
解读: 该低温氮化处理技术对阳光电源GaN功率器件应用具有重要价值。通过SCFN工艺将电流崩塌抑制72%、击穿电压提升至710V，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的GaN功率模块设计。电流崩塌的有效抑制能提升器件动态特性，降低开关损耗，对1500V高压系统和三电平拓扑尤为关键。导通电阻降低...
考虑无功补偿有效性的高压直流输电交流滤波器参数优化方法
Parameter Optimization Method for AC Filters in HVDC Considering Reactive Power Compensation Effectiveness
Sheng Lin · Dalin Mu · Lijuan Xu · Zhengyou He · IEEE Transactions on Power Delivery · 2024年11月
在高压直流输电系统中，交流滤波器参数显著影响无功功率补偿性能、滤波效果及投资成本，但不同运行方式下难以兼顾补偿有效性与经济性。为此，本文提出一种交流滤波器参数优化方法，以协调技术性能与经济性。通过分析多种运行工况下滤波器参数对性能与成本的影响，确定关键设计因素；综合考虑无功交换量、投资及占地成本构建目标函数，并结合子模块数量与滤波性能设定约束条件；采用带精英策略的遗传算法求解最优参数。仿真结果表明，优化后的滤波器在保障无功补偿与滤波性能的同时，有效降低了综合成本。
解读: 该HVDC交流滤波器参数优化方法对阳光电源PowerTitan大型储能系统和ST系列储能变流器具有重要应用价值。文章提出的多目标优化策略（无功补偿性能、滤波效果与成本平衡）可直接应用于储能系统并网侧滤波器设计，特别是在电网谐波污染严重区域。其遗传算法优化框架可集成到阳光电源iSolarCloud平台...
理解平面SiC功率MOSFET在雪崩击穿后第三象限工作期间反向导通电压正向偏移的机制
Toward Understanding the Positive Shift of Reverse Turn-on Voltage in the Third Quadrant Operation in Planar SiC Power MOSFETs After Avalanche Breakdown
Wei-Cheng Lin · Yu-Sheng Hsiao · Chen Sung · Chu Thị Bích Ngọc 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本研究探讨了平面SiC功率MOSFET在超过雪崩击穿条件的高漏极偏压下第三象限特性的稳定性。通过实验测量与TCAD仿真，分析了第三象限运行中反向导通电压（Vrev,on）正向漂移的机理。当漏极偏压从1500 V增至1620 V时，观察到阈值电压（VTH）明显负向漂移，同时Vrev,on出现正向漂移。TCAD仿真表明，该现象源于p阱区高电场引发的碰撞电离效应。进一步引入位于SiO2/SiC界面附近栅氧化层中的正固定电荷作为空穴陷阱后，仿真结果与实验一致。结果表明，雪崩击穿以上高漏压导致的空穴俘获会...
解读: 该研究揭示的SiC MOSFET雪崩击穿后第三象限特性退化机理，对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器中，SiC MOSFET常工作在硬开关和体二极管续流模式，第三象限反向导通特性直接影响系统效率和可靠性。研究指出的栅氧界面空穴俘获导致Vrev,on正漂移现象，为优化器...
1.2-kV平面SiC MOSFET在重复UIS应力作用下阈值电压的演变
Evolution of threshold voltage in 1.2-kV planar SiC MOSFETs during repetitive UIS stressing
Chaobiao Lin · Ling Hong · Ding Wu · Na Ren 等5人 · Solid-State Electronics · 2025年8月 · Vol.227
本文对1.2-kV平面碳化硅（SiC）MOSFET进行了重复非钳位感性开关（UIS）应力实验，施加了不同的关断态栅极电压偏置（Vgs-off = 0 V/−5 V/−10 V），并观察了不同条件下导通电阻（Ron）和阈值电压（Vth）的演变情况。研究发现，在Vgs-off为−5 V和−10 V的条件下，Ron增大，Vth发生负向漂移。为探究Ron退化机制，开展了失效分析。扫描电子束观测结果证实，在UIS应力过程中，芯片上表面发生了铝（Al）熔融现象。关于Vth漂移，将器件所承受的重复UIS应力解...
解读: 该研究揭示SiC MOSFET在UIS应力下的阈值电压漂移机制，对阳光电源ST系列储能变流器和SG光伏逆变器的可靠性设计具有重要指导意义。研究发现负栅压会加剧热空穴注入导致阈值负漂，建议在PowerTitan等大功率储能系统中优化关断时栅极驱动策略，采用0V或小负压关断以延长SiC器件寿命。同时可结...