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寄生电容非线性对E/F3类功率放大器分析与设计的影响
Effect of Nonlinearity of Parasitic Capacitance on Analysis and Design of Class E/F3 Power Amplifier
Mohsen Hayati · Akram Sheikhi · Andrei Grebennikov · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年8月
本文分析并比较了占空比为50%时，非线性与线性并联电容对E/F3类功率放大器的影响。文中提出了针对非线性及线性并联电容的解析分析方法，并探讨了其对功率放大器性能的影响，包括串联电抗、开关峰值电压及输出功率能力等关键参数。
解读: 该研究聚焦于高频功率放大器中的非线性寄生电容效应，对于提升阳光电源在下一代高功率密度光伏逆变器及储能变流器（PCS）中的开关性能具有参考价值。随着宽禁带半导体（如SiC、GaN）在阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统中的广泛应用，器件寄生参数的非线性对高频开关损耗及EMI设计影响显著。...
非最优工作条件下具有非线性并联电容的E/F3类功率放大器的设计与分析
Design and Analysis of Class E/F3 Power Amplifier with Nonlinear Shunt Capacitance at Nonoptimum Operation
Mohsen Hayati · Akram Sheikhi · Andrei Grebennikov · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年2月
本文推导了在50%占空比下，满足非最优工作条件的非线性并联电容E/F3类功率放大器的解析表达式。研究表明，通过引入相位偏移和直流电源电压作为设计变量，该拓扑增加了设计自由度，有助于优化高频功率变换器的效率与性能。
解读: 该研究探讨的高频高效功率放大器拓扑及非线性电容处理技术，主要应用于高频开关电源及射频前端领域。对于阳光电源而言，虽然目前核心业务集中在光伏逆变器和储能变流器（PCS），但随着功率密度提升和宽禁带半导体（SiC/GaN）的广泛应用，高频化是未来的关键趋势。该技术可为阳光电源在下一代高功率密度组串式逆变...
具有新结构和平顶开关电压波形的E类功率放大器设计
Design of Class E Power Amplifier with New Structure and Flat Top Switch Voltage Waveform
Mohsen Hayati · Sobhan Roshani · Saeed Roshani · Marian K. Kazimierczuk 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月
本文提出了一种新型E类功率放大器（PA）拓扑。该拓扑改进了传统E类PA的输出电路，通过在谐振电容和移相电感之间增加额外的并联电容，实现了平顶开关电压波形，旨在提升功率转换效率并降低开关损耗。
解读: 该研究聚焦于高频功率放大器拓扑优化，主要应用于射频或极高频电力电子变换领域。对于阳光电源目前的组串式/集中式光伏逆变器及储能PCS产品线而言，其主流拓扑仍以PWM变换为主，该技术目前相关度较低。然而，随着宽禁带半导体（SiC/GaN）应用频率的提升，未来在超高功率密度的小型化户用逆变器或辅助电源设计...
考虑任意结电容梯度系数的MOSFET非线性漏源及栅漏电容的E类功率放大器设计
A Class-E Power Amplifier Design Considering MOSFET Nonlinear Drain-to-Source and Nonlinear Gate-to-Drain Capacitances at Any Grading Coefficient
Mohsen Hayati · Sobhan Roshani · Marian K. Kazimierczuk · Hiroo Sekiya · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年11月
本文提出了一种考虑MOSFET非线性栅漏电容和漏源电容的E类功率放大器设计理论。通过引入任意结电容梯度系数，精确描述了MOSFET寄生电容的非线性特征。研究表明，若设计中忽略梯度系数，将导致开关电压波形偏离理想状态，影响变换器效率。
解读: 该研究聚焦于高频开关电路中功率器件寄生参数的精确建模，对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品具有参考价值。随着逆变器向高功率密度和高开关频率方向发展，精确的非线性电容建模有助于优化软开关（ZVS）设计，降低开关损耗，提升整机效率。建议研发团队在开发下一代基于GaN或SiC的高频变换器时，引入该非...
包含MOSFET非线性栅漏和漏源电容的Class-EM功率放大器占空比效应分析与研究
Analysis and Study of the Duty Ratio Effects on the Class-EM Power Amplifier Including MOSFET Nonlinear Gate-to-Drain and Drain-to-Source Capacitances
Mohsen Hayati · Hamed Abbasi · Marian K. Kazimierczuk · Hiroo Sekiya · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年12月
本文研究了占空比变化对Class-EM功率放大器的影响，重点考虑了MOSFET非线性寄生电容（栅漏和漏源电容）。占空比是影响开关电压电流波形、输出功率、效率、功率损耗及输出相移的关键参数。
解读: Class-EM功率放大器属于高频软开关技术范畴，其对MOSFET寄生参数的精确建模与占空比优化对提升变换器效率至关重要。对于阳光电源而言，该研究中关于非线性电容建模的方法论，可应用于高频化趋势下的组串式光伏逆变器及微型逆变器研发，有助于优化功率模块的开关损耗，提升整机效率。此外，在电动汽车充电桩的...