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包含MOSFET非线性栅漏和漏源电容的Class-EM功率放大器占空比效应分析与研究
Analysis and Study of the Duty Ratio Effects on the Class-EM Power Amplifier Including MOSFET Nonlinear Gate-to-Drain and Drain-to-Source Capacitances
| 作者 | Mohsen Hayati · Hamed Abbasi · Marian K. Kazimierczuk · Hiroo Sekiya |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年12月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | PWM控制 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | E/M类功率放大器 占空比 非线性寄生电容 MOSFET 功率损耗 效率 开关波形 |
语言:
中文摘要
本文研究了占空比变化对Class-EM功率放大器的影响，重点考虑了MOSFET非线性寄生电容（栅漏和漏源电容）。占空比是影响开关电压电流波形、输出功率、效率、功率损耗及输出相移的关键参数。
English Abstract
In this paper, the effects of the duty ratio variation on the class-EM power amplifier are studied and analyzed, including nonlinear gate-to-drain and drain-to-source parasitic capacitances. The duty ratio is one of the important parameters in class-EM power amplifiers, which has high effects on the switch voltage and current waveforms, output power, efficiency, power loss, and output phase shift....
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SunView 深度解读
Class-EM功率放大器属于高频软开关技术范畴，其对MOSFET寄生参数的精确建模与占空比优化对提升变换器效率至关重要。对于阳光电源而言，该研究中关于非线性电容建模的方法论，可应用于高频化趋势下的组串式光伏逆变器及微型逆变器研发，有助于优化功率模块的开关损耗，提升整机效率。此外，在电动汽车充电桩的高频DC-DC变换环节，该分析方法可辅助工程师更精准地设计驱动电路与死区时间，从而提升功率密度与可靠性。