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寄生元件对电压降的影响及开关阻抗逆变器的设计考虑
Effect of Parasitic Components in Voltage Drop and Design Consideration of the Switched Impedance Inverter
Mohsen Hasan Babayi Nozadian · Dmitri Vinnikov · Hamed Mashinchi Maheri · IET Power Electronics · 2025年4月 · Vol.18
本文研究了寄生元件对电压增益退化的影响，通过采用非理想阻抗源逆变器模型，计算了所有元件的电压和电流关系。在量化电压降落的基础上，可确定补偿电压跌落所需的占空比，为开关阻抗逆变器的设计提供理论依据。
解读: 该研究对阳光电源的逆变器产品设计具有重要参考价值。寄生元件导致的电压降问题在SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中普遍存在,尤其在大功率密度设计时更为突出。通过非理想阻抗源建模和电压补偿策略,可以优化SG350HX等高功率组串式逆变器的电压增益特性,提升系统效率。这对于提高1500V系统的电压利用...
基于Watkin-Johnson拓扑的无输入电流纹波二次型变换器
Ripple-Free Input Current Quadratic Converter Based on Watkin–Johnson Topology
Brenda Lizeth Reyes-García · Pedro Martín García-Vite · Hector R. Robles-Campos · Marco Antonio Coronel-García 等6人 · IET Power Electronics · 2025年9月 · Vol.18
本文提出一种基于Watkin-Johnson拓扑的电力电子变换器，可在实现高电压增益的同时保持高质量的输入电流特性。该变换器通过在特定占空比下以反相方式从电源提取两个电感电流，实现输入电流纹波为零的技术目标。该方法有效抑制了输入电流的脉动，提升了电磁兼容性与系统效率，适用于对输入电流质量要求较高的高增益应用场景。
解读: 该无纹波输入电流二次型变换器技术对阳光电源车载OBC充电机和充电桩产品具有重要应用价值。Watkin-Johnson拓扑通过反相电感电流抵消实现零输入纹波，可直接应用于电动汽车充电系统的功率因数校正（PFC）级，有效降低对电网的谐波污染，满足IEC 61000-3-2标准要求。其高电压增益特性适合4...
基于耦合电感和电流馈电倍压器的高升压软开关变换器
A High Step-Up Soft-Switched Converter Based on Coupled Inductor and Current-Fed Voltage Multiplier
Koosha Choobdari Omran · Reza Beiranvand · Pourya Shamsi · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月
提出一种结合耦合电感CI和倍压器VM技术的新型非隔离DC-DC变换器。CI的漏感能量被有效回收，所有开关和二极管实现软开关条件。CI漏感与VM电容间的谐振提供软开关条件，无需独立谐振槽。VM级不仅降低半导体元件电压应力，还允许使用低压额定器件，从而降低导通损耗、成本并提高效率。通过适当调节开关占空比、CI匝比和VM级数可实现高电压增益，提供三个设计自由度。详细介绍了工作原理、稳态分析、元件应力、设计指南和性能比较。在最坏情况条件下实施并测试了输入电压范围40-50V、输出电压1kV、200kHz...
解读: 该高升压软开关变换器研究对阳光电源DC-DC变换器技术创新有重要参考价值。耦合电感回收漏感能量和无需独立谐振槽实现软开关的设计可应用于阳光PowerTitan储能系统的双向DC-DC模块，提高效率和降低成本。三个设计自由度（占空比、匝比、VM级数）提供的灵活性符合阳光ST系列储能变流器和SG系列光伏...
采用外部吸收电容与升压电容的SiC JFET/Si IGBT级联器件开关可控性
Switching Controllability for SiC JFET/Si IGBT Cascode With External Absorption and Boost Capacitors
Zhenhui Wu · Rongzhou Zeng · Shengchang Lei · Linyuan Liao 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年5月
硅绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）在高功率系统中至关重要，但其较大的开关损耗限制了应用。本文受SiC JFET/Si MOSFET级联结构启发，提出并验证了一种SiC JFET与低压Si IGBT级联结构（L.SSIC）。该结构在导通状态下具有更强的电流导通能力，但仍存在严重的关断拖尾电流。为此，引入吸收电容和升压电容以优化开关瞬态并抑制拖尾电流。实验与TCAD仿真表明，在600 V/60 A条件下，L.SSIC的开关损耗较传统Si IGBT降低42.5%；在80 A、200 kHz下，其功...
解读: 该SiC JFET/Si IGBT级联结构技术对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。L.SSIC方案在600V/60A工况下开关损耗降低42.5%，在高频应用中功率损耗优于传统方案，可直接应用于ST系列储能变流器和车载OBC充电机的功率模块设计。外部吸收电容与升压电容抑制拖尾电流的方法，为阳光电源...