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拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 ★ 3.0

非最优工作条件下具有非线性并联电容的E/F3类功率放大器的设计与分析

Design and Analysis of Class E/F3 Power Amplifier with Nonlinear Shunt Capacitance at Nonoptimum Operation

作者 Mohsen Hayati · Akram Sheikhi · Andrei Grebennikov
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2015年2月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★ 3.0 / 5.0
关键词 E/F3类功率放大器 非线性并联电容 非最优运行 电力电子 高频设计 电路拓扑
语言:

中文摘要

本文推导了在50%占空比下,满足非最优工作条件的非线性并联电容E/F3类功率放大器的解析表达式。研究表明,通过引入相位偏移和直流电源电压作为设计变量,该拓扑增加了设计自由度,有助于优化高频功率变换器的效率与性能。

English Abstract

This paper presents analytical expressions for the Class-E/F 3 power amplifier with a nonlinear shunt capacitor for satisfying the nonoptimum condition at 50% duty ratio. The design parameters for achieving the nonoptimum condition are expressed as a function of the phase shift and dc supply voltage. The Class-E/F 3 amplifier with nonoptimum condition increases one design degree of freedom compare...
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SunView 深度解读

该研究探讨的高频高效功率放大器拓扑及非线性电容处理技术,主要应用于高频开关电源及射频前端领域。对于阳光电源而言,虽然目前核心业务集中在光伏逆变器和储能变流器(PCS),但随着功率密度提升和宽禁带半导体(SiC/GaN)的广泛应用,高频化是未来的关键趋势。该技术可为阳光电源在下一代高功率密度组串式逆变器或微型逆变器的辅助电源设计、以及高频驱动电路优化提供理论参考,有助于进一步减小磁性元件体积,提升系统集成度。