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寄生电容非线性对E/F3类功率放大器分析与设计的影响
Effect of Nonlinearity of Parasitic Capacitance on Analysis and Design of Class E/F3 Power Amplifier
| 作者 | Mohsen Hayati · Akram Sheikhi · Andrei Grebennikov |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年8月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | E/F3类功率放大器 非线性并联电容 寄生电容 功率输出能力 开关电压 解析分析 |
语言:
中文摘要
本文分析并比较了占空比为50%时，非线性与线性并联电容对E/F3类功率放大器的影响。文中提出了针对非线性及线性并联电容的解析分析方法，并探讨了其对功率放大器性能的影响，包括串联电抗、开关峰值电压及输出功率能力等关键参数。
English Abstract
In this paper, the analysis and comparison of a Class-E/F3 power amplifier with nonlinear and linear shunt capacitance at 50% duty ratio are presented. An analytical analysis for nonlinear and linear shunt capacitance is presented, and its effects on the performance of the power amplifier are discussed. The different parameters, such as series reactance, peak switch voltage, and power output capab...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于高频功率放大器中的非线性寄生电容效应，对于提升阳光电源在下一代高功率密度光伏逆变器及储能变流器（PCS）中的开关性能具有参考价值。随着宽禁带半导体（如SiC、GaN）在阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统中的广泛应用，器件寄生参数的非线性对高频开关损耗及EMI设计影响显著。建议研发团队在进行高频拓扑优化时，引入非线性电容模型以提高仿真精度，从而进一步优化逆变器效率并缩小功率模块体积，提升产品竞争力。