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控制与算法 强化学习 微电网 光储一体化 ★ 4.0

集成能源系统的双尺度优化:一种基于MAPPO的混合博弈均衡新方法

Dual-scale optimization of integrated energy systems: a novel MAPPO-based approach for hybrid game equilibrium

Wenzhuo Li · Donghe Li · Shuo Hou · Huan Xi 等6人 · Applied Energy · 2026年4月 · Vol.409

本文提出一种基于多智能体近端策略优化(MAPPO)的双尺度协同优化框架,用于求解源-网-荷-储多主体参与下的集成能源系统混合博弈均衡问题,提升系统经济性与稳定性。

解读: 该MAPPO驱动的双尺度优化方法可深度赋能阳光电源iSolarCloud智能运维平台及PowerTitan储能系统能量管理,尤其适用于光储一体化电站的日前-实时协同调度。建议将该算法嵌入ST系列PCS的本地边缘控制器,结合iSolarCloud云侧优化,实现多站群级调峰调频协同;同时适配户用Powe...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中诱导的陷阱浓度深度分布

Depth profile of trap concentration induced by heavy ion irradiation in 4H-SiC Schottky barrier diode

Xueqiang Yu · Xiaodong Xu · Hao Jiang · Lei Wu · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文研究了重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中引入的缺陷陷阱浓度随深度的分布特性。通过变能量重离子辐照结合深能级瞬态谱技术,获得了不同深度处的陷阱浓度分布,并分析了主要缺陷能级(如Z1/Z2和HK中心)的形成机制与空间演化规律。结果表明,陷阱浓度分布与离子射程及电子/核能损密切相关,缺陷峰值区域位于近表面至几个微米深度范围内。该研究为理解SiC器件在高能粒子环境下的退化机理提供了实验依据。

解读: 该研究对阳光电源SiC功率器件的可靠性设计具有重要指导意义。研究揭示的重离子辐照导致的缺陷分布特性,直接关系到我司ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的辐照耐受性。特别是在航天级和核电站配套的高可靠性产品中,需要充分考虑这种缺陷效应对器件性能的影响。基于该研究成果,我们可以优化SiC器...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导

Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET

Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应,显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性,从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明,极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导,提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。

解读: 该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性,可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能,有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中,该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时,增强型p-FET的...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有稳定阈值电压和显著降低界面态密度的Al2O3/原位生长GaON栅介质GaN MIS-HEMT

Al2O3/ _in situ_ GaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced interface state density

Tian Luo · Sitong Chen · Ji Li · Fang Ye 等7人 · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

本文报道了一种采用Al2O3与原位生长GaON复合栅介质的GaN基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。该结构通过原子层沉积Al2O3与氮等离子体原位处理形成的高质量GaON界面层,有效抑制了界面态密度。实验结果表明,器件具备稳定的阈值电压(VTH)和显著降低的界面态密度,提升了动态可靠性与开关性能。该方法为高性能GaN功率器件的栅介质优化提供了可行方案。

解读: 该GaN MIS-HEMT栅介质优化技术对阳光电源的高频化产品升级具有重要价值。稳定的阈值电压和低界面态密度特性可显著提升GaN器件在SG系列1500V组串式逆变器和ST系列储能变流器中的开关性能和可靠性。特别是在高频PWM控制场景下,可减少开关损耗,提高系统效率。这一技术可用于优化新一代车载OBC...

可靠性与测试 热仿真 多物理场耦合 可靠性分析 ★ 4.0

基于多孔涂层平板热管的被动式两相浸没冷却实现单芯片超1000 W散热

Passive two-phase immersion cooling achieving over 1000 W per chip via porous coated flat plate heat pipes

Junzhao Lu · Yu Ma · Haojie Zhou · Ji Li · Energy Conversion and Management · 2026年4月 · Vol.353

本文提出一种集成多孔涂层的平板热管结构,结合被动式两相浸没冷却技术,显著提升高功率密度电力电子芯片的散热能力,实测单芯片散热功率超1000 W,具备高可靠性、无运动部件、低维护优势。

解读: 该技术可显著提升阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能变流器及组串式逆变器中SiC功率模块的散热效率与长期运行可靠性。尤其适用于高温工况下的户用及工商业光储系统,建议在下一代高功率密度(≥300 kW)液冷型PCS和户外型集中式逆变器中开展热管-浸没耦合散热方案验证,以替代传统风冷/液冷板...

储能系统技术 储能变流器PCS 多物理场耦合 热仿真 ★ 5.0

面向储能电池热管理的拓扑优化设计三材料液冷板

Topology optimization-devised tri-material liquid cooling plate for energy storage battery thermal management

Xiang-Wei Lin · Menglin Yu · Xin-Yi Lin · Zhi-Jun Li 等6人 · Energy Conversion and Management · 2026年4月 · Vol.354

本文提出一种基于拓扑优化的三材料液冷板设计方法,提升储能电池包的温度均匀性与散热效率,通过多目标优化平衡压降、热阻和制造约束,结合实验验证其在高倍率充放电下的热管理性能。

解读: 该研究直接支撑阳光电源PowerTitan和ST系列PCS配套的液冷储能系统热设计升级。三材料液冷板可集成于PowerTitan标准舱体,显著改善电芯温差(<2℃),延长循环寿命,适配高功率充放电场景。建议在下一代ST-3450K-H/ST-5000K-H PCS中嵌入该冷却结构,并与iSolarC...

光伏发电技术 SiC器件 ★ 5.0

MoS2/SiC异质结的能带对齐及其超高整流比和光伏效应

Band alignment of MoS2/SiC heterojunctions with ultrahigh rectifying ratio and photovoltaic effect

Binbin Ding · Qian Liu · Yu Zhou · Boyi Bai 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

本文研究了MoS2/SiC异质结的能带对齐特性,该结构表现出极高的整流比和显著的光伏效应。通过精确调控界面特性,实现了优异的电学性能和光响应特性。实验结果表明,该异质结具有清晰的能带偏移和良好的载流子分离效率,在可见光至近红外波段展现出高效的光电转换能力。该研究为二维/宽禁带半导体异质结构在高性能光电器件中的应用提供了重要依据。

解读: 该MoS2/SiC异质结研究对阳光电源SiC功率器件应用具有重要参考价值。超高整流比特性可优化ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的SiC MOSFET性能,降低反向漏电流,提升系统效率。能带工程方法为功率模块界面优化提供理论依据,可改善器件开关特性和热稳定性。光伏效应研究启发在三电平拓扑中探索...

光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

将半透明有机光伏器件转化为引发积极情绪反应的催化剂

Transforming semitransparent organic photovoltaics into catalysts for positive emotional responses

Zonghao Wu · Jiangsheng Yu · Wenxiao Wu · Zhenzhen Zhao 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

本研究提出一种创新思路,通过调控半透明有机光伏(ST-OPV)器件的光学与电学性能,使其不仅具备能量转换功能,还可作为激发人类积极情绪反应的光环境调节器。实验结合心理物理学评估与器件优化,验证了特定光谱输出的ST-OPV在自然光模拟中的情感促进作用,揭示了光伏技术在人因工程与健康照明领域的跨学科应用潜力。

解读: 该半透明有机光伏(ST-OPV)情感调控技术为阳光电源光伏建筑一体化(BIPV)产品提供跨学科创新思路。虽然当前SG系列逆变器主要服务晶硅组件,但ST-OPV的光谱调控理念可启发智能建筑场景应用:结合iSolarCloud平台,通过MPPT算法优化实现发电效率与室内光环境的动态平衡;在工商业储能系统...

功率器件技术 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

具有AlN超晶格背势垒的SiC衬底双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管

Double-channel AlGaN/GaN Schottky barrier diode with AlN super back barrier on SiC substrate

Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒,有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展,增强了载流子 confinement 效应,提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明,器件具有较低的开启电压和高电流密度,同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。

解读: 该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和...

储能系统技术 SiC器件 深度学习 ★ 5.0

用于设计高储能性能聚合物纳米复合材料的相场模拟物理信息神经网络

Physics-informed neural networks for phase-field simulation in designing high energy storage performance polymer nanocomposites

Qiao Li · Tan Zeng · Hongxiao Yang · Jun Ma 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

本文提出一种基于物理信息神经网络(PINNs)的相场模拟方法,用于高效设计高能量存储性能的聚合物纳米复合材料。该方法融合深度学习与相场模型,通过嵌入控制方程和物理约束,显著提升计算效率并准确预测纳米复合材料中电畴演化与界面效应。结合实验验证,所提模型可优化填料分布与微观结构,实现高储能密度与低损耗。研究为多功能介电材料的设计提供了新范式。

解读: 该物理信息神经网络相场模拟技术对阳光电源储能系统的介电材料设计具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统中,高能量密度电容器是直流母线支撑和滤波的关键器件,该技术可优化聚合物薄膜电容的填料分布与微观结构,提升储能密度并降低介电损耗,直接改善功率密度和系统效率。结合SiC...

系统并网技术 并网逆变器 弱电网并网 跟网型GFL ★ 5.0

基于非对称采样扰动的变换器通用阻抗测量方法

Asymmetric Sampling Disturbance-Based Universal Impedance Measurement Method for Converters

Quansen Rong · Pengfei Hu · Longyue Wang · Yujing Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文提出了一种针对并网变换器(GCC)的通用阻抗测量方法,通过在采样过程中注入非对称扰动实现。该方法无需额外的物理扰动源或控制系统先验知识,仅需两个采样通道即可完成测量,具有低成本、易实现的特点,为评估并网稳定性提供了高效手段。

解读: 该技术对阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器、储能变流器(PCS)具有重要应用价值。在弱电网环境下,逆变器与电网的交互稳定性是核心挑战,传统的阻抗测量往往依赖复杂的硬件注入或精确的控制模型。该非对称采样扰动法无需额外硬件,可直接集成于iSolarCloud智能运维平台或逆变器固件中,实现对电站现场阻抗...

拓扑与电路 多电平 并网逆变器 储能变流器PCS ★ 4.0

星型级联H桥STATCOM消除涌流的启动控制

Startup Control to Eliminate Inrush Current for Star-Connected Cascaded H-Bridge STATCOM

Daorong Lu · Yu Yu · Miaoyu Wei · Xiang Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

软启动对星型级联H桥(CHB)STATCOM的运行至关重要。传统启动阶段仅涉及不可控整流,通过串联电阻限制涌流。然而,由于启动阶段直流电压充电不足,在进入正常运行模式时会产生二次涌流。本文提出了一种新型启动控制策略,旨在有效消除该涌流,确保系统平稳过渡。

解读: 该研究针对级联H桥(CHB)拓扑在启动过程中的涌流问题,对于阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能变流器(如PowerTitan系列)具有重要的参考价值。CHB拓扑常用于中高压大功率并网设备,有效的软启动控制策略能显著提升设备在复杂电网环境下的可靠性,减少对功率器件的冲击,降低硬件保护成本。建议研发团...

拓扑与电路 多电平 并网逆变器 PWM控制 ★ 4.0

用于星型级联H桥STATCOM扩展负序电流补偿范围的柔性非正弦零序电压注入方法

Flexible Nonsinusoidal Zero Sequence Voltage Injection Method to Extend Negative Sequence Current Compensation Range for Star-Connected CHB STATCOM

Daorong Lu · Chenxing Sha · Yu Yu · Xiang Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月

针对星型级联H桥(SCHB)STATCOM在补偿负序电流时,传统零序电压注入导致输出电压升高、限制补偿范围(NCCR)的问题,本文提出了一种柔性非正弦零序电压注入方法。该方法通过优化注入波形,有效降低了过调制风险,从而显著扩展了STATCOM在不平衡电网下的负序电流补偿能力。

解读: 该技术对阳光电源的大型集中式光伏逆变器及电网侧储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。在弱电网或电网电压不平衡场景下,STATCOM功能是提升系统并网稳定性的关键。通过采用文中提出的非正弦零序电压注入策略,可以优化级联多电平逆变器的直流侧电压平衡控制,在不增加硬件成本的前提下,提升设...

智能化与AI应用 微电网 功率模块 故障诊断 ★ 3.0

一种用于分布式电网中开关磁阻电机电力线数据通信的新型功率与信号复合调制方法

A Novel Power and Signal Composite Modulation Approach to Powerline Data Communication for SRM in Distributed Power Grids

Dongsheng Yu · Kecheng Li · Shenglong Yu · Hieu Trinh 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月

电力线通信是实现电网智能化的关键技术。本文针对分布式电网中基于开关磁阻电机(SRM)的系统,提出了一种新型功率与信号复合调制(PSCM)策略,旨在实现电力线上的高效数据传输,提升分布式能源系统的智能化水平。

解读: 该技术探讨了电力线通信(PLC)在分布式电力系统中的应用,对于阳光电源的iSolarCloud智能运维平台具有潜在参考价值。虽然目前阳光电源的核心业务集中在光伏和储能,但随着微电网和分布式能源系统的复杂化,电力线通信可作为一种低成本的通信方案,用于逆变器或储能系统(如PowerTitan/Power...

拓扑与电路 充电桩 储能变流器PCS 双向DC-DC ★ 5.0

一种无升压电感、无电解电容的单级双向隔离式AC-DC变换器

A Boost-Inductorless Electrolytic-Capacitorless Single-Stage Bidirectional Isolated AC–DC Converter

Yutan Zhang · Wendi Song · Weijie Hua · Guoce Li 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

随着宽禁带器件的发展,双向隔离式AC-DC变换器成为电动汽车充电和储能应用中实现高功率密度和高效率的理想方案。针对现有单级或两级变换器中升压电感循环电流损耗大的问题,本文提出了一种新型拓扑,通过去除升压电感和电解电容,显著提升了系统的紧凑性和可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及储能系统(如PowerTitan、PowerStack)具有重要参考价值。通过去除升压电感和电解电容,不仅能有效减小PCS模块的体积,提升功率密度,还能规避电解电容寿命瓶颈,显著增强系统在极端环境下的可靠性。建议研发团队评估该拓扑在中小功率充电桩及户用储能PCS中的...

拓扑与电路 PFC整流 功率模块 充电桩 ★ 4.0

基于自偏置阻抗补偿的宽负载范围紧凑型整流器

Compact Rectifier With Wide Range of Output Load Based on Self-Bias Impedance Compensation

Pengde Wu · Yuxin Li · Yi-Dan Chen · Peng-Yu Yu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

整流器效率常受负载和输入功率波动影响。本文提出一种基于自偏置阻抗补偿(SBIC)的紧凑型整流器,通过在低负载和高负载区域运行的两个子整流器之间进行动态阻抗补偿,有效提升了宽负载范围下的转换效率。

解读: 该技术通过自偏置阻抗补偿优化了整流器在全负载范围内的效率表现,对阳光电源的电动汽车充电桩产品线具有重要参考价值。充电桩在实际运行中常处于轻载或变载状态,引入SBIC技术可显著提升整流模块的平均转换效率,降低待机及低功率输出时的损耗。此外,该方案强调的“紧凑型”设计符合当前充电模块高功率密度化的发展趋...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于结构函数法与静态-脉冲I–V测量的射频HEMT用GaN-on-Si材料热阻优化

Thermal resistance optimization of GaN-on-Si materials for RF HEMTs based on structure function method and static-pulsed I–V measurements

Qingru Wang · Yu Zhou · Xiaozhuang Lu · Xiaoning Zhan · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

针对射频高电子迁移率晶体管(RF HEMT)应用的GaN-on-Si材料,提出一种结合结构函数法与静态-脉冲I–V测量的热阻优化方法。通过提取不同器件结构下的瞬态热响应,利用结构函数分析热阻抗分布特征,识别主要热瓶颈。结合静态与脉冲I–V特性测量,量化自热效应并评估有效热阻。据此优化外延层结构与衬底工艺,显著降低器件热阻,提升散热性能与可靠性,为高性能GaN基射频器件的设计与制造提供指导。

解读: 该研究对阳光电源GaN器件应用有重要参考价值。结构函数法与静态-脉冲I-V测量相结合的热阻优化方法,可直接应用于SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的GaN功率模块设计。通过优化外延层结构与衬底工艺,可显著提升GaN器件散热性能,有助于实现更高功率密度的产品设计。这对提高阳光电源新一代1500...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 4.0

基于推挽式DAB的单级矩阵型固态变压器

Single-Stage Matrix-Type Solid-State Transformer Based on Push–Pull DAB

Tianshi Yu · Hui Wang · Zhengmei Lu · Li Jiang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文提出了一种单级矩阵型固态变压器,在原边集成工频整流与高频半桥共用滤波电容,在副边采用改进型推挽式双有源桥(DAB)以消除漏感影响,并配置全桥工频逆变器。该拓扑通过优化电路结构,有效降低了对电解电容的依赖,提升了系统的功率密度与可靠性。

解读: 该技术提出的改进型推挽式DAB及单级矩阵变换架构,对阳光电源的储能变流器(PCS)及下一代固态变压器研发具有重要参考价值。特别是在PowerTitan等大型储能系统中,通过消除漏感效应和减少电解电容使用,可显著提升变换器效率并延长系统寿命。建议研发团队评估该拓扑在提升功率密度方面的潜力,并探索其在高...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于HfAlOx电荷俘获层介质与原位O3处理的InAlN/GaN MIS-HEMT器件栅极漏电流和击穿电压的改善

Improved gate leakage current and breakdown voltage of InAlN/GaN MIS-HEMTs by HfAlOx-based charge-trapping layer dielectric and _in situ_ O3 treatment

Fangzhou Du · Yang Jiang · Hong Kong · Peiran Wang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种通过引入HfAlOx基电荷俘获层介质并结合原位O3处理,显著改善InAlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)性能的方法。该工艺有效抑制了栅极漏电流,同时提升了器件的击穿电压。HfAlOx层可捕获界面正电荷,降低电场峰值,而原位O3处理则优化了介质/半导体界面质量,减少缺陷态密度。实验结果表明,器件的栅极泄漏电流显著降低,反向击穿电压大幅提高,为高性能GaN基功率器件的研制提供了可行的技术路径。

解读: 该研究的HfAlOx介质与O3处理工艺对阳光电源的GaN功率器件开发具有重要参考价值。通过降低栅极漏电流和提高击穿电压,可显著提升GaN器件在高频应用场景下的可靠性,特别适用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频DC-DC模块。该技术可优化阳光电源产品的功率密度和转换效率:在光伏逆变器中可实...

拓扑与电路 储能变流器PCS 双向DC-DC 并网逆变器 ★ 4.0

基于反向耦合电感的单级双向隔离式DC-AC变换器

Novel Single-Stage Bidirectional Isolated DC–AC Converter Based on Inversely Coupled Inductor

Chuang Liu · Yu Jiang · Zhongchen Pei · Mengxue Shen 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文提出了一种基于反向耦合电感的新型单级双向隔离式DC-AC变换器,适用于级联DC-AC固态变压器拓扑。该方案通过简单的调制策略实现了直接的单级功率传输,并详细阐述了其工作原理。

解读: 该拓扑通过反向耦合电感实现单级功率变换,显著简化了电路结构并提升了功率密度,这对阳光电源的储能变流器(如PowerTitan系列)及固态变压器技术具有重要参考价值。单级变换架构有助于减少功率器件数量,降低系统损耗,从而提升储能系统的整体效率。建议研发团队评估该拓扑在工商业储能及中压并网场景下的应用潜...

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