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基于多通道结构的高电流密度GaN基P沟道FinFET演示
Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure
Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126
本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓(GaN)P沟道FinFET器件,实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布,有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明,该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出,最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。
解读: 该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性...
具有三态能量转换的可编程矩阵阵列热电系统
Programmable Matrix-Array Thermoelectric System With Tri-State Energy Conversion
Ning Wang · Hong-Tao Huang · Lei Zhang · Shu-Xi Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
本文提出了一种矩阵排列的热电可编程控制系统。该系统通过灵活重构矩阵中每个热电模块的功能,克服了传统热电系统单向能量流和功能固定的局限性。通过构建制冷/制热/能量回收的三态可重构拓扑,实现了分布式能量管理与热控制。
解读: 该技术涉及热电转换与分布式能量管理,与阳光电源现有的光伏逆变器及储能系统(如PowerTitan、PowerStack)的核心功率变换逻辑存在差异。虽然目前热电转换在公司主流业务中应用较少,但其“三态可重构拓扑”和“分布式控制”理念对未来储能系统内部的电池热管理(BTMS)及功率模块的集成化设计具有...
一种用于水声换能器的混合阻抗匹配网络
A Hybrid Impedance Matching Network for Underwater Acoustic Transducers
Wei Tian · Lei Wang · Jiawen Yu · Yuan Lv 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
水声换能器(UAT)是一种非线性电抗负载。本文提出了一种结合无源与有源阻抗匹配的混合阻抗匹配网络(HIMN),旨在解决传统匹配方法在处理非线性负载时的局限性,优化功率放大器与换能器之间的能量传输效率。
解读: 该文献探讨的混合阻抗匹配技术主要针对非线性电抗负载的能量传输优化。虽然阳光电源的核心业务(光伏、储能、风电)主要处理电网侧的线性或准线性负载,但该技术中关于“有源+无源”混合匹配的思想,可为公司在极端工况下的功率模块驱动优化提供参考。特别是在储能变流器(PCS)或高频功率变换器的输出滤波与阻抗匹配设...
基于网络深度迁移学习的无通信IPT系统恒流/恒压充电控制
Constant Current/Voltage Charging Control for Communication-Free IPT Systems via Network-Based Deep Transfer Learning
Yilin Liu · Pan Sun · Jun Sun · Zhuangsheng Xiao 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文针对无通信感应电能传输(IPT)系统,提出了一种基于深度迁移学习的恒流/恒压充电控制策略。该方法旨在解决传统参数辨识方法在互感和负载电阻估计中存在的误差问题,通过深度学习模型提高控制精度与响应速度,实现无需通信链路的稳定充电控制。
解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。目前充电桩行业正向无线充电(IPT)领域拓展,该研究提出的无通信控制策略能有效降低系统复杂度和成本,提高充电的鲁棒性。建议研发团队关注其在车载无线充电模块中的应用,通过引入深度迁移学习算法,优化充电桩在不同负载和耦合条件下的输出特性,提升用户充电...
G2V/V2L模式下车载双向AC-DC变换器的交流侧稳定性分析
AC-Side Stability Analysis of On-Board Bidirectional AC–DC Converters in G2V/V2L Modes
Jinmeng Wu · Shengren Yong · Yuan Shu · Lei Gao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文研究了带LC滤波器的双向AC-DC变换器在六种工况下的交流侧稳定性,涵盖了从强电网到弱电网的正向运行(G2V),以及电阻、电感、电容负载下的反向运行(V2L)。文章推导了各工况下的不稳定边界,为车载充电机在复杂电网环境下的稳定控制提供了理论支撑。
解读: 该研究对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着V2L(车对负载)和V2G(车对电网)技术的普及,充电桩作为双向能量交互接口,其在弱电网或复杂负载下的稳定性至关重要。本文提出的稳定性分析方法可直接应用于公司充电桩产品的控制算法优化,提升产品在不同电网阻抗下的鲁棒性。此外,该研究中关于LC滤...
混合锂电池轮胎式集装箱起重机
RTG)的能源系统选型
Wangqiang Niu · Xixia Huang · Feng Yuan · Nigel Schofield 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月
本文研究了轮胎式集装箱起重机(RTG)的能源系统选型。RTG起重机具有显著的功率波动特性,包括驱动、回馈及待机工况。通过引入锂电池储能系统,可有效平抑峰值功率需求,优化原动机选型,降低能耗并提升系统运行效率。
解读: 该研究探讨了储能系统在工业重型设备(RTG起重机)中的削峰填谷应用,与阳光电源的PowerStack及PowerTitan系列储能系统高度契合。RTG起重机频繁的充放电循环对PCS的功率响应速度和双向变流能力提出了高要求。建议阳光电源在工业园区微电网方案中,利用PowerStack的高功率密度特性,...
高功率SiC MOSFET模块与Si IGBT模块的性能评估
Performance Evaluation of High-Power SiC MOSFET Modules in Comparison to Si IGBT Modules
Lei Zhang · Xibo Yuan · Xiaojie Wu · Congcong Shi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年2月
本文对比了SiC MOSFET与Si IGBT在功率电子应用中的性能。通过对325A、1700V SiC MOSFET模块在不同负载电流、母线电压及栅极电阻条件下的全面特性测试,分析了SiC器件在提升中低压、高功率应用效率及开关速度方面的潜力,为替代传统Si IGBT提供了实验依据。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率器件选型策略。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进,SiC MOSFET替代Si IGBT是提升系统效率、减小散热器体积的关键路径。建议研发团队参考文中的特性测试方法,针对1700V SiC模块在高温、高频工况下的损耗特性进行深入评估,...
高温存储应力
HTSS)对高压4H-SiC结势垒肖特基二极管退化的影响
Shuai Yang · Yuming Zhang · Qingwen Song · Xiaoyan Tang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月
本文研究了高温存储应力(HTSS,高达275°C)对高压4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管在空气环境下的热稳定性影响。通过详细分析HTSS测试后二极管电参数的漂移,揭示了其退化机制,为宽禁带半导体器件的长期可靠性评估提供了重要参考。
解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)中SiC功率模块的可靠性。随着公司产品向高功率密度、高工作温度方向迭代,SiC JBS二极管在极端环境下的退化机制研究至关重要。建议研发团队参考该HTSS测试方法,建立SiC器件的长期热应力失效模型,优化...
考虑副边寄生电感的LLC变换器低压大电流同步整流控制研究
Research on Low-Voltage High-Current Synchronous Rectification Control for LLC Converter Considering Secondary-Side Parasitic Inductors
Jinmeng Wu · Yuan Shu · Shengren Yong · Xinyu Yin 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文针对LLC谐振变换器在低压大电流应用场景下,因副边寄生电感导致传统同步整流(SR)控制出现开关管导通延迟和关断过早的问题进行了研究。通过建立考虑寄生参数的精确模型,提出了优化控制策略,旨在降低变换器损耗并提升系统效率。
解读: 该研究直接关联阳光电源的储能变流器(PCS)及户用光伏逆变器产品线。在PowerStack和PowerTitan等高功率密度储能系统中,DC-DC环节常采用LLC拓扑以实现软开关。随着系统向低压大电流方向演进,副边寄生电感对同步整流精度的影响显著。该文提出的控制优化方案可有效提升变换器在满载及重载工...
超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体材料在功率MOSFET中的研究进展
Progress of Ultra-Wide Bandgap Ga2O3 Semiconductor Materials in Power MOSFETs
Hongpeng Zhang · Lei Yuan · Xiaoyan Tang · Jichao Hu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月
作为一种极具潜力的超宽禁带半导体,β相氧化镓(Ga2O3)凭借其4.8 eV的带隙、8 MV/cm的理论击穿电场及优异的巴利加品质因数,在电力电子领域备受关注。本文综述了其在二极管及场效应晶体管等下一代高功率电子器件中的应用前景与研究进展。
解读: 氧化镓作为下一代超宽禁带半导体材料,其击穿电场远超SiC和GaN,是实现更高功率密度和更高电压等级功率模块的关键技术储备。对于阳光电源而言,该技术若实现商业化,将显著提升组串式逆变器和PowerTitan系列储能变流器(PCS)的功率密度,并进一步降低损耗。建议研发团队持续跟踪其热管理及衬底制备技术...
具有电压平衡能力的宽电压范围RMS电流优化控制的DAB变换器在线数字实现
Online Digital Implementation of Wide Voltage Range RMS-Current-Optimized Control With Voltage Balancing Capability for DAB Converter
Jiangpeng Yang · Zeliang Shu · Tianxiang Wang · Shibiao Xiang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月
双有源桥(DAB)变换器广泛应用于具有宽输入电压特性的可再生能源系统中。不当的占空比会导致电感均方根(RMS)电流增大,从而降低效率。本文提出了一种面向效率优化的三移相(OTPS)方案,旨在降低DAB变换器的电感RMS电流,并实现电压平衡控制。
解读: DAB变换器是阳光电源储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及光储一体化产品中DC-DC变换级的核心拓扑。该文献提出的OTPS优化方案能显著降低电感RMS电流,直接提升储能变流器(PCS)在宽电压范围下的转换效率,对于提升系统整体能效、降低散热压力具有重要意义。此外,该方案具备...
中压
3300 V-6500 V)Ga2O3与SiC平面栅MOSFET静态及动态性能的对比研究
Zhenghua Wang · Lei Yuan · Bo Peng · Yuming Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文通过TCAD仿真,对比分析了中压(3300-6500V)垂直结构Ga2O3与SiC平面栅MOSFET的结构设计、静态/动态损耗及短路鲁棒性。研究表明,Ga2O3 MOSFET在特定导通电阻方面表现出潜力,为下一代高压功率器件的应用提供了理论依据。
解读: 随着阳光电源在大型地面光伏电站及高压储能系统(如PowerTitan系列)中对更高功率密度和效率的追求,中压功率器件的选型至关重要。目前SiC器件已在阳光电源的组串式逆变器和PCS中广泛应用,而Ga2O3作为超宽禁带半导体,在3300V及以上的高压领域具备理论上的低损耗优势。建议研发团队持续关注Ga...
基于SiC MOSFET的三相两电平逆变器最优非对称变死区时间建模与实现
Modeling and Implementation of Optimal Asymmetric Variable Dead-Time Setting for SiC MOSFET-Based Three-Phase Two-Level Inverters
Lei Zhang · Xibo Yuan · Jiahang Zhang · Xiaojie Wu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月
死区时间设置直接影响SiC MOSFET电压源变换器的效率、电能质量及可靠性。传统固定死区时间在SiC器件输出电容及体二极管续流作用下,会导致严重的输出电压畸变和额外损耗。本文提出了一种最优非对称变死区时间设置方法,通过建模分析有效降低了开关损耗与电压失真,提升了变换器整体性能。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要意义。随着公司产品全面向SiC功率器件切换以提升功率密度和效率,非对称变死区控制技术能有效解决SiC器件在高频开关下的电压畸变问题,进一步降低损耗并提升电能质量。建议研发团队在下一代高频化逆变器及P...
一种基于Qdesat转移检测且具有鲁棒dv/dt抗扰性的高压SiC MOSFET超快短路保护方案
An Ultrafast Short-Circuit Protection for High-Voltage SiC MOSFETs Based on Qdesat-Transfer Detection With Robust dv/dt Noise Immunity
Qiling Chen · Hong Zhang · Dingkun Ma · Tianshu Yuan 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
本文提出了一种针对高压(>3.3 kV)SiC MOSFET的超快短路保护(SCP)方案。通过引入基于Qdesat转移的传感机制,该方案在面对高dv/dt噪声时表现出极强的抗扰性。该方法利用高dv/dt期间转移的Qdesat间接检测漏源电压降幅,从而判断MOSFET是否处于正常导通状态。
解读: 该技术对于阳光电源的高压功率变换产品至关重要。随着公司在大型地面光伏电站及高压储能系统(如PowerTitan系列)中逐步引入更高电压等级的SiC器件,短路保护的响应速度与抗干扰能力直接决定了系统的可靠性。该方案提出的Qdesat转移检测技术能有效解决高压SiC器件在高频开关下的误触发问题,建议研发...
考虑跨季节钻孔热能储存的混合可再生能源-CCHP系统容量优化规划
Optimal Capacity Planning of Hybrid Renewable Energy - CCHP System Considering Inter Seasonal Borehole Thermal Energy Storage
Yuan Du · Yixun Xue · Lei Chen · Mohammad Shahidehpour 等6人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2025年5月
冷热电三联供(CCHP)系统能源利用效率高,通常超过80%。然而,传统CCHP依赖微型燃气轮机,导致碳排放问题。本文设计了一种混合可再生能源-CCHP系统,电力负荷由光伏与风电提供,冷热负荷通过热泵电转热满足。针对可再生能源的季节性波动,引入钻孔热能储存(BTES),将夏季多余能量储于地下供冬季使用。构建了基于决策相关不确定性的两阶段鲁棒优化模型,并采用改进的Benders分解算法求解。通过中国鄂尔多斯实际案例验证方法有效性,分析了BTES集成、不确定性预算及可再生能源比例的影响。
解读: 该混合可再生能源-CCHP系统与阳光电源多产品线深度契合。钻孔热能储存(BTES)的跨季节储能理念可启发ST系列储能系统开发长周期储能解决方案,突破现有电化学储能的时长限制。两阶段鲁棒优化模型可直接应用于PowerTitan大型储能系统的容量配置优化,提升光伏-风电-储能混合系统的经济性。热泵电转热...
基于栅极降压的新型SiC MOSFET短路退化抑制驱动电路
A Novel Gate-Buck-Based Drive Circuit for Mitigating the Degradation of SiC MOSFETs During Short Circuit
Xinsong Zhang · Yizhuan Zheng · Lei Zhang · Xibo Yuan 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月
研究SiC MOSFET短路(SC)容限小导致退化和损坏的主要因素。实验证实短SC时间导致更严重的电压应力,因此仅缩短保护时间不适当。分析硬开关故障(HSF)和负载故障(FUL)差异,单一SC检测难以同时适用两种故障。提出新型栅极降压驱动电路缓解SiC MOSFET退化。该电路将驱动过程分三阶段,通过调整各阶段电压值缓解退化并延长寿命,在短SC保护时间内抑制电压尖峰应力,适用两种SC故障,对开关速度和功率损耗影响最小。
解读: 该SiC短路保护驱动技术对阳光电源SiC器件应用有重要保护价值。栅极降压三阶段驱动方案可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的SiC MOSFET驱动电路设计,提高短路工况下的可靠性和寿命。该技术对PowerTitan大型储能系统和1500V光伏系统的SiC功率模块保护有指导意义,可降低短路故障风险...
考虑储能和需求响应的物联网智慧能源枢纽能量管理
Energy Management Considering Energy Storage and Demand Response for Smart Energy Hub in Internet of Things
Jinyong Lei · Changcheng Zhou · Xiaolin Li · Andi Huang 等6人 · IEEE Access · 2020年2月
本文提出能源系统中智慧能源枢纽SEH与用户间交互的能源优化管理方法。系统中还考虑物联网IoT和储能。首先构建SEH和用户模型,然后讨论储能影响下的利润模型。接下来应用Stackelberg博弈模型,其中SEH作为领导者用户为跟随者。提出双层算法求解问题。最后研究案例验证方法正确性。结果表明该方法可用于综合能源系统的有效能量管理,IoT在信息交换中发挥重要作用。
解读: 该智慧能源枢纽管理技术对阳光电源综合能源服务解决方案有重要应用价值。阳光PowerTitan储能系统可作为能源枢纽核心设备,协调多能源供需。Stackelberg博弈模型的领导者-跟随者机制可应用于阳光虚拟电厂的分层优化控制。双层算法对阳光iSolarCloud平台的多目标优化有借鉴意义。IoT信息...
增强的VCSEL偏振锁定
Enhanced polarization locking in VCSELs
Zifeng Yuan · Dewen Zhang · Lei Shi · Yutong Liu · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126
尽管垂直腔面发射激光器(VCSELs)的光注入锁定(OIL)已得到广泛研究,但其偏振动力学特性关注较少。近期研究表明,通过OIL实现偏振锁定有望应用于偏振编码的伊辛计算机等新型计算领域。然而,VCSEL固有的偏振偏好性和有限的偏振可切换性限制了其在此类应用中的使用。为此,我们设计了特定氧化物孔径结构的VCSEL,并结合偏置电流调谐,系统研究其对偏振锁定性能的影响。实验结果表明,该方法显著降低了所需注入功率(低至3.6 μW),并拓宽了锁定范围。基于自旋翻转模型的理论分析进一步揭示了幅度各向异性和...
解读: 该VCSEL偏振锁定技术对阳光电源储能系统的光纤通信和传感应用具有潜在价值。在PowerTitan大型储能系统中,分布式BMS与PCS间需要高可靠性光纤通信,VCSEL的低功耗偏振锁定特性(3.6μW注入功率)可优化光模块能效。偏振编码技术可增强iSolarCloud云平台与现场设备间的通信抗干扰能...
用于波浪能转换的直线-旋转磁场调制发电机分析
Analysis of A Linear-Rotary Magnetic Field Modulation Generator for Wave Energy Conversion
Yuan Li · Lei Huang · Hui Yang · Minshuo Chen 等6人 · IEEE Transactions on Energy Conversion · 2025年6月
为解决波浪能转换器(WEC)速度低导致的“功率/体积”比或“功率/成本”比低的问题,提出了一种直线-旋转磁场调制发电机(LMFMG)。介绍了LMFMG的三维结构和工作原理。计算了磁齿轮螺杆的气隙磁密,以验证磁场调制原理和增速机制。经过对比分析,给出了LMFMG的优化参数和输出参数。计算了旋转发电机的反电动势、损耗和效率。通过磁场调制,所提出的LMFMG可将0.5 m/s的直线运动转换为10000 rpm的高速旋转运动。与现有WEC相比,所提出的LMFMG具有更高的“功率/体积”比和“功率/成本”...
解读: 从阳光电源的新能源业务布局来看,这项线性-旋转磁场调制发电机技术为公司在海洋能源领域的拓展提供了重要参考价值。该技术通过磁场调制机制,将0.5m/s的低速线性运动转换为10000rpm的高速旋转运动,有效解决了波浪能转换装置长期面临的"功率密度低"和"成本效益差"的核心痛点,这与阳光电源在光伏逆变器...
基于4H-SiC MOSFET的ANN建模用于极端温度应用的SiC放大器设计与验证
Design and Verification of SiC Amplifiers for Extreme Temperature Applications Based on ANN Modeling of 4H-SiC MOSFETs
Wenhao Yang · Yuyin Sun · Mengnan Qi · Shikai Sun 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月
本研究提出了一种基于高精度人工神经网络(ANN)的碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)建模框架,该框架在较宽的温度范围(27 °C - 500 °C)内实现了误差小于1.2%的高精度建模。所开发的模型可对碳化硅集成电路进行可靠的SPICE仿真,有助于高温模拟电路的设计和实验验证。采用pMOS电流源负载的单级共源(CS)放大器在500 °C时的最大低频增益达到25.5 dB,而两级放大器在500 °C时可实现52.5 dB的增益,单位增益带宽(UGBW)为220...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于人工神经网络的SiC MOSFET建模技术具有重要的战略价值。该研究实现了27°C至500°C宽温度范围内误差小于1.2%的高精度器件模型,为极端环境下的功率电子应用提供了可靠的设计工具。 对于光伏逆变器和储能系统而言,该技术的核心价值体现在三个层面:首先,高温工...
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