找到 9 条结果

排序:
可靠性与测试 故障诊断 可靠性分析 ★ 4.0

一种基于电机径向力主动注入的电驱动系统滚动轴承故障在线无损诊断新方法

A Novel Online Noninvasive Diagnosis Approach for Rolling Bearing Faults in Electric Drive System Based on Motor Radial Force Active Injection

Juntao Wang · Zhiyuan Wang · Pinjia Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

针对滚动轴承单点及分布故障诊断灵敏度不足的问题,本文提出了一种基于电机径向力主动注入的在线无损诊断方法。该方法利用轴承系统对缺陷高度敏感的时变径向刚度特性,通过主动注入径向力实现对微小故障的早期精准识别,有效提升了电驱动系统的运行可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的风电变流器及储能系统中的电机驱动部分具有重要参考价值。风电变流器作为风电机组的核心部件,其轴承故障诊断直接影响运维成本。通过主动注入径向力进行在线诊断,可显著提升风电变流器及相关驱动系统的故障预警能力,降低非计划停机风险。建议研发团队关注该方法在iSolarCloud智能运维平台中...

风电变流技术 可靠性分析 故障诊断 风光储 ★ 4.0

轴承阻抗对双馈感应发电机转子绕组绝缘在线状态监测的影响

The Effect of Bearing Impedance on Online Condition Monitoring for Rotor Winding Insulation of Doubly-Fed Induction Generator

Dayong Zheng · Geye Lu · Zhiyuan Wang · Juntao Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

双馈感应发电机(DFIG)在风力发电中至关重要,但其转子绕组绝缘易受变流器高dv/dt电压及机械应力影响而失效。现有方法多侧重于短路故障诊断,缺乏预测能力。本文研究了轴承阻抗对转子绕组绝缘在线监测的影响,旨在提升风力发电机组的可靠性与故障预警能力。

解读: 该研究聚焦于风电核心部件的可靠性监测,与阳光电源风电变流器业务高度契合。风电变流器作为发电机与电网的接口,其输出的高dv/dt电压是导致转子绝缘老化的关键因素。通过深入理解轴承阻抗对监测信号的干扰,阳光电源可在iSolarCloud智能运维平台中集成更精准的故障预警算法,提升风电变流器全生命周期的可...

功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

一种基于MCT大功率半导体器件的新型30 MW固态脉冲功率发生器

A Novel 30 MW Solid-State Pulsed Power Generator Based on MCT High-Power Semiconductor Device

Yingjiang He · Rongrong Tan · Wendong Wang · Xiangyu Liu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

全固态脉冲功率发生器因模块化、小型化及长寿命等优势在国防与民用领域应用广泛。固态开关是其核心组件。本文旨在解决IGBT功率容量限制及SiC MOSFET在高压大电流应用中的瓶颈,提出了一种基于MCT(MOS控制晶闸管)器件的新型30 MW固态脉冲功率发生器设计方案。

解读: 该文献探讨的MCT器件及大功率脉冲发生技术,主要面向高压、高功率密度及高脉冲电流场景,与阳光电源现有的光伏逆变器、PowerTitan储能系统等主流产品在应用场景上有显著差异。目前阳光电源的功率器件选型主要集中在IGBT和SiC MOSFET,以满足高频、高效的并网需求。建议关注该技术在特种电源或未...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

基于GaN IC的有源钳位反激式适配器辐射EMI建模与抑制

Modeling and Reduction of Radiated EMI in a GaN IC-Based Active Clamp Flyback Adapter

Juntao Yao · Yiming Li · Shuo Wang · Xiucheng Huang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月

本文针对基于氮化镓(GaN)集成电路的有源钳位反激变换器,建立了辐射电磁干扰(EMI)模型。文中识别并提取了对辐射EMI影响显著的电容耦合路径,并通过实验验证了模型的准确性。基于该模型,文章进一步提出了针对性的EMI抑制策略,以优化高频GaN变换器的电磁兼容性能。

解读: 随着阳光电源户用光伏逆变器及充电桩产品向高功率密度、高开关频率方向发展,GaN器件的应用日益广泛,但其带来的高频EMI问题是产品认证与可靠性的关键挑战。本文提出的辐射EMI建模方法及电容耦合分析技术,可直接指导阳光电源研发团队在PCB布局设计阶段优化寄生参数,降低EMI噪声源。建议将此建模方法应用于...

拓扑与电路 充电桩 可靠性分析 功率模块 ★ 4.0

汽车非隔离式功率变换器输入输出电缆电压引起的辐射EMI建模、分析与抑制

Modeling, Analysis, and Reduction of Radiated EMI Due to the Voltage Across Input and Output Cables in an Automotive Non-Isolated Power Converter

Juntao Yao · Shuo Wang · Zheng Luo · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文研究了非隔离式功率变换器中输入与输出电缆间电压引起的辐射电磁干扰(EMI)。文章基于电路拓扑、PCB寄生参数、开关波形及传递函数,建立并量化了辐射EMI模型,并进一步开发了天线模型以分析电缆辐射特性。

解读: 该研究对阳光电源的电动汽车充电桩及车载电源业务具有重要参考价值。随着充电桩功率密度提升,高频开关带来的辐射EMI问题日益突出。本文提出的EMI建模与量化方法,可指导研发团队在PCB布局设计阶段优化寄生参数,降低电缆辐射干扰,从而缩短EMC认证周期。此外,该分析方法可推广至组串式逆变器及储能PCS的功...

拓扑与电路 有限元仿真 功率模块 储能变流器PCS ★ 5.0

基于有限元分析的直流偏置励磁铁芯损耗量化方法研究

Research on Core Losses Quantification Method of DC Bias Excitation Based on Finite Element Analysis

Jinghui Wang · Haowei Yao · Juntao Xiao · Xu Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月

本文基于Ansys Maxwell有限元分析软件,提出了一种针对直流偏置下PWM电压激励的铁芯损耗仿真方法。该方法解决了电力变换器中不同磁芯结构组件的损耗计算难题,并指出了影响铁芯损耗仿真的两个关键因素。

解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品(如组串式/集中式逆变器及PowerTitan储能变流器)中磁性元件的设计优化。在光伏和储能系统中,电感和变压器常处于直流偏置工况,准确的损耗建模对于提升整机效率、优化散热设计及降低温升至关重要。建议研发团队引入该仿真方法,以提升高功率密度磁性元件的选型精度,减少样机...

风电变流技术 低电压穿越LVRT 故障诊断 控制与算法 ★ 4.0

基于椭圆曲线的双馈风电机组电网故障下最大转子电动势精确计算方法

Elliptical-Curve-Based Method for Precise Calculation of Maximum Rotor EMF in DFIG Under Grid Faults

Rende Zhao · Hanlin Wang · Cheng Yuan · Juntao Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

双馈感应发电机(DFIG)在严重电网故障下易因转子电动势过高而失控。因此,准确计算不同故障下的最大转子电动势是制定低电压穿越(LVRT)策略的理论基础。本文提出了一种基于椭圆曲线的计算方法,克服了传统方法在处理正序、负序及暂态直流分量时的局限性。

解读: 该研究直接服务于阳光电源风电变流器产品线。DFIG变流器在电网故障下的LVRT能力是核心竞争力,通过精确计算最大转子电动势,可以优化变流器的硬件保护阈值设计及控制策略(如转子侧撬棒电路动作逻辑),从而提升风电机组在复杂电网环境下的稳定性。建议研发团队将该算法集成至风电变流器控制软件中,以提高设备在弱...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

重复非钳位感性开关应力下1.2-kV 4H-SiC MOSFET退化机理的深入研究

A Deep Insight Into the Degradation of 1.2-kV 4H-SiC MOSFETs Under Repetitive Unclamped Inductive Switching Stresses

Xintian Zhou · Hongyuan Su · Ruifeng Yue · Gang Dai 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月

本文通过实验评估了商用1.2-kV 4H-SiC MOSFET在重复非钳位感性开关(UIS)应力下的长期可靠性。研究观察了器件在经历8万次雪崩循环后,阈值电压(Vth)、漏电流(Idss)及导通电阻(Ron)的退化特性。通过电荷泵(CP)测量技术,揭示了器件内部缺陷的演变规律。

解读: SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能系统(如PowerTitan、ST系列PCS)功率密度与效率的核心。随着公司产品向高压化、高频化演进,SiC MOSFET在极端工况下的雪崩耐受能力直接决定了系统的长期可靠性。本文对UIS应力下器件退化机理的深入分析,对公司功率模块的选型验证、驱动电路设计以及...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

重复脉冲功率应力下SiC门极可关断晶闸管退化机理分析

Degradation Mechanism Analysis for SiC Gate Turn-Off Thyristor Under Repetitive Pulse Power Stress

Haoshu Tan · Juntao Li · Yinghao Meng · Lin Zhang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年5月

SiC门极可关断(GTO)晶闸管被视为提高脉冲功率应用功率密度和效率的先进方案。全面研究循环脉冲应力下的长期退化和机理,器件重复承受5.0kA约40微秒正弦波脉冲应力。阈值栅极电流降低和栅极漏电流增加是主导退化模式。界面测量揭示SiC/SiO2界面阳极和栅极间定位的碳原子增强电子俘获是阈值电流不稳定性的主要原因。扫描电镜图像显示循环脉冲应力最终导致热失控以及阳极-栅极边界定位的空洞和裂纹形成。

解读: 该SiC GTO退化机理研究对阳光电源SiC器件可靠性评估有重要参考价值。阈值电流和界面缺陷退化机理分析可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的SiC器件选型和可靠性设计,提高长期稳定性。该研究对PowerTitan大型储能系统的脉冲功率应力评估和寿命预测有指导意义,可优化器件工作条件并延长使用寿命...