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基于GaN IC的有源钳位反激式适配器辐射EMI建模与抑制
Modeling and Reduction of Radiated EMI in a GaN IC-Based Active Clamp Flyback Adapter
| 作者 | Juntao Yao · Yiming Li · Shuo Wang · Xiucheng Huang · Xiaofeng Lyu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN IC 有源钳位反激 辐射EMI 电容耦合 EMI建模 电力电子 电磁兼容性 |
语言:
中文摘要
本文针对基于氮化镓（GaN）集成电路的有源钳位反激变换器，建立了辐射电磁干扰（EMI）模型。文中识别并提取了对辐射EMI影响显著的电容耦合路径，并通过实验验证了模型的准确性。基于该模型，文章进一步提出了针对性的EMI抑制策略，以优化高频GaN变换器的电磁兼容性能。
English Abstract
This article first develops a radiated electromagnetic interference (EMI) model for a gallium nitride (GaN) integrated circuit (IC)-based active clamp flyback converter. Important capacitive couplings, which play a big role in the radiated EMI, are identified, extracted, and validated in the converter. The radiated EMI model is improved to characterize the impact of capacitive couplings. Based on ...
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SunView 深度解读
随着阳光电源户用光伏逆变器及充电桩产品向高功率密度、高开关频率方向发展，GaN器件的应用日益广泛，但其带来的高频EMI问题是产品认证与可靠性的关键挑战。本文提出的辐射EMI建模方法及电容耦合分析技术，可直接指导阳光电源研发团队在PCB布局设计阶段优化寄生参数，降低EMI噪声源。建议将此建模方法应用于户用储能系统及充电桩的辅助电源设计中，以提升产品电磁兼容性，缩短研发周期，并为下一代高频电力电子变换器的集成化设计提供理论支撑。