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功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种具有超低寄生电感的DPC氮化镓功率模块柔性PCB设计

A Flexible-PCB on DPC GaN Power Module With Ultralow Parasitic Inductance

Hang Kong · Lixin Jia · Laili Wang · Yilong Yao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

氮化镓(GaN)器件凭借高开关速度和低导通电阻,推动了电力电子变换器向高频高功率密度发展。然而,封装寄生参数限制了其开关性能。本文提出了一种基于直接覆铜陶瓷(DPC)基板和柔性PCB的GaN功率模块封装方案,通过优化电路布局有效降低了寄生电感,从而充分发挥GaN器件的高频优势。

解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线具有重要价值。随着光伏逆变器和储能PCS向高频化、小型化演进,GaN器件的应用已成为提升功率密度的关键。该封装方案通过降低寄生电感,有助于解决高频开关下的电压尖峰和EMI问题,特别适用于阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能变流器(如PowerStack系列)。建议研...

功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

面向高功率与高开关速度功率半导体封装的低频寄生电感客观表征方法

Objective-Based Low-Frequency Parasitic Inductance Characterization Method for Power Semiconductor Package With High Power and Switching Speed

Fengtao Yang · Laili Wang · Zizhen Cheng · Hongchang Cui 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月

本文提出了一种针对高功率、高开关速度功率半导体封装的寄生电感表征方法。随着开关速度提升,传统双脉冲测试法在测量微小寄生电感时精度受限。该方法旨在通过更客观的手段精确提取封装电感,这对优化功率模块设计、提升动态特性、加强热管理及保障绝缘安全具有重要意义。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。在PowerTitan储能系统及组串式逆变器中,随着SiC等宽禁带半导体器件的广泛应用,开关频率不断提升,封装寄生电感成为制约效率与可靠性的关键瓶颈。该表征方法能帮助研发团队更精准地评估模块性能,优化功率回路布局,从而降低电压尖峰,提升系统在高频工作下的电...

电动汽车驱动 充电桩 有限元仿真 ★ 3.0

带铁氧体磁芯的利兹线DD型线圈无线电能传输系统建模

Modeling of Litz-Wire DD Coil With Ferrite Core for Wireless Power Transfer System

Min Wu · Xu Yang · Hongchang Cui · Wenjie Chen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

DD型平面线圈配合铁氧体磁芯是无线电能传输(WPT)中的主流耦合结构,尤其适用于电动汽车领域。线圈设计对WPT系统性能至关重要,但仅依赖有限元分析(FEA)耗时较长。本文针对DD型线圈缺乏有效建模方法的问题,提出了一种高效的解析建模方案。

解读: 无线充电技术是阳光电源电动汽车充电桩业务的重要技术储备方向。该文献提出的DD型线圈解析建模方法,能够有效替代部分繁琐的有限元仿真,显著提升研发效率,缩短大功率无线充电产品的设计周期。对于阳光电源而言,掌握此类高耦合效率的线圈设计与建模技术,有助于优化未来车载无线充电系统的空间布局与能量传输效率,提升...

拓扑与电路 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 2.0

一种基于GaN的全桥6.78-MHz无线电能传输系统自适应同步驱动相位控制方法

An Adaptive Synchronous Driving Phase Control Method of GaN-Based Full-Bridge 6.78-MHz WPTS

Chenxu Zhao · Guochun Xiao · Min Wu · Lei Zhu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

基于GaN的有源整流器能显著提升兆赫兹级无线电能传输系统(WPTS)的效率。全桥有源整流器相比Class E或Φ类谐振整流器,在无需额外DC-DC变换器的情况下即可实现输出调节,且电压应力更低。本文针对该拓扑缺乏同步相位控制这一核心挑战,提出了一种自适应控制方法。

解读: 该技术主要针对高频无线电能传输(WPTS),目前阳光电源的核心业务集中在光伏、储能及电动汽车充电桩领域。虽然该文涉及的GaN器件及高频同步整流技术在未来超小型化充电桩或特定工业无线充电场景中具有潜在参考价值,但与公司现有的高功率密度组串式逆变器、PowerTitan储能系统及大功率直流快充桩的主流技...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

硅基氮化镓单片半桥功率集成电路动态导通电阻的原位测量与物理机制

In Situ Measurement and Physical Mechanism of Dynamic RON in GaN-on-Si Monolithic Half-Bridge Power IC

Xin Yang · Hongchang Cui · Zineng Yang · Matthew Porter 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月

动态导通电阻(RON)是GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的关键稳定性问题。在导电硅衬底上的GaN单片半桥中,由于背栅效应,高侧(HS)器件的动态RON比分立HEMT更严重。本文提出了一种原位测量方法,揭示了其物理机制,为提升高频功率集成电路的可靠性提供了理论支撑。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及微型逆变器领域对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用已成为技术演进的重要方向。该研究揭示的单片半桥结构中背栅效应导致的动态RON问题,直接影响高频变换器的效率与长期可靠性。建议研发团队在后续高频化产品设计中,重点评估GaN集成电路的衬底耦合效应,优化驱动电路与布局设...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器

1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC

Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文展示了一种基于单片集成氮化镓(GaN-on-Sapphire)二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白,验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。

解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破,对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域,随着功率密度的不断提升,传统硅基器件已接近性能瓶颈,引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积,提升整机效率。建议研发团队关注该...

功率器件技术 宽禁带半导体 GaN器件 SiC器件 ★ 4.0

高温增强型Ga₂O₃单片双向开关,击穿电压超6.5 kV

High-Temperature Enhancement-Mode Ga₂O₃ Monolithic Bidirectional Switch With >6.5 kV Breakdown Voltage

Yuan Qin · Chongde Zhang · Matthew Porter · Xin Yang 等9人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年12月 · Vol.47

本文报道了一种增强型Ga₂O₃单片双向开关,在150°C下实现双向>6.5 kV击穿电压,200°C时仍达4.7 kV;阈值电压1.9 V,比导通电阻1755 mΩ·cm²,高温下性能稳定。为超宽禁带双向器件首次实现200°C工作。

解读: 该Ga₂O₃ MBDS器件在高温高电压下的优异性能,可提升阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统的高压直流侧开关可靠性与功率密度,尤其适用于沙漠/热带等高温场景的光储电站。建议在下一代1500V+高压储能变流器中评估其替代SiC MOSFET用于直流耦合双向拓扑的可行性,并联合开展高温...

电动汽车驱动 GaN器件 功率模块 ★ 5.0

基于柔性PCB与DPC封装的超低寄生电感GaN功率模块

A Flexible-PCB on DPC GaN Power Module With Ultralow Parasitic Inductance

Hang Kong · Lixin Jia · Laili Wang · Yilong Yao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

氮化镓(GaN)功率器件凭借其超高的开关速度和低导通电阻,极大地推动了电力电子变换器向高频、高功率密度方向发展。然而,封装寄生参数会限制其开关速度。为充分发挥 GaN 功率器件的优异特性,本文首先全面分析了寄生参数对其开关瞬态过程的影响,以指导其封装设计。基于此分析,提出了一种基于直接镀铜(DPC)陶瓷基板的高集成柔性印刷电路板(flex - PCB)GaN 半桥功率模块。将 GaN 裸芯片夹在 flex - PCB 和 DPC 之间,驱动电路和去耦电容置于 flex - PCB 顶面。超薄的 ...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于柔性PCB与DPC陶瓷基板混合封装的GaN功率模块技术具有重要的战略价值。该技术通过创新的三明治结构和混合回路布局,将功率回路寄生电感降至71 pH,这对我们在光伏逆变器和储能变流器领域追求更高功率密度和效率提升具有直接意义。 在光伏逆变器应用中,该技术可支持5 ...