找到 6 条结果
功率循环测试中SiC MOSFET阈值电压漂移的测量方法
A Method for the Measurement of the Threshold-Voltage Shift of SiC MOSFETs During Power Cycling Tests
Carsten Kempiak · Andreas Lindemann · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月
本文探讨了宽禁带器件（如SiC MOSFET）在功率循环测试中的特殊性。测试中载流子俘获等器件内部变化会干扰封装老化评估，导致阈值电压漂移。文章提出了一种测量方法，旨在准确区分器件级退化与封装级失效，以优化功率循环测试的有效性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，器件的长期可靠性至关重要。传统的功率循环测试往往混淆了器件内部载流子俘获效应与封装老化，导致误判。该研究提出的测量方法能帮助研发团队更精准地评估SiC器件在极端工况下的...
具有近理想结特性的封装型β-Ga2O3沟槽MOS肖特基二极管
Packaged β-Ga2O3 Trench MOS Schottky Diode With Nearly Ideal Junction Properties
Florian Wilhelmi · Shinji Kunori · Kohei Sasaki · Akito Kuramata 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月
氧化镓（Ga2O3）作为高效功率器件材料备受关注。目前研究多集中于裸片，缺乏工业标准封装下的性能分析。本文研究了β-Ga2O3沟槽MOS肖特基势垒二极管（SBD），通过温度相关测量验证了其在封装状态下的近理想结特性，为宽禁带半导体器件的工业化应用提供了重要参考。
解读: 氧化镓作为超宽禁带半导体，在未来高压、高功率密度电力电子应用中具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术若实现产业化，将显著提升组串式光伏逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）的功率密度和转换效率。目前该器件处于封装与可靠性验证阶段，建议研发团队密切关注其热管理特性及长期运行可靠性，评估其...
降低电机饱和效应对自感知控制质量的影响
Reduction of the Effect of Machine Saturation on the Quality of Self-Sensing Control
Niklas Himker · Pieris Sourkounis · Viktor Willich · Georg Lindemann 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
电机饱和效应是永磁同步电机（PMSM）转子位置估计的主要挑战。本文推导了一种处理PMSM自感知控制（SSC）中饱和效应的方法。该算法基于包含电机电感矩阵的残差数值优化，旨在提升无传感器控制下的运行精度与稳定性。
解读: 该研究聚焦于PMSM的无传感器控制技术，通过优化电感矩阵处理饱和效应，提升了电机控制的鲁棒性。阳光电源在风电变流器及储能系统中的电机驱动应用（如储能系统中的冷却泵驱动、风电变流器中的电机控制）可借鉴此算法，以降低对物理位置传感器的依赖，提升系统可靠性并降低硬件成本。建议研发团队关注该算法在复杂工况下...
硅基氮化镓异质结构的压电特性及其对开关运行寿命的影响
Piezoelectric Properties of GaN-on-Si Heterostructures and Their Implications on Lifetime During Switching Operation
F. P. Pribahsnik · M. Bernardoni · M. Nelhiebel · M. Mataln 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年1月
由于氮化镓（GaN）固有的压电特性，基于该技术的器件在循环开关运行中易产生机电诱导的谐振现象。本文提出了一种对GaN-on-Si测试异质结构的机械谐振进行建模的方法，并评估了谐振情况下应力对器件寿命的影响。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用潜力巨大。该研究揭示了GaN-on-Si器件在高速开关下的压电效应与机械谐振风险，这对公司研发团队在进行功率模块选型、驱动电路设计及长期可靠性评估时具有重要参考价值。建议在后续高频化逆变器产品开发中，重点关注GaN...
不同芯片尺寸和厚度的600V氧化镓二极管的开关特性
Switching Properties of 600 V Ga2O3 Diodes With Different Chip Sizes and Thicknesses
Florian Wilhelmi · Yuji Komatsu · Shinya Yamaguchi · Yuki Uchida 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文研究了氧化镓（Ga2O3）器件在电力电子领域的应用，重点分析了600V β-Ga2O3肖特基二极管的开关特性。文章首次评估了其作为续流二极管在400V转200V、功率达2kW的Buck变换器中的表现，为超宽禁带半导体在功率转换中的应用提供了实验依据。
解读: 氧化镓作为超宽禁带半导体材料，具备极高的击穿电场强度，在未来高压、高效率功率变换领域具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术若实现商业化，可显著提升组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）的功率密度与效率，进一步降低损耗。建议研发团队持续跟踪其在高温环境下的可靠性表现及封装散热技术，评估其在下一代高频、...
通过衬底减薄和结面冷却提高Ga$_{2}$O$_{3}$肖特基二极管的散热能力和电流额定值
Improving the Heat Dissipation and Current Rating of Ga$_{2}$O$_{3}$ Schottky Diodes by Substrate Thinning and Junction-Side Cooling
Florian Wilhelmi · Yuji Komatsu · Shinya Yamaguchi · Yuki Uchida 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
氧化镓（Ga$_{2}$O$_{3}$）作为功率电子材料具有广阔前景，但其低热导率引发了散热管理挑战。本文评估了Ga$_{2}$O$_{3}$肖特基二极管的不同封装策略，对比了600μm标准厚度与200μm减薄大面积β-Ga$_{2}$O$_{3}$二极管在陶瓷基板上的散热性能，验证了减薄工艺与结面冷却对提升器件电流承载能力的关键作用。
解读: Ga$_{2}$O$_{3}$作为超宽禁带半导体，在未来高压、高功率密度电力电子应用中潜力巨大。对于阳光电源的组串式光伏逆变器和PowerTitan储能系统而言，提升功率密度是核心竞争力。该研究提出的衬底减薄与结面冷却技术，能有效解决宽禁带器件在高功率密度设计下的热瓶颈问题。建议研发团队关注Ga$_...