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具有近理想结特性的封装型β-Ga2O3沟槽MOS肖特基二极管
Packaged β-Ga2O3 Trench MOS Schottky Diode With Nearly Ideal Junction Properties
| 作者 | Florian Wilhelmi · Shinji Kunori · Kohei Sasaki · Akito Kuramata · Yuji Komatsu · Andreas Lindemann |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氧化镓 Ga2O3 功率器件 沟槽型MOS 肖特基势垒二极管 封装 温度相关测量 |
语言:
中文摘要
氧化镓（Ga2O3）作为高效功率器件材料备受关注。目前研究多集中于裸片，缺乏工业标准封装下的性能分析。本文研究了β-Ga2O3沟槽MOS肖特基势垒二极管（SBD），通过温度相关测量验证了其在封装状态下的近理想结特性，为宽禁带半导体器件的工业化应用提供了重要参考。
English Abstract
Recently, gallium oxide (Ga$_2$O$_3$) has attracted great interest as a material for efficient power devices. Yet, experimental studies rather concentrate on the investigation of bare dies and lack the analysis of devices in industry-standard packages. Furthermore, while Ga$_2$O$_3$ trench MOS Schottky barrier diodes (SBDs) appear to be promising candidates, temperature-dependent measurements prev...
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SunView 深度解读
氧化镓作为超宽禁带半导体，在未来高压、高功率密度电力电子应用中具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术若实现产业化，将显著提升组串式光伏逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）的功率密度和转换效率。目前该器件处于封装与可靠性验证阶段，建议研发团队密切关注其热管理特性及长期运行可靠性，评估其在下一代高频、高温功率模块中的应用可行性，以保持在电力电子前沿技术领域的领先地位。