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高热流密度功率半导体器件冷却专利技术综述
A Review of Select Patented Technologies for Cooling of High Heat Flux Power Semiconductor Devices
| 作者 | Shailesh N. Joshi · Feng Zhou · Yanghe Liu · Danny J. Lohan · Hiroshi Ukegawa · Jae Lee · Ercan M. Dede |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带 电力电子 高热通量 液体冷却 功率半导体器件 热管理 专利文献 |
语言:
中文摘要
过去二十年,宽禁带功率电子器件的发展推动了针对高热流密度(200–1000 W/cm²)功率半导体器件的高性能液冷解决方案研究。本文通过对电子冷却技术的专利文献检索,梳理了具有应用前景的高性能热管理技术。
English Abstract
The development of wide band-gap power electronics over the last two decades has stimulated a tremendous amount of research into high-performance liquid cooling solutions for high heat flux (200–1000 W/cm$^{2}$) power semiconductor devices. A patent literature search for electronics cooling technologies was conducted in the late-2000 time frame and promising technologies for high-performance therm...
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SunView 深度解读
随着阳光电源PowerTitan液冷储能系统及高功率密度组串式逆变器的迭代,功率器件的热管理已成为提升系统功率密度和可靠性的核心瓶颈。本文探讨的高热流密度冷却技术,对优化我司SiC/IGBT功率模块的散热设计、提升液冷系统效率具有重要参考价值。建议研发团队关注文中提及的先进微通道或相变冷却专利,以进一步降低高功率密度产品在极端工况下的结温,延长核心器件寿命,从而提升产品在电网侧及工商业储能场景下的竞争优势。