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关于“高频软开关损耗宽禁带技术比较”一文的勘误
Erratum to “Comparison of Wide-Band-Gap Technologies for Soft-Switching Losses at High Frequencies”
Armin Jafari · Mohammad Samizadeh Nikoo · Nirmana Perera · Halil Kerim Yildirim 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
本文是对IEEE电力电子汇刊中关于高频软开关损耗下宽禁带半导体技术对比研究论文的勘误说明，主要修正了原论文中的相关技术数据。
解读: 宽禁带半导体（SiC/GaN）是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度的核心技术。随着组串式逆变器和PowerTitan等储能系统向高频化、小型化发展，软开关技术下的损耗评估至关重要。该勘误虽为修正性内容，但提醒研发团队在评估SiC/GaN器件在高频应用中的效率时，必须确保基础数据与模型参数的严谨性...
高频与超高频功率变换器中的有源功率器件选型
Active Power Device Selection in High- and Very-High-Frequency Power Converters
Grayson Zulauf · Zikang Tong · James D. Plummer · Juan Manuel Rivas-Davila · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月
本文旨在为兆赫兹（MHz）频率下的软开关功率变换器提供功率器件选型指南。在超高频应用中，功率半导体寄生输出电容（COSS）的充放电损耗是制约效率的关键因素，但该损耗通常未在厂商数据手册中明确标注。本文通过分析与测量，为高频变换器的器件评估与选型提供了重要参考。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及户用储能系统向高功率密度、小型化方向发展，开关频率的提升已成为技术演进的必然趋势。本文关于MHz级频率下COSS损耗的分析，对公司研发下一代基于SiC/GaN的宽禁带半导体功率模块具有重要指导意义。建议研发团队在PowerTitan等储能系统及新一代组串式逆变器的拓扑设计中...
最小化氮化镓功率HEMT的输出电容损耗
Minimizing Output Capacitance Loss in GaN Power HEMT
Qihao Song · Adam Briga · Valery Veprinsky · Roman Volkov 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
输出电容（COSS）损耗（EDISS）源于功率器件在充放电循环中的非理想特性。尽管理想状态下该过程应无损耗，但研究表明，对于高频软开关应用中的宽禁带半导体器件，该损耗已成为关键的效率瓶颈。本文探讨了其物理起源及降低该损耗的优化策略。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用已成为技术迭代的关键。该研究针对GaN器件在高频软开关下的COSS损耗优化，直接关系到逆变器在轻载及高频工作模式下的转换效率提升。建议研发团队在下一代高频组串式逆变器及微型逆变器设计中，引入该损耗模型进行电路参...
中压兆瓦级直接交流/交流电力电子变换器的损耗研究
Losses in Medium-Voltage Megawatt-Rated Direct AC/AC Power Electronics Converters
Rohit Moghe · Rajendra P. Kandula · Amrit Iyer · Deepak Divan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年7月
本文探讨了直接交流/交流变换器拓扑，其优势在于无需直流链路电容，相比传统电压源逆变器（VSI）具有更高的可靠性和更低的成本。文章重点分析了该类变换器在设计高效能系统时，损耗与性能之间的关键权衡关系。
解读: 该研究关注的无直流链路电容的直接交流/交流变换技术，为阳光电源在风电变流器及未来大功率电力电子变换领域提供了新的拓扑思路。虽然目前阳光电源的主流产品（如PowerTitan储能系统、组串式逆变器）多基于成熟的VSI架构，但该技术在提升系统可靠性及降低成本方面的潜力，对下一代中压大功率变流器的研发具有...
场效应管的Coss损耗正切：高频软开关损耗的推广
Coss Loss Tangent of Field-Effect Transistors: Generalizing High-Frequency Soft-Switching Losses
Nirmana Perera · Mohammad Samizadeh Nikoo · Armin Jafari · Luca Nela 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
在MHz级功率变换器中，晶体管输出电容（Coss）谐振充放电引起的耗散能量（Ediss）已成为主要损耗因素。本文引入了一种小信号测量方法，通过频率相关的小信号电阻Rs和有效小信号输出电容来量化Ediss，为高频软开关电路的损耗分析提供了通用模型。
解读: 该研究对于阳光电源在高频化、高功率密度产品设计中至关重要。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高开关频率演进，SiC/GaN等宽禁带半导体应用日益广泛，Coss损耗成为制约效率提升的关键瓶颈。本文提出的损耗量化模型可指导研发团队在电路仿真阶段更精确地评估功率模块损耗，优化软开关控...
基于非线性谐振的晶体管大信号COSS及损耗测量
Measurement of Large-Signal COSS and COSS Losses of Transistors Based on Nonlinear Resonance
Mohammad Samizadeh Nikoo · Armin Jafari · Nirmana Perera · Elison Matioli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月
本文提出了一种基于待测器件输出电容与已知电感之间非线性谐振的新型测量技术，用于评估晶体管的大信号输出电容（COSS）及能量损耗（EDISS）。该方法简单稳健，仅需单次电压测量即可提取大信号COSS特性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC和GaN等宽禁带半导体器件，准确评估器件在大信号下的开关损耗和电容特性对提升整机效率至关重要。该测量方法能够更精确地表征功率器件的动态特性，有助于优化逆变器及PCS的软开关设计，减少开关损耗，从而提升系统整体转换效率。建议研发...
对称六相感应电机驱动中多相过调制技术与三相不连续PWM方法的综合比较评估
Comprehensive Comparative Assessment of Multiphase Overmodulation Techniques and Three-Phase Discontinuous PWM Methods Applied to Symmetrical Six-Phase Induction Motor Drives Under Overmodulation
Martín Medina-Sánchez · Alejandro G. Yepes · Óscar López · Jesús Doval-Gandoy · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年11月
具有单中性点的对称六相电机（S6N1）具备优良容错性能，但其直流链利用率在线性脉宽调制范围内较低。现有过调制（OVM）方法多通过注入非转矩电流谐波来改善，然而不同OVM方法在电流畸变、复杂度及逆变器与铜耗方面的比较尚不充分，且是否实现最小电压畸变（MVD）亦不明确。此外，三相不连续PWM（DPWM）在S6N1过调制区的应用尚未报道。本文系统评估并比较了多种多相OVM与三相DPWM方法在电压/电流畸变、损耗及复杂度方面的表现，并提出一种简化的MVD实现方案。实验基于S6N1感应电机验证。
解读: 该六相电机过调制技术对阳光电源电动汽车驱动产品线具有重要应用价值。研究系统比较了多相OVM与DPWM方法在直流母线利用率、电流畸变和损耗方面的性能差异，可直接应用于电机驱动控制器优化。对于阳光电源车载OBC和电机驱动系统，该技术可在过调制区提升电压利用率10-15%，扩展恒功率运行范围；简化的MVD...