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基于P3HT:PCBM界面的SiC肖特基二极管中势垒非均匀性在宽温度范围内的分析
Analysis of barrier inhomogeneity in SiC schottky diodes with P3HT: PCBM interfaces over a wide temperature range
Tamer Güzel · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
由于金属-半导体界面对于肖特基二极管电学特性具有重要影响，相关研究持续受到关注。本研究制备了结构为Au/P3HT:PCBM/6H-SiC/Al的肖特基二极管，并在80–375 K的宽温度范围内分析了其电流-电压特性。利用这些特性，结合热电子发射模型、Cheung-Cheung函数和Norde函数，计算了二极管的理想因子（n）、势垒高度（Φb）、串联电阻（Rs）和饱和电流（Io）等参数，并考察了这些参数之间的相互关系。通过Richardson图提取了Richardson常数（A*）。此外，基于高斯...
解读: 该SiC肖特基二极管界面特性研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的势垒不均匀性及温度特性分析,可指导ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的选型与热设计优化。宽温区(80-375K)电流-电压特性数据为三电平拓扑中SiC二极管的可靠性评估提供理论依据,有助于提升PowerTi...
不同PANI:Rubrene界面混合比例下光照对Al/p-Si肖特基二极管光伏特性影响的研究
Investigation of illumination effects on photovoltaic features of Al/p-Si Schottky diode with different amount of mixed PANI: Rubrene interface
In Fig. 6 a–d · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
在本研究中，制备了Al/PANI:Rubrene/p-Si肖特基光电二极管。为实现该过程，将不同量的Rubrene添加到PANI中，并作为器件中的界面材料使用。为了评估所制备器件的电学性能，根据添加剂含量的不同，在暗态及不同光照强度（从20至100 mW/cm²，间隔为20 mW/cm²）下进行了多种光电响应测量。对测量结果进行了分析，并计算了一些性能参数，如理想因子（n）、势垒高度（ΦB）、饱和电流（Io）和串联电阻（Rs）。对于混合比例为1:0.5的二极管，随着光照强度的增加，其光电流最高值...
解读: 该肖特基光电二极管研究对阳光电源SG系列光伏逆变器的MPPT优化具有参考价值。PANI:Rubrene混合界面材料在不同光照强度下的光响应特性(20-100mW/cm²)可为逆变器光照传感器设计提供思路,最优1:0.5配比实现的高探测率(6.25×10¹⁰ Jones)和响应度(4.97 A/W)表...
Ag/TiO₂和Ag/Ag掺杂TiO₂纳米多孔肖特基势垒二极管的表面与电学表征
Surface and electrical characterizations of Ag/TiO2 and Ag/Ag-doped TiO2 nanoporous Schottky barrier diodes
Fatih Unal · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
在本研究中，对Ag/TiO₂和Ag/Ag掺杂TiO₂肖特基势垒二极管进行了结构和基本电学特性（电流-电压）表征。采用阳极氧化法（AO）制备TiO₂层，并结合物理气相沉积法（PVD）和阳极氧化法（AO）实现Ag（银）掺杂。随后，对一组样品在450 °C下进行热处理，以考察热处理的影响，并对不同样品进行对比分析。在所制备的活性层上沉积Ag（银）整流接触，最终获得Ag/TiO₂、Ag/TiO₂（退火）、Ag/Ag掺杂TiO₂和Ag/Ag掺杂TiO₂（退火）肖特基势垒二极管。深入研究了这些肖特基势垒二极...
解读: 该Ag掺杂TiO2肖特基二极管研究对阳光电源SiC/GaN功率器件开发具有重要参考价值。研究表明退火处理可优化整流比和理想因子(降至1.18),这为ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的功率半导体器件性能提升提供思路。Ag掺杂技术可调控势垒高度(0.85-1.2eV),有助于优化三电平拓扑中二极...
厚度对物理蒸发TiO2薄膜及其硅基n-TiO2/p-Si异质结结构的光学和电学性能的影响
Role of thickness on the optical and electrical properties of physically evaporated TiO2 thin films and silicon-based n-TiO2/p-Si heterojunction (HJ) configurations
The TiO2 thin film layers composed of the grain regions with different size · shapes. Figure 2 shows the FE-SEM images of the nanostructured TiO2 film used on the p-Si · glass substrates. The surface morphology of the TiO2 thin film with a thickness of 150 nm · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
通过物理蒸发TiO2粉末制备了厚度约为50、100和150 nm的TiO2薄膜及其n-TiO2/p-Si异质结（HJs）。比较了厚度对异质结二极管电学性能及薄膜光学性能的影响。采用扫描电子显微镜（SEM）图像确定了薄膜的形貌粗糙度和颗粒特征。薄膜的紫外-可见光谱显示，随着厚度增加，光学透过率和带隙值降低，而折射率、消光系数和Urbach能量则升高。厚度为50 nm的TiO2薄膜具有相对较高的FOM值，达7.99 × 10–5 Ω−1。通过电流-电压（I–V）以及电容/电导-电压（C/G–V）测量...
解读: 该TiO2/Si异质结薄膜研究对阳光电源SiC功率器件封装及光伏逆变器优化具有参考价值。研究表明50nm薄膜具有最优光电特性,界面态密度低至2×10¹⁷eV⁻¹cm⁻²,可启发ST系列储能变流器中SiC器件的钝化层设计,降低界面损耗。异质结势垒调控技术可应用于三电平拓扑的功率半导体优化,提升SG系列...