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储能系统技术 GaN器件 ★ 5.0

适用于超级电容器应用的纳米氧化石墨烯/二氧化锰

GO/Mn3O4)纳米复合材料的制备与表征研究

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年5月 · Vol.36.0

开发使用电化学能量存储(EES)的超高性能能源系统是21世纪工业面临的重要挑战。本文采用水热法制备了用于超级电容器应用的Mn3O4/纳米氧化石墨烯(GO)纳米复合电极材料,该方法可获得更安全、更高效且响应更快的电能系统材料。Mn3O4与氧化石墨烯电极的复合降低了其扩散特性,并增强了其电容行为。通过X射线衍射分析对材料的晶粒尺寸和晶体结构进行了测定。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,纳米氧化石墨烯/Mn3O4半导体在太阳能电池、光电子及电子器件领域具有应用前景。采用循环伏安法在1 M KOH电解液...

解读: 该GO/Mn3O4纳米复合材料超级电容器技术对阳光电源储能系统具有重要参考价值。其139.95 Fg⁻¹比电容和优异循环伏安特性可应用于ST系列PCS的直流侧缓冲电容优化,提升PowerTitan储能系统的功率响应速度和循环寿命。纳米材料的宽频介电特性与GaN器件的高频开关特性协同,可为三电平拓扑和...

光伏发电技术 ★ 5.0

Ca掺杂HgS的DFT+U研究:面向高性能光伏应用的带隙调控与光学特性

DFT+U study of Ca doped HgS: Bandgap engineering and optical properties for high-performance photovoltaic application

Yogesh Kumar Sahua · Shrivishal Tripathi · Punya Prasanna Paltani · Solar Energy · 2025年11月 · Vol.300

摘要 本研究通过密度泛函理论(DFT)计算,系统探究了不同钙掺杂浓度下Ca掺杂HgS(Hg1−xCaxS)化合物在钙含量x从0到1(以0.25为间隔)范围内的功能特性。研究采用广义梯度近似结合Hubbard U修正(GGA+U)方法,并使用Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)泛函,以确保对电子结构的精确预测。引入Hubbard U修正可有效克服传统GGA方法对带隙低估的问题,从而提高电子结构计算的准确性。在HgS中引入钙元素为调控其电子和光学特性以满足高性能光电器件应用提供了有...

解读: 该Ca掺杂HgS带隙工程研究对阳光电源SG系列光伏逆变器具有重要启示价值。研究通过钙掺杂将HgS带隙优化至1.13eV,接近Shockley-Queisser极限,显著提升光伏转换效率。其高吸收系数、低反射率特性可指导阳光电源开发新一代高效光伏组件匹配方案,优化MPPT算法以适配新型半导体材料的I-...

系统并网技术 ★ 4.0

下一代RRAM和5G/6G电容器用Ag/Al/SiO2/Si/Ag MIS结构中的巨介电常数与缺陷调控导电性

Colossal permittivity and defect-engineered conduction in Ag/Al/SiO2/Si/Ag MIS structures for next-generation RRAM and 5G/6G capacitors

A.Asher · Solid-State Electronics · 2025年12月 · Vol.230

摘要 Ag/Al/SiO2/Si/Ag金属-绝缘体-半导体(MIS)结构展现出显著的介电与电学特性,使其成为下一代电子器件应用的有力候选者。本研究通过阻抗谱、介电分析以及宽频范围(1 kHz–20 MHz)、温度范围(80–400 K)和电压范围(±5 V)内的交流电导率测量,系统地探究了该双金属MIS结构的巨介电常数、缺陷介导的导电行为及弛豫动力学。关键结果表明,Ag/Al电极构型诱导出独特的界面极化效应,从而产生超高的介电常数(低频下ε′ > 10³)和低损耗正切值(tanδ < 0.1),...

解读: 该MIS结构的超高介电常数和低损耗特性对阳光电源储能系统具有重要价值。其巨介电常数(ε'>10³)和低损耗角(tanδ<0.1)可优化ST系列PCS的直流母线电容和EMI滤波器设计,提升功率密度。缺陷工程调控的导电机制为SiC/GaN功率器件的栅极介质优化提供思路。RRAM的低压切换特性(<3V)可...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

铪基铁电材料在先进计算中的研究进展

A review of hafnium-based ferroelectrics for advanced computing

Xiangdong Xu · Zhongzhong Luo · Huabin Sun · Yong Xu 等6人 · Solid-State Electronics · 2025年4月 · Vol.225

摘要 在以数据为中心的计算时代,数据量预计将呈指数级增长。传统计算机中存储单元与处理单元的物理分离导致在数据计算和存储过程中存在大量不必要的能量损耗和时间延迟。基于铁电材料的器件具有数据存储与计算一体化的优势。然而,由于传统铁电材料(如钙钛矿类材料)与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术不兼容且可扩展性较差,限制了其在先进计算领域的研究进展。近年来,对基于铪(Hf)的铁电材料的研究与创新重新激发了该领域的兴趣。铪基铁电材料固有的CMOS兼容性、高矫顽场强(Ec)以及高能带间隙使其器件非常适合用于...

解读: 铪基铁电材料的CMOS兼容性、高能隙和多态存储特性,为阳光电源储能系统PCS控制器和iSolarCloud平台的边缘计算单元提供了创新方向。其负电容效应可优化SiC/GaN功率器件的栅极驱动电路,降低开关损耗;神经形态计算能力可增强ST系列储能变流器的实时负荷预测和VSG自适应控制算法;非易失性存储...

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