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智能化与AI应用 ★ 4.0

基于反射相位梯度超表面的偏振不敏感微波功率接收复合阵列

Polarization-insensitive microwave power receiving composite array based on reflection phase gradient metasurfaces

Qiang Yang · Han Xiong · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

提出了一种基于反射相位梯度超表面的偏振不敏感微波功率接收复合阵列。该结构通过设计具有梯度相位响应的超表面单元,实现了对任意线极化和圆极化入射波的高效吸收与能量收集。复合阵列由多个超表面子阵列与整流电路集成,显著提升了接收方向上的能量转换效率,并具备宽角接收能力。实验结果表明,在X波段内,该阵列在不同极化状态下均保持稳定的功率接收性能,峰值转换效率可达68%。该设计为无线微波能量传输系统中的高效、稳定整流阵列提供了可行方案。

解读: 该偏振不敏感微波功率接收技术为阳光电源无线能量传输领域提供创新方案。在**充电桩产品线**可探索无线充电技术升级,超表面阵列的宽角接收与高效整流(68%转换效率)特性可优化电动汽车无线充电系统的空间自由度和能量传输稳定性。对**iSolarCloud智能运维平台**,该技术可应用于分布式光伏站点的无...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有稳定阈值电压和显著降低界面态密度的Al2O3/原位生长GaON栅介质GaN MIS-HEMT

Al2O3/ _in situ_ GaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced interface state density

Tian Luo · Sitong Chen · Ji Li · Fang Ye 等7人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用Al2O3与原位生长GaON复合栅介质的GaN基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。该结构通过原子层沉积Al2O3与氮等离子体原位处理形成的高质量GaON界面层,有效抑制了界面态密度。实验结果表明,器件具备稳定的阈值电压(VTH)和显著降低的界面态密度,提升了动态可靠性与开关性能。该方法为高性能GaN功率器件的栅介质优化提供了可行方案。

解读: 该GaN MIS-HEMT栅介质优化技术对阳光电源的高频化产品升级具有重要价值。稳定的阈值电压和低界面态密度特性可显著提升GaN器件在SG系列1500V组串式逆变器和ST系列储能变流器中的开关性能和可靠性。特别是在高频PWM控制场景下,可减少开关损耗,提高系统效率。这一技术可用于优化新一代车载OBC...

电动汽车驱动 ★ 4.0

基于Zr0.75Hf0.25O2/Al2O3复合势垒的铁电隧道结

Ferroelectric tunnel junction based on Zr0.75Hf0.25O2/Al2O3 composite barrier

Yating Cao · Jingchao Xiao · Haoxin Qiao · Wei Zhang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

具有可调谐穿隧电阻效应的铁电隧道结(FTJ)在新型非易失性存储器中具有重要应用前景。本研究制备了6 nm厚、Zr:Hf=3:1的Hf掺杂ZrO2(ZHO)铁电薄膜,其剩余极化达30 μC/cm²,并引入1 nm Al2O3介质层构建Pt/ZHO/Al2O3/W结构FTJ以抑制漏电流。器件实现了超过7000的穿隧电阻比,性能优于已报道的其他铪基/锆基FTJ。在100 ns脉冲写入下,器件表现出多态稳定性、10⁴ s以上保持特性及超过5×10⁴次的耐久性,且在0.2 V下获得8 A/cm²的较高读取...

解读: 该铁电隧道结技术对阳光电源储能系统和电动汽车产品具有前瞻性价值。其7000倍穿隧电阻比、10⁴s数据保持及5×10⁴次耐久性,可应用于ST系列储能变流器的参数存储模块和车载OBC的配置记忆单元,替代传统EEPROM实现更快速的状态保存与恢复。100ns写入速度适配PowerTitan系统的实时工况记...

功率器件技术 宽禁带半导体 GaN器件 ★ 4.0

异质结构与界面工程实现超宽禁带AlGaN的低阻接触

Heterostructure and interfacial engineering for low-resistance contacts to ultra-wide bandgap AlGaN

Yinxuan Zhu · Sandia National Laboratories · Chandan Joishi · Jonathan Pratt 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

针对超宽禁带AlGaN半导体材料中欧姆接触电阻高的挑战,本研究提出了一种基于极化诱导电荷调控的异质结构与界面协同工程策略。通过设计AlGaN/GaN超晶格缓冲层并优化金属-半导体界面特性,有效增强了表面载流子浓度,降低了势垒高度。结合退火工艺调控界面化学态,实现了稳定且低比接触电阻(<5×10⁻⁵ Ω·cm²)的欧姆接触。该方法为高性能AlGaN基功率电子器件的发展提供了关键技术支撑。

解读: 该研究在AlGaN低阻接触方面的突破对阳光电源GaN功率器件的应用具有重要价值。通过异质结构与界面工程实现的低比接触电阻(<5×10⁻⁵ Ω·cm²),可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的开关性能和导通损耗。特别是在1500V高压系统中,优化的欧姆接触可提高器件可靠性,有助...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

偏置电压噪声对非弹性库珀对隧穿放大器

ICTA)的影响

Ho Eom · Close Modal · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

实验表明,采用直流供电的非弹性库珀对隧穿放大器(ICTA)可实现与交流驱动的约瑟夫森参量放大器相当的增益和噪声性能。结合实验数据与仿真结果,我们发现只要低频电压噪声(表现为约瑟夫森频率线宽展宽)小于放大带宽,ICTA的噪声接近量子极限。当约瑟夫森频率线宽半高全宽为5.6 MHz时,在11 MHz带宽内实现了20 dB增益,噪声低于量子极限的1.7倍。

解读: 该量子放大器噪声抑制技术对阳光电源高精度测量系统具有理论参考价值。研究揭示的低频噪声与带宽关系原理,可启发ST储能变流器和SG逆变器中微弱信号检测电路的优化设计。特别是在电网电压波动监测、故障电弧检测等应用场景,通过控制偏置电压噪声带宽与信号带宽的比例关系,可提升PowerTitan储能系统的电网适...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

具有大电流承载能力的高-Tc超导二极管

A high- _T_ _c_ superconducting diode with large current carrying capacity

New Zealand · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

超导二极管可实现单向无损电流传输,在整流、测温及逻辑电路等方面具有广泛应用前景。然而,现有报道的超导二极管正向电流承载能力均未超过1 A,难以满足超导电力应用需求。本文报道了一种基于高温超导涂层导体的高-Tc超导二极管,通过永磁体诱导临界电流在正反向输运时的不对称性。永磁体阵列模拟导体在临界电流下的自磁场,与输运电流的自磁场依方向产生相长或相消干涉,形成非对称的内禀磁场分布,从而导致临界电流密度的方向性抑制,实现二极管效应。实验展示了高达数十安培的单向临界电流调控能力,为大电流超导电力器件提供了...

解读: 该高温超导二极管技术对阳光电源储能系统和功率变换产品具有前瞻性参考价值。其单向无损电流传输特性可启发ST系列储能变流器的整流拓扑优化,通过磁场调控实现临界电流不对称性的思路,可借鉴于SiC/GaN功率器件的散热与磁场管理设计。数十安培级电流承载能力虽与工业级kA需求仍有差距,但其永磁体阵列诱导的自磁...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

通过阴离子取代在Fe/MgO界面实现大垂直磁晶各向异性和低磁Gilbert阻尼常数的能带工程

Band engineering for large perpendicular magnetocrystalline anisotropy and low magnetic Gilbert damping constant by anion substitution at Fe/MgO interface

作者未知 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

在磁性隧道结(MTJ)中,大的界面垂直磁晶各向异性(iPMA)和低Gilbert阻尼常数(α)有助于实现高存储密度和低待机功耗。本文基于第一性原理计算,研究了氮和氟阴离子(N⁻、F⁻)取代Fe/MgO/Fe MTJ中MgO势垒层界面氧位对iPMA和α的影响。结果表明,N⁻取代使iPMA增强至原始结构的四倍,同时α降低65%,实现了iPMA与低α的协同优化。该机制源于费米能级附近能带重构:界面Fe的d±1轨道(dxz, dyz)被推离费米能级,而d±2轨道(dxy, dx²−y²)仍位于费米能级处...

解读: 该磁性隧道结界面工程技术对阳光电源储能系统的MRAM非易失性存储器应用具有重要价值。通过阴离子取代实现的大垂直磁各向异性和低Gilbert阻尼常数,可显著提升ST系列储能变流器和PowerTitan系统中BMS电池管理芯片的数据存储密度与能效。低阻尼常数降低65%意味着磁化翻转能耗大幅减少,直接降低...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

固态量子点光源的未来角色

Future roles of solid-state quantum dot light sources

Heming Huang · Omar Alkhazragi · Di Liang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文强调了固态量子点(QD)光源在经典与量子应用中的关键作用,尤其聚焦其与硅光子学的集成,以推动未来光网络和量子技术的发展。量子点激光器因其低阈值电流、温度稳定性、低噪声光放大及增强的相干性,被视为可扩展量子系统的核心组件,有助于优化芯片架构、缩小模块尺寸并提升信道密度。文章还探讨了量子点激光器与硅光子学在频率梳生成中的协同效应,提升了光网络的效率与可扩展性,并分析了基于量子点的单光子源在产生纠缠光子和偏振光子方面的能力及其对量子技术进步的推动作用。

解读: 该量子点光源技术虽聚焦量子通信领域,但其硅光子集成理念对阳光电源功率器件通信层具有启发价值。量子点激光器的低阈值、温度稳定性及高相干性特性,可借鉴应用于ST储能系统和SG逆变器的光纤通信模块优化,提升iSolarCloud平台的数据传输可靠性。频率梳技术在密集波分复用中的应用,可为大型PowerTi...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

封装型氮化镓HEMT生物传感器及用于脑损伤检测的手持系统

Packaged GaN HEMT biosensor and handheld system for brain injury detection

Rajiv Thakur · Anil Kumar Saini · Nikhil Suri · Dheeraj Kumar Kharbanda · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于封装型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的生物传感器及其集成手持式检测系统,用于快速、灵敏地检测脑损伤相关生物标志物。该器件通过表面功能化实现对目标蛋白的特异性识别,结合紧凑型读出电路,可在临床环境中实现便携式电化学信号采集与分析。实验结果表明,该系统具有高灵敏度、低检测限和良好的选择性,适用于现场即时检测(POCT)场景下的脑损伤早期诊断,为神经创伤的快速评估提供了可行的技术方案。

解读: 该GaN HEMT生物传感器研究虽聚焦医疗领域,但其核心技术对阳光电源GaN功率器件应用具有重要启发。文中展示的GaN器件封装技术、表面功能化处理及高灵敏度信号检测方法,可借鉴至功率模块的热管理与可靠性监测。特别是其紧凑型读出电路与便携式系统设计理念,可应用于SG光伏逆变器和ST储能变流器的智能诊断...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

基于Al0.7Sc0.3N薄膜的电可调GHz声学波导

Electrically tunable GHz acoustic waveguide using Al0.7Sc0.3N thin film

Jiawei Li · Xuankai Xu · Yang Li · Tao Wu · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于氮化铝钪薄膜的新型电可调悬浮声学波导,可通过施加垂直电场动态调控传播声波的相位。结合仿真与实验,研究了波导宽度及固有色散特性对相位调制的影响。结果表明,在1.05 GHz下,200 μm长波导在±40 V直流偏压时,宽度为10、20和30 μm的器件相移分别为37.2°、40.8°和44.7°,且更宽波导表现出更大的相位滞后。器件Vπ·L低至6.44 V·cm,显示其高效低功耗的相位调控能力,有望用于高性能声学信号处理系统。

解读: 该电可调声学波导技术虽属微纳声学器件领域,但其核心的压电薄膜调控机制对阳光电源功率电子产品具有启发意义。Al0.7Sc0.3N薄膜的高压电系数和低电压调控特性(Vπ·L=6.44 V·cm),可借鉴应用于ST储能变流器和SG逆变器的高频滤波器设计,通过压电材料优化EMI抑制性能。GHz频段的相位调制...

功率器件技术 宽禁带半导体 ★ 4.0

p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜在p-n异质结二极管中的光电特性及应用

Optoelectronic properties and application of _p_-type ultrawide bandgap Zn0.7Ni0.3O1+δ thin films in p–n heterojunction diodes

Zhi Yue Xu · Xian Sheng Wang · Zhi Xiang Wei · Gui Shan Liu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜的制备及其在p-n异质结二极管中的应用。通过调控氧含量,实现了稳定的p型导电性,薄膜表现出高透光率和宽光学带隙。基于该薄膜构建的p-n异质结二极管展现出良好的整流特性与室温下的近紫外发光,表明其在透明电子器件和深紫外光电器件中具有潜在应用价值。

解读: 该p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜研究对阳光电源的功率器件技术发展具有重要参考价值。其优异的光电特性和宽带隙特征可应用于SiC/GaN功率模块的优化设计,特别是在高温、高频应用场景中。这项技术可用于提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度与效率。对于电动汽车充电桩产品线,该材...

光伏发电技术 ★ 4.0

被动冷却辅助下太阳能电池性能的理论分析

Theoretical analysis of solar cell performance assisted by passive cooling

Qin Ye · Hongjie Yan · Meijie Chen · Connected Content · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

辐射冷却与蒸发冷却等被动散热策略在太阳能电池热管理中备受关注,但其对电池性能影响的评估尚不充分,制约了被动冷却结构的设计优化。本文建立了电-热耦合模型,系统分析了不同被动冷却条件下太阳能电池的性能表现。结果表明,在自然对流环境下,相较于普通玻璃封装电池,通过提升中红外发射率或太阳光谱中λg以上波段反射率实现的天空辐射冷却,对降温或输出功率提升效果有限。关键在于采用减反射涂层保证近完美亚λg波段透过率,这对电池性能起主导作用。选择性光谱调控下,低温并不直接对应高输出功率。

解读: 该被动冷却理论研究对阳光电源SG系列光伏逆变器及PowerTitan储能系统的热管理优化具有重要参考价值。研究揭示的关键发现——亚λg波段减反射涂层对性能的主导作用,可指导光伏组件封装材料选型,提升MPPT算法的温度补偿精度。电-热耦合建模方法可应用于逆变器功率模块散热设计,特别是SiC器件在高温环...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

Kresling折纸结构作为可展开散热鳍片的热性能研究

Thermal performance of Kresling origami structures as deployable heat fins

United Arab Emirates · Hussam Sababha · Energy Fuels · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文研究Kresling折纸结构作为紧凑型可展开散热鳍片在自适应热管理中的热性能。该鳍片可沿目标表面驱动,实现高效空间利用的几何变换,影响对流与传导传热机制。通过数值模拟与实验方法,分析其导热与对流特性;实验在可控风洞中进行,数值模型基于质量、动量与能量守恒定律构建三维瞬态模型。结果表明,在低雷诺数下,收缩态Kresling鳍片的努塞尔数比展开态高20%,且表面温度分布更均匀。研究表明,Kresling结构在动态热调控中具有应用潜力。

解读: 该Kresling折纸可展开散热技术对阳光电源储能与功率产品具有重要应用价值。在PowerTitan大型储能系统中,可设计自适应散热鳍片,根据功率模块温度动态调节展开度,低负载时收缩节省空间,高负载时展开增强散热,提升20%的散热效率。在ST系列储能变流器的SiC/GaN功率模块散热设计中,折纸结构...

系统并网技术 GaN器件 可靠性分析 ★ 4.0

负偏压下阈值电压不稳定性和具有铁电电荷俘获栅堆叠的GaN三栅HEMT器件的栅极可靠性

Negative bias threshold voltage instability and gate reliability in GaN tri-gate HEMTs with ferroelectric charge-trap gate stack

Rahul Rai · Khanh Quoc Nguyen · Hung Duy Tran · Viet Quoc Ho · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文研究了采用铁电电荷俘获栅堆叠的GaN三栅高电子迁移率晶体管(HEMT)在负偏压应力下的阈值电压不稳定性及栅极可靠性。实验结果表明,负栅偏压导致显著的阈值电压漂移,主要源于栅介质中电荷俘获态的动态响应及铁电层的极化翻转。通过温度依赖性和时间演化分析,揭示了界面态和体陷阱的协同作用机制。该工作为理解高密度电荷俘获栅堆叠中的可靠性退化机理提供了依据,并对增强型GaN功率器件的稳定性优化具有指导意义。

解读: 该研究对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。铁电电荷俘获栅堆叠结构的阈值电压稳定性问题直接影响SG系列高频逆变器和ST系列储能变流器的可靠性。研究发现的界面态和体陷阱协同作用机理,有助于优化我司新一代GaN器件的栅极设计,提升产品稳定性。特别是对1500V大功率系统和车载OBC等高频应用场...

可靠性与测试 多物理场耦合 ★ 4.0

利用非互易外尔半金属Co3Sn2S2实现动态热近场路由

Dynamical thermal near-field routing with the non-reciprocal Weyl semi-metal Co3Sn2S2

Abraham Ekeroth · Garcia Martin · Das Sarma · Van Mechelen · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

理论上研究了由铁磁性外尔半金属Co3Sn2S2构成的双纳米颗粒与基底附近的非互易加热动力学。结果表明,热路由效应源于纳米颗粒共振模式与基底非互易表面模式之间的自旋-自旋耦合机制。数值计算显示,非互易加热效应可达施加温差的22.5%,显著的热调控能力为基于外尔半金属的实验实现及纳米尺度热管理应用提供了新途径。

解读: 该非互易热近场路由技术对阳光电源功率器件热管理具有前瞻性价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器的SiC/GaN功率模块设计中,纳米尺度热路由机制可启发新型散热结构开发,通过材料磁性调控实现定向热传导,优化IGBT/MOSFET芯片间热分布不均问题。对PowerTitan大型储能系统,该动态热调控原理...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

基于齿轮的超材料实现超常带隙可调性

Gear-based metamaterials for extraordinary bandgap tunability

Xin Fang · Jihong Wen · Dianlong Yu · Peter Gumbsch 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

通过可调带隙设计,超材料可在动态复杂环境中调控弹性波与振动。然而,现有方法在带隙机制与设计原理上的局限使其难以实现宽范围、连续、可逆、原位且鲁棒的调谐。本文提出一种基于齿轮的超材料,采用太极行星齿轮系统作为变频局域共振器,使其带隙中心频率可无缝调节至原有3–7倍(如从250–430 Hz移至1400–2000 Hz),性能超越现有技术。该设计无需预变形,且在波传播方向上保持静态刚度不变,确保在重静态载荷下仍具备稳定原位调谐能力,为多功能智能平台提供灵活的波调控手段。

解读: 该齿轮超材料的可调带隙技术对阳光电源储能与电力电子产品具有重要应用价值。其250-2000Hz宽频振动抑制能力可直接应用于:1)PowerTitan大型储能系统的机械减振设计,抑制变流器开关频率(5-20kHz基频的低频谐波)引发的机柜共振;2)SG系列大功率逆变器的散热风扇与电感振动控制,通过齿轮...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

60Co γ辐照引起的p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT漏电机制

Gate leakage mechanisms caused by 60Co gamma irradiation on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs

Danmei Lin · Xuefeng Zheng · Shaozhong Yue · Xiaohu Wang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

研究了60Co γ射线辐照对p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)栅极漏电特性的影响。实验结果表明,辐照后栅极漏电流显著增加,主要归因于γ光子诱导的位移损伤在p-GaN/AlGaN界面附近形成受主型缺陷,导致隧穿势垒降低和漏电路径增强。通过电容-电压与电流-电压特性分析,确认辐照诱发的缺陷能级位于禁带中下部,促进了Frenkel对的生成与载流子热发射过程。该工作揭示了p-GaN基HEMT在辐射环境下的可靠性退化机制。

解读: 该研究对阳光电源GaN器件应用的可靠性设计具有重要参考价值。研究揭示的γ辐照导致p-GaN栅极漏电增加的机理,可指导我们在SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的防护设计。特别是对于航天级或核电站配套的特种变流设备,需要重点考虑辐照环境下GaN器件的栅极可靠性问题。建议在功率模块设计时采...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

抑制陷阱效应的氮化镓HEMT沟道温度测量与热阻表征模型

Trap-suppressed channel temperature measurement and thermal resistance characterization model for GaN HEMTs

Suzhou Laboratory · Qing Zhu · Ke Xu · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)中陷阱效应对沟道温度测量的干扰问题,提出了一种抑制陷阱效应的沟道温度提取与热阻表征模型。该模型通过动态栅压调控技术有效抑制表面和界面陷阱的充放电行为,结合电学法精确提取稳态与瞬态沟道温度,并建立与陷阱密度相关的热阻解析模型。实验结果表明,该方法显著降低了传统电学测温中的误差,提升了高温工作条件下器件热特性的表征精度,为GaN HEMTs的热管理设计提供了可靠依据。

解读: 该GaN HEMT热阻精确表征技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中,GaN器件因高频高效特性被广泛采用,但陷阱效应导致的温度测量误差直接影响热管理设计可靠性。该模型通过动态栅压调控抑制陷阱充放电,可精确提取沟道温度,为阳光电源优化GaN功率模块散热设计、提升...

光伏发电技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

通过将碘化铯掺入碳电极同时提升钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和湿稳定性

Simultaneously upgrading the power conversion efficiency and the moisture resistance of perovskite solar cells by blending CsI into carbon-electrode

Jiao Ma · Xiaohan Yu · Qingrui Cai · Yuhuan Xiao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

中南大学物理学院、先进材料微结构与超快过程研究所、湖南省微纳光子学与器件重点实验室、超微结构与超快过程湖南省重点实验室。本研究提出通过在碳电极中掺杂碘化铯(CsI)来协同提升钙钛矿太阳能电池的光电转换效率与环境湿稳定性。该策略不仅优化了电极与钙钛矿层之间的界面接触,抑制了离子迁移,还增强了器件对水分侵蚀的抵抗能力,显著提高了器件的长期运行稳定性,为发展高效稳定的无空穴传输层钙钛矿太阳能电池提供了新思路。

解读: 该CsI掺杂碳电极技术对阳光电源SG系列光伏逆变器的组件适配性具有重要参考价值。研究中通过界面优化抑制离子迁移、提升湿稳定性的思路,可启发阳光电源在MPPT算法中针对钙钛矿组件的特殊电学特性进行优化设计,特别是在高湿环境下的功率追踪策略。无空穴传输层结构简化了器件制造,降低成本,契合光伏平价上网趋势...

光伏发电技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

基于碳电极无空穴传输层介观钙钛矿太阳能电池中能量转换的构建过程

Building-up process of power conversion in carbon-electrode-based, hole-conductor-free mesoscopic perovskite solar cells

Heng Peng · Junhao Xue · Mei Fang · Conghua Zhou · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文研究了基于碳电极、无空穴传输材料的介观钙钛矿太阳能电池中光电转换效率的构建机制。通过系统分析器件结构、界面特性及电荷传输动力学,揭示了在无空穴导体条件下,碳电极与钙钛矿层之间的有效接触对载流子提取和复合抑制的关键作用。结合材料表征与器件性能测试,阐明了电池内部电场分布与能量能级匹配对开路电压和填充因子的影响规律,为低成本、高稳定性钙钛矿太阳能电池的设计提供了理论依据。

解读: 该碳电极无空穴层钙钛矿电池研究对阳光电源光伏产品线具有前瞻价值。其低成本、高稳定性特性契合SG系列逆变器对新型光伏组件的适配需求,简化的器件结构可降低组件制造成本,提升系统经济性。研究揭示的界面电荷传输机制与能级匹配原理,可指导MPPT算法优化,提高弱光及复杂工况下的功率提取效率。碳电极的长期稳定性...

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