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功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中诱导的陷阱浓度深度分布

Depth profile of trap concentration induced by heavy ion irradiation in 4H-SiC Schottky barrier diode

Xueqiang Yu · Xiaodong Xu · Hao Jiang · Lei Wu · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文研究了重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中引入的缺陷陷阱浓度随深度的分布特性。通过变能量重离子辐照结合深能级瞬态谱技术,获得了不同深度处的陷阱浓度分布,并分析了主要缺陷能级(如Z1/Z2和HK中心)的形成机制与空间演化规律。结果表明,陷阱浓度分布与离子射程及电子/核能损密切相关,缺陷峰值区域位于近表面至几个微米深度范围内。该研究为理解SiC器件在高能粒子环境下的退化机理提供了实验依据。

解读: 该研究对阳光电源SiC功率器件的可靠性设计具有重要指导意义。研究揭示的重离子辐照导致的缺陷分布特性,直接关系到我司ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的辐照耐受性。特别是在航天级和核电站配套的高可靠性产品中,需要充分考虑这种缺陷效应对器件性能的影响。基于该研究成果,我们可以优化SiC器...

控制与算法 ★ 5.0

关于“基于滑模技术的电网连接型NPC变换器级联控制”的更正

Correction to “Cascade Control of Grid-Connected NPC Converters via Sliding Mode Technique”

Xiaoning Shen · Jianxing Liu · Hao Lin · Yunfei Yin 等6人 · IEEE Transactions on Energy Conversion · 2025年5月

本文第一页底部第三作者Hao Lin的所属单位信息存在错误,需进行更正。此次更正旨在准确反映作者的机构 affiliation,确保学术记录的完整性和准确性。更正内容不影响原论文的研究方法、实验结果及主要结论。

解读: 本文为勘误说明,不涉及技术内容更新。原文研究的NPC三电平变换器滑模级联控制技术对阳光电源具有重要参考价值:该控制策略可应用于ST系列储能变流器和SG系列大功率光伏逆变器的三电平拓扑控制优化。滑模控制的强鲁棒性和快速动态响应特性,可提升PowerTitan储能系统在电网扰动下的稳定性,改善中点电位平...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

采用有源钝化技术抑制浮动Si衬底诱导背栅效应的900-V p-GaN栅HEMT

900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect

Hao Chang · Junjie Yang · Jingjing Yu · Jiawei Cui · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用有源钝化技术的900-V p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT),有效抑制了由浮动Si衬底引起的背栅效应。通过引入深沟槽隔离与介质填充的有源钝化结构,显著降低了漏极对衬底的电场耦合,从而消除背栅导致的阈值电压不稳定性与动态导通电阻退化。器件在高压关断状态下表现出优异的可靠性与稳定性,同时保持良好的开关性能。该设计为高压p-GaN栅HEMT在功率集成应用中的性能优化提供了有效解决方案。

解读: 该900-V p-GaN栅HEMT的有源钝化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过深沟槽隔离抑制背栅效应,解决了GaN器件阈值电压漂移和动态导通电阻退化问题,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频开关电路。900V耐压等级匹配1500V光伏系统和储能系统的母线电压需求,有源钝...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

利用具有显著介电极化的高介电常数BaTiO3提升常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT性能

Enhanced performance of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMTs taking advantage of extreme-k BaTiO3 with prominent dielectric polarization

Lin Hao · Ke Xu · Hui Guo · Pengfei Shao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文报道了一种通过引入高介电常数(extreme-k)且具有显著介电极化的钛酸钡(BaTiO3)绝缘层来显著提升常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)性能的新方法。BaTiO3的强极化效应有效增强了栅控能力,提高了器件的阈值电压稳定性和开关比。实验结果表明,该器件展现出优异的常关特性、低亚阈值摆幅和高跨导,同时漏电流抑制能力显著改善。该策略为实现高性能、高可靠性GaN基功率电子器件提供了新的技术路径。

解读: 该BaTiO3栅极工艺创新对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要价值。通过提升GaN器件的阈值电压稳定性和开关特性,可显著优化SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频开关性能,提高系统功率密度。特别是在1500V高压系统中,改进的漏电流抑制能力有助于提升产品可靠性。这种高介电常数栅极技术也可用于...

光伏发电技术 SiC器件 ★ 5.0

MoS2/SiC异质结的能带对齐及其超高整流比和光伏效应

Band alignment of MoS2/SiC heterojunctions with ultrahigh rectifying ratio and photovoltaic effect

Binbin Ding · Qian Liu · Yu Zhou · Boyi Bai 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文研究了MoS2/SiC异质结的能带对齐特性,该结构表现出极高的整流比和显著的光伏效应。通过精确调控界面特性,实现了优异的电学性能和光响应特性。实验结果表明,该异质结具有清晰的能带偏移和良好的载流子分离效率,在可见光至近红外波段展现出高效的光电转换能力。该研究为二维/宽禁带半导体异质结构在高性能光电器件中的应用提供了重要依据。

解读: 该MoS2/SiC异质结研究对阳光电源SiC功率器件应用具有重要参考价值。超高整流比特性可优化ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的SiC MOSFET性能,降低反向漏电流,提升系统效率。能带工程方法为功率模块界面优化提供理论依据,可改善器件开关特性和热稳定性。光伏效应研究启发在三电平拓扑中探索...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于多通道结构的高电流密度GaN基P沟道FinFET演示

Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure

Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓(GaN)P沟道FinFET器件,实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布,有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明,该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出,最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。

解读: 该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

基于源/漏隧道结接触实现漏极电流超过110 mA/mm的增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管

Enhancement-mode GaN/AlGaN p-channel field effect transistors with _I_ D **>** 110 mA/mm achieved through source/drain tunnel junction contacts

Zhaofeng Wang · Zhihong Liu · Xiaojin Chen · Xing Chen 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用源极/漏极隧道结接触技术实现高性能增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管的研究。通过优化Mg掺杂p型层结构与低温外延生长工艺,显著提升了空穴浓度与迁移率,实现了低电阻欧姆接触。器件在常温下表现出增强型工作特性,最大漏极电流密度超过110 mA/mm,跨导达15 mS/mm,亚阈值摆幅为120 mV/dec。该结果为宽禁带半导体p沟道器件的性能突破提供了有效路径。

解读: 该p沟道GaN器件技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。110 mA/mm的电流密度和增强型特性可应用于:1)ST储能变流器和PowerTitan系统的双向功率变换模块,p沟道与n沟道GaN器件互补配对可实现更高效的三电平拓扑和双向DC-DC变换;2)车载OBC和电机驱动系统,p沟道器件可简化...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

高击穿电压的710 GHz氮化镓梯度掺杂肖特基势垒二极管

710 GHz GaN gradient doped Schottky barrier diode with high breakdown voltage

Xiufeng Song · Shenglei Zhao · Kui Dang · Longyang Yu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于氮化镓(GaN)材料的梯度掺杂肖特基势垒二极管,实现了高达710 GHz的截止频率和优异的击穿特性。通过优化梯度掺杂结构,有效调控了电场分布,显著提升了器件的击穿电压,同时保持了低势垒高度与低寄生电阻,从而实现高频与高功率兼容性能。该器件在太赫兹应用中展现出巨大潜力,为下一代高频电子器件提供了可行的技术路径。

解读: 该710GHz GaN梯度掺杂肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。其梯度掺杂结构优化思路可启发我们在SG系列逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的设计,特别是在高频DC-DC变换环节。高击穿电压特性有助于提升1500V系统的可靠性,而优异的高频特性可支持逆变器向更高开关频率发展...

光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

将半透明有机光伏器件转化为引发积极情绪反应的催化剂

Transforming semitransparent organic photovoltaics into catalysts for positive emotional responses

Zonghao Wu · Jiangsheng Yu · Wenxiao Wu · Zhenzhen Zhao 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本研究提出一种创新思路,通过调控半透明有机光伏(ST-OPV)器件的光学与电学性能,使其不仅具备能量转换功能,还可作为激发人类积极情绪反应的光环境调节器。实验结合心理物理学评估与器件优化,验证了特定光谱输出的ST-OPV在自然光模拟中的情感促进作用,揭示了光伏技术在人因工程与健康照明领域的跨学科应用潜力。

解读: 该半透明有机光伏(ST-OPV)情感调控技术为阳光电源光伏建筑一体化(BIPV)产品提供跨学科创新思路。虽然当前SG系列逆变器主要服务晶硅组件,但ST-OPV的光谱调控理念可启发智能建筑场景应用:结合iSolarCloud平台,通过MPPT算法优化实现发电效率与室内光环境的动态平衡;在工商业储能系统...

功率器件技术 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

具有AlN超晶格背势垒的SiC衬底双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管

Double-channel AlGaN/GaN Schottky barrier diode with AlN super back barrier on SiC substrate

Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒,有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展,增强了载流子 confinement 效应,提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明,器件具有较低的开启电压和高电流密度,同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。

解读: 该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有高击穿电压和高温度灵敏度的614 MW/cm² AlGaN沟道肖特基势垒二极管

A 614 MW/cm2 AlGaN-channel Schottky barrier diode with high breakdown voltage and high temperature sensitivity

Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管,其功率密度高达614 MW/cm²,兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性,器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性,适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明,该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡,同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为,为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。

解读: 该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计,有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于Transformer扩散模型的风速时空概率预测

Spatio-Temporal Probabilistic Forecasting of Wind Speed Using Transformer-Based Diffusion Models

Hao Liu · Junqi Liu · Tianyu Hu · Huimin Ma · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2025年7月

时空风速预测对提升能源转换效率与优化资源配置具有重要意义。现有方法在捕捉复杂的时空依赖关系及适应风速动态变化方面存在不足。为此,本文提出概率时空扩散Transformer(PSTDT)模型,结合去噪扩散生成模型与Transformer的时空建模优势。该模型引入双空间注意力模块以捕获静态位置关系与动态空间依赖,并设计双阶段时间模块建模周期间依赖与自回归特征,辅以时间自适应层归一化机制提升预测稳定性与精度。实验表明,PSTDT在多个数据集上显著优于现有方法,连续排序概率分数降低8%–20%,平均绝对...

解读: 该时空风速概率预测技术对阳光电源储能系统与智能运维平台具有重要应用价值。在PowerTitan大型储能系统中,精准的风速预测可优化风储协同控制策略,提升ST系列储能变流器的充放电调度精度,降低8%-20%的预测误差可显著改善储能系统的能量管理效率。该Transformer扩散模型的时空建模能力可集成...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

含水层压缩空气储能的非线性井筒多相流与热-水-力耦合分析

Coupled nonlinear wellbore multiphase flow and thermo-hydro-mechanical analysis of compressed air energy storage in aquifers

Yi Li · Qian Zhou · Hao Yu · Yi Li 等9人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.377

摘要 含水层压缩空气储能(CAESA)是一种低成本、大规模的储能技术。为研究储层力学效应对CAESA的影响,本文开发了一个耦合非线性井筒多相流与热-水-力(THM)过程的模拟器THMW-Air,并利用Pittsfield示范CAESA项目的数据验证了其有效性。采用未包含力学过程的T2Well-EOS3模拟器对CAESA的水动力、热力学和力学行为及其能量效率进行了分析与对比。结果表明,在考虑储层力学效应后,Pittsfield现场模拟压力与监测压力之间的相关系数由0.9046提高至0.9211。C...

解读: 该压缩空气储能(CAES)热-流-力耦合仿真技术对阳光电源储能系统具有重要参考价值。研究揭示的温度-压力-机械应力耦合效应可优化ST系列PCS和PowerTitan储能系统的热管理策略,特别是注入温度对效率的影响(50°C时效率降低9.75%)为电化学储能热控制提供借鉴。多物理场耦合建模思路可应用于...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 构网型GFM ★ 5.0

考虑数字采样过程的构网型逆变器混合导纳模型

Hybrid Admittance Model for Grid-Forming Inverters Considering Digital Sampling Process

Shunliang Wang · Yalong Chen · Hao Tu · Junpeng Ma 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年9月

针对构网型逆变器,其数字控制中的采样过程将电流电压信号转换为离散域。忽略该过程的连续域导纳模型精度降低,可能导致错误的稳定性判断。为此,本文提出一种考虑数字采样过程的混合导纳建模方法,综合了采样物理特性、控制器的离散性及逆变器被控对象的连续性,提升了模型精度,适用于逆变器-电网系统的稳定性分析。采用零阶保持器的传递函数采样等效于其阶跃不变Z变换,避免了采样引起的无穷级数问题。相比现有模型,所提方法在奈奎斯特频率附近及更高频段仍保持高精度。仿真与硬件在环实验验证了该方法的有效性。

解读: 该混合导纳建模方法对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统的构网型GFM控制具有重要应用价值。当前ST储能系统在弱电网并网时,数字控制采样延迟导致的高频振荡问题影响系统稳定性。该方法通过零阶保持器的阶跃不变Z变换精确建模采样过程,可提升奈奎斯特频率附近的导纳模型精度,优化ST系...

电动汽车驱动 储能系统 可靠性分析 ★ 5.0

基于改进型E类谐振拓扑并集成可控可变电感与阶梯磁芯收发耦合器的固定频率单级无线电机驱动器

A Fixed-Frequency Single-Stage Wireless Motor Driver Utilizing a Modified Class-E Resonant Topology With a Controlled Variable Inductor and Stepped-Core Tx/Rx Couplers

Ching-Ming Lai · De-Tai Lin · Hao-En Liu · Tomokazu Mishima 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年2月

本文提出一种基于改进型E类谐振拓扑的单级无线电机驱动器(WMD),用于直流电机控制。通过引入有源钳位电路与高阶谐波抑制电路,提升了开关器件可靠性并优化了功率传输效率。在谐振腔中集成可变电感模块与阶梯磁芯发射/接收耦合器,实现了在线圈失配条件下保持高效率的固定频率运行。文章涵盖系统架构、电路工作模态、稳态分析及磁性元件设计。实验构建了180 W的WMD样机,验证了理论分析,谐振腔效率提升达4.79%,系统最高效率达89.72%。

解读: 该固定频率单级无线电机驱动技术对阳光电源新能源汽车产品线具有重要应用价值。改进型E类谐振拓扑结合有源钳位电路可直接应用于车载OBC充电机和无线充电桩开发,89.72%的系统效率与4.79%的谐振腔效率提升为ST储能变流器的软开关设计提供参考。可变电感模块实现线圈失配下的固定频率运行,可优化充电桩在不...

可靠性与测试 功率模块 ★ 4.0

基于老化特征参数的功率模块剩余使用寿命预测方法

Remaining Useful Lifetime Prediction Method of Power Modules Based on the Aging Characteristic Parameters

Luhong Xie · Erping Deng · Dianjie Gu · Weijie Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

功率模块剩余使用寿命(RUL)预测对于实施热管理和设计有效维护方案具有重要意义。由于裂纹是功率模块老化的根本失效机制,无论是键合线失效还是焊层退化,本文首先描述了裂纹扩展过程并得出了通用的裂纹扩展规律。然后,基于一个简单的焊层模型,将该通用裂纹扩展规律拓展至老化特征参数的通用增长模式。利用新老功率模块的功率循环测试结果验证了该通用增长模式的准确性后,基于老化特征参数的通用增长模式提出了一种新的剩余使用寿命预测方法。最后,在易封装(EasyPACK)模块上应用了所提出的剩余使用寿命预测方法,预测寿...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于老化特征参数的功率模块剩余寿命预测技术具有重要的战略价值。功率模块是光伏逆变器和储能变流器的核心部件,其可靠性直接影响系统的长期稳定运行和全生命周期成本。 该研究通过揭示裂纹扩展这一根本失效机理,建立了从键合线失效到焊料层退化的统一老化规律模型,这为我们的产品设计...

储能系统技术 并网逆变器 储能系统 弱电网并网 ★ 5.0

基于μ综合理论与遗传算法的并网逆变器鲁棒控制方法以应对弱电网下的多重不确定性

Robust Control Method Based on μ-Synthesis Theory and Genetic Algorithm for Grid-Connected Inverter to Cope With Multiple Uncertainties Under Weak Grid

Hao Liu · Tianzhi Fang · Yu Zhang · Zhiheng Lin 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月

在可再生能源分布式发电系统中,并网逆变器是发电单元与电网之间的关键接口,其稳定运行至关重要。然而,弱电网下的不确定电网阻抗和控制延迟等多重不确定性常影响系统稳定性。本文采用μ综合理论设计鲁棒控制器,通过智能构造加权函数,兼顾系统的鲁棒性、动态性能与电能质量。为避免控制器阶数过高,提出采用遗传算法优化设计三阶控制器。实验结果验证了所提方法的有效性,相较传统方法具有更优的鲁棒性能。

解读: 该μ综合鲁棒控制技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器在弱电网并网场景具有重要应用价值。针对偏远地区、海岛微网等弱电网环境,该方法可有效应对电网阻抗波动和控制延迟等多重不确定性,提升PowerTitan大型储能系统的并网稳定性。遗传算法优化的三阶控制器设计思路可降低DSP计算负荷,适合...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 调峰调频 ★ 5.0

一种评估多样化可再生能源发电单元频率支撑能力的统一方法

A Unified Method for Assessing Frequency Support Capability of Diverse Renewable Power Generation Units

Guang Hu · Yongheng Yang · Huanhai Xin · Linbin Huang 等6人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2025年7月

可再生能源发电单元(RGUs)的广泛接入削弱了系统的物理惯性,使得机组级频率支撑能力(FSC)与系统级频率稳定性的评估愈发重要。然而,现有方法缺乏统一的FSC评估框架,且制造商对RGU信息的保密加剧了该问题。为此,本文提出一种基于阻抗测量的统一传递函数结构(UTFS)模型及其参数求解方法,可实现机组级FSC与系统级频率稳定性的统一评估。通过频域方法(如xy阻抗测量)获取机组级UTFS,并通过简单聚合得到系统级UTFS。所提框架无需详细模型或事件后数据,利用有效惯性、阻尼和一次调频三个关键指标统一...

解读: 该统一频率支撑能力评估方法对阳光电源储能与光伏产品具有重要应用价值。针对ST系列储能变流器和PowerTitan系统,可基于阻抗测量技术建立标准化FSC评估体系,通过有效惯性、阻尼和一次调频三指标量化虚拟同步机VSG控制效果,优化构网型GFM控制参数整定。对SG系列光伏逆变器,该方法可在不暴露详细控...

储能系统技术 储能系统 强化学习 ★ 4.0

基于强化学习的CANFIS控制器自适应切负荷用于频率恢复准则导向控制

Reinforcement Learning Based Adaptive Load Shedding by CANFIS Controllers for Frequency Recovery Criterion-Oriented Control

Hao Yang · Bo Jin · Zhaohao Ding · Zhenglong Sun 等6人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年5月

为满足电网导则中严格的频率恢复准则(FRC),本文提出一种面向受端电网的实时自适应切负荷方法。构建基于协同自适应神经模糊推理系统(CANFIS)的切负荷控制器,以母线频率的幅值偏差和恢复时间偏差作为反馈信号,实现智能切负荷决策。引入基于强化学习的确定性策略梯度(DPG)算法优化控制器性能,在最小切负荷成本下确保频率恢复满足FRC,并提升鲁棒性。通过在负荷站部署CANFIS控制器形成分散式控制策略,可实时自适应决策切负荷的时机、位置、量值与轮次。省级受端电网仿真验证了该方法的有效性与适应性。

解读: 该自适应切负荷技术对阳光电源PowerTitan储能系统和ST系列储能变流器具有重要应用价值。CANFIS控制器结合强化学习的频率响应策略可直接集成到储能系统的电网支撑功能中,增强构网型GFM控制的频率调节能力。通过实时监测母线频率偏差,储能系统可智能决策放电功率和持续时间,在满足电网FRC要求的同...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

利用自组装芯片级倾斜侧壁提升高功率AlGaN基深紫外发光二极管性能

Enhancing the Performance for High-Power AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Using Self-Assembled Chip-Scale Inclined Sidewall

Linbo Hao · Liu Wang · Yanan Guo · Xue-Jiao Sun 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

众所周知,倾斜侧壁散射结构可以提高微型深紫外(DUV)发光二极管(LED)的光提取效率(LEE)。然而,针对芯片级高功率DUV LED的有效倾斜侧壁设计鲜有报道。在本研究中,我们使用一种氟基油状液体形成自组装液杯。该液杯在DUV LED芯片周围形成了芯片级倾斜侧壁。实验和模拟结果表明,带有液杯的DUV LED的光提取效率显著提高。这可归因于光出射锥角的增大、额外的出光面积以及倾斜侧壁的散射效应。因此,所提出的DUV LED在350 mA电流下的壁式发光效率(WPE)达到了10.7%。与传统DUV...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项深紫外LED技术虽然并非公司当前核心产品领域,但在新能源生态系统构建中具有潜在的战略协同价值。 **技术关联性分析:** 该论文提出的自组装芯片级倾斜侧壁技术,通过含氟油性液体形成液杯结构,将深紫外LED的光提取效率和壁塞效率分别提升64.9%。这种光学优化思路与阳光...

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