找到 8 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

SiC MOSFET在重复短路应力下的阈值电压退化与恢复特性

Threshold Voltage Degradation and Recovery Characteristics of SiC MOSFETs Under Repetitive Short-Circuit Stress

Yifan Wu · Chao Wang · Chi Li · Jianwei Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

本文深入研究了SiC MOSFET在重复短路应力下的阈值电压(VTH)退化机理及其恢复特性。通过实验分析,揭示了短路应力对器件寿命的影响,并探讨了退化后的恢复行为,为电力电子系统设计者评估器件可靠性及寿命预测提供了关键参考。

解读: SiC MOSFET作为阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩的核心功率器件,其可靠性直接决定了产品的全生命周期性能。短路应力是电力电子系统在极端工况下的常见挑战,本文对VTH退化与恢复特性的研究,有助于优化阳光电源的驱动电路保护策略,提升逆变器在复杂电网环境下的鲁棒...

拓扑与电路 LLC谐振 储能变流器PCS 双向DC-DC ★ 5.0

一种用于多相并联LLC-Buck变换器的模型预测电流均流策略

A Current Sharing Strategy With Model Predictive Control for Multiphase Parallel LLC-Buck Converters

Qunfang Wu · Yifan Zhao · Sen Xue · Qin Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

输入串联输出并联(ISOP)LLC-Buck变换器因其高效率和宽电压增益范围,在储能系统中应用广泛。然而,并联模块间的参数不匹配常导致功率失衡和均流性能下降。本文提出了一种基于模型预测控制(MPC)的多相LLC-Buck变换器均流策略,有效解决了上述问题。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的储能业务,特别是PowerTitan和PowerStack系列液冷储能系统。在大规模储能应用中,多模块并联是提升系统容量的主流方案,参数不一致导致的环流和均流问题是影响系统寿命和效率的关键痛点。引入MPC控制策略,能够显著提升多机并联运行的动态响应速度和稳态均流精度,减少因...

智能化与AI应用 故障诊断 机器学习 深度学习 ★ 5.0

一种用于跨多种变换器类型的多任务故障诊断的由粗到精神经网络框架

A Coarse-to-Fine Neural Network Framework for Multitask Fault Diagnosis Across Diverse Converter Types

Fan Wu · Kai Chen · Hao Ying · Gen Qiu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文提出了一种基于多任务神经网络的联合故障诊断模型,旨在解决多种变换器类型下的故障诊断问题。该方法通过由粗到精的策略,有效提取共享故障特征,提升了诊断性能并降低了开发成本,为开发便携式、通用化的智能诊断工具提供了新思路,克服了传统方法中负迁移带来的挑战。

解读: 该技术对于阳光电源的iSolarCloud智能运维平台具有极高的应用价值。阳光电源产品线涵盖光伏逆变器、储能PCS(如PowerTitan/PowerStack)及风电变流器等多种设备,该框架通过多任务学习实现跨设备类型的故障诊断,能显著降低针对不同产品线单独开发诊断算法的成本。建议将其集成至iSo...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

关于最先进1200V双沟槽SiC MOSFET短路失效机理的深入研究

An In-Depth Investigation Into Short-Circuit Failure Mechanisms of State-of-the-Art 1200 V Double Trench SiC MOSFETs

Xuan Li · Yifan Wu · Zhao Qi · Zhen Fu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文全面研究了1200V增强型双沟槽结构SiC MOSFET(RDT-MOS)的短路能力,分析了在不同直流母线电压和栅极驱动电压下的最大短路时间和能量,并深入探讨了其失效机理。

解读: 随着阳光电源在光伏逆变器(如SG系列组串式逆变器)和储能系统(如PowerTitan系列)中大规模应用SiC功率器件以提升功率密度和转换效率,该研究对提升产品可靠性至关重要。双沟槽SiC MOSFET的短路耐受能力直接影响逆变器在电网故障或负载短路时的保护策略。建议研发团队参考该失效机理,优化驱动电...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种基于开尔文源极SiC MOSFET栅极电压控制的超快低侵入式短路限流方法

An Ultrafast and Low-Invasive Short-Circuit Current Limiting Method by Gate Voltage Control for SiC MOSFETs With Kelvin-Source

Yifan Wu · Chi Li · Jianwei Liu · Zedong Zheng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

针对SiC MOSFET在短路故障期间保护延迟内出现的大电流尖峰问题,该文提出了一种利用开尔文源极结构进行栅极电压控制的超快限流方法。该方法能有效抑制短路电流峰值,降低器件损坏风险并减缓老化,提升功率模块的可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)中,SiC MOSFET已成为提升功率密度和效率的关键器件。该研究提出的超快限流技术可直接集成于阳光电源的驱动电路设计中,在短路故障发生时实现毫秒级响应,显著提升系统在极端工况...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于新型Fowler–Nordheim定位方法研究浪涌电流引起的SiC MOSFET沟槽栅极退化

Investigation of Inrush Current Induced Trench Gate Degradation Inside SiC Mosfet by New Fowler–Nordheim Localization Methodology

Hanqing Zhao · Xuan Li · Yifan Wu · Rui Yang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

本文深入研究了不同关断栅源电压(VGS)下,SiC MOSFET沟槽栅极在浪涌电流作用下的退化机制。通过引入预处理技术确保栅极相关参数测量的准确性,排除了可恢复成分的干扰。同时,提出了一种新的Fowler–Nordheim定位方法,用于分析栅极氧化层的退化特性。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan等储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,器件的长期可靠性至关重要。浪涌电流引起的栅极退化直接影响产品在复杂电网环境下的寿命。本文提出的Fowler–Nordheim定位方法可作为研发阶段功率模块可靠性评估的有效手段,帮助优化驱动...

拓扑与电路 SiC器件 三电平 功率模块 ★ 5.0

用于高功率密度不同Si/SiC混合三电平有源NPC逆变器的评估

Evaluation of Different Si/SiC Hybrid Three-Level Active NPC Inverters for High Power Density

Li Zhang · Xiutao Lou · Chushan Li · Feng Wu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

相比全SiC MOSFET转换器,Si/SiC混合方案是平衡性能与成本的有效途径。本文提出了一种系统性方法,基于续流路径排列,从两种开关单元生成了2-SiC和4-SiC混合三电平有源中点钳位(3L-ANPC)逆变拓扑,旨在实现高功率密度设计。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心竞争力——高功率密度逆变器设计。3L-ANPC拓扑广泛应用于阳光电源的组串式逆变器及大型集中式逆变器中。通过Si/SiC混合技术,公司可以在保持高性能的同时,显著降低大功率光伏逆变器和储能变流器(PCS)的成本,提升市场竞争力。建议研发团队评估该拓扑在PowerTita...

拓扑与电路 SiC器件 三相逆变器 多电平 ★ 4.0

一种具有改进调制方案的硅/碳化硅混合五电平有源中点钳位逆变器

A Si/SiC Hybrid Five-Level Active NPC Inverter With Improved Modulation Scheme

Li Zhang · Zhongshu Zheng · Chushan Li · Ping Ju 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月

本文提出了一种2-SiC混合五电平有源中点钳位(5L-ANPC)全桥逆变器。该方案通过结合硅基(Si)与碳化硅(SiC)功率器件,在性能与成本之间取得了平衡,旨在优化多电平逆变器的效率与功率密度,并提出了相应的改进调制策略。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及大型集中式逆变器产品线具有重要参考价值。通过采用Si/SiC混合拓扑,可以在不大幅增加成本的前提下,显著提升逆变器的转换效率和功率密度,这对于追求极致效率的PowerTitan储能变流器及新一代大功率光伏逆变器具有显著的竞争优势。建议研发团队评估该五电平拓扑在降低开关...