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| 作者 | Cheng Ma · Lei Yang · Shaoqiang Wang · Yu Ji · Lin Zhang · Wei Shi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaAs PCSS 寿命 储能模式 载流子雪崩 电容容量 高功率开关 半导体可靠性 |
语言:
中文摘要
本文通过实验研究了不同储能模式下高功率砷化镓(GaAs)光导半导体开关(PCSS)的寿命。研究发现,在电容储能模式下,通过减小电容容量以缩短载流子雪崩倍增的维持时间,可将PCSS的寿命延长10倍。
English Abstract
This paper presents an experimental study on the lifetime of high-power gallium arsenide photoconductive semiconductor switches (PCSSs) under different energy storage modes. Under the capacitive energy storage mode, the lifetime of a PCSS was increased by a factor of 10 through a reduction in the capacitor size, which reduces the hold-time of the carrier avalanche multiplication. Under the transmi...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于宽禁带半导体材料(GaAs)在高功率开关应用中的可靠性与寿命优化,对阳光电源的功率器件选型与前沿技术储备具有参考价值。虽然GaAs目前主要应用于脉冲功率领域,但其提升开关寿命的机理(如通过优化储能参数减少载流子雪崩应力)对于公司在研的下一代高功率密度逆变器及储能变流器(PCS)中的SiC/GaN器件驱动设计、保护逻辑优化及寿命评估具有借鉴意义。建议研发团队关注该类宽禁带器件在极端工况下的失效机理,以提升PowerTitan等储能系统在复杂电网环境下的长期运行可靠性。