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一种用于SPIC的具有自偏置n-LDMOS的300V超低比导通电阻高侧p-LDMOS
A 300-V Ultra-Low-Specific On-Resistance High-Side p-LDMOS With Auto-Biased n-LDMOS for SPIC
| 作者 | Bo Yi · Xingbi Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | p-LDMOS n-LDMOS 三重RESURF 比导通电阻 SPIC 电力电子 高侧开关 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于三重RESURF技术、带有自偏置n-LDMOS的高侧p-LDMOS。该器件利用双载流子导通电流，显著降低了比导通电阻(Ron,sp)。仿真结果表明，该300V p-LDMOS在保持高击穿电压的同时，有效提升了导通性能，适用于智能功率集成电路(SPIC)。
English Abstract
In this paper, a high-side p-channel LDMOS (pLDMOS) with an auto-biased n-channel LDMOS (n-LDMOS) based on Triple-RESURF technology is proposed. The p-LDMOS utilizes both carriers to conduct the on-state current; therefore, the specific on-resistance (Ron,sp) can be much reduced because of much higher electron mobility. The simulation result shows that the proposed 300-V p-LDMOS obtains a Ron,sp o...
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SunView 深度解读
该研究关注高压LDMOS器件的导通电阻优化，属于功率半导体底层技术。对于阳光电源而言，该技术主要影响户用光伏逆变器及电动汽车充电桩内部的驱动电路与辅助电源设计。通过降低驱动芯片的导通损耗，可进一步提升辅助电源的转换效率，缩小系统体积。建议研发团队关注此类高压集成工艺，以优化驱动电路的集成度与热管理性能，提升产品在小型化、高功率密度方向的竞争力。