← 返回
电力电子电路中高频瞬态的计算高效仿真
Computationally Efficient Simulation of High-Frequency Transients in Power Electronic Circuits
| 作者 | Anandakumar Subbiah · Oleg Wasynczuk |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 高频瞬态 电力电子电路 半导体器件 仿真框架 能量损耗 电路级建模 二极管模型 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种计算高效的仿真框架,通过物理现象建模准确预测半导体器件的高频电路级瞬态及能量损耗。核心要素包括封装二极管模型及器件模型与外部电路元件的耦合方法,旨在提升电力电子系统仿真精度与效率。
English Abstract
A computationally efficient simulation framework is set forth in which the semiconductor devices are represented by the physical phenomena relevant to the accurate prediction of high-frequency circuit-level transients and energy losses. Key elements of this framework include an encapsulated diode model and a method of coupling device models with those of external circuit elements given a user-spec...
S
SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的核心产品线(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)具有极高价值。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在高效能产品中的广泛应用,高频开关带来的电磁干扰与损耗问题日益突出。该仿真框架能显著提升研发阶段对功率模块瞬态行为的预测精度,缩短产品开发周期,并优化散热设计与EMI抑制方案。建议研发团队将其集成至iSolarCloud配套的仿真工具链中,以提升复杂工况下功率器件的可靠性评估能力。