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中压电力电子系统中的寄生电容耦合：综述
Parasitic Capacitive Couplings in Medium Voltage Power Electronic Systems: An Overview
| 作者 | Benjamin Futtrup Kjærsgaard · Gao Liu · Morten Rahr Nielsen · Rui Wang · Dipen Narendra Dalal · Thore Stig Aunsborg · Jannick Kjær Jørgensen · Zhixing Yan · Jonas Jacobsen · Rui Wu · Michael Møller Bech · Bjørn Rannestad · Stig Munk-Nielsen · Hongbo Zhao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 中压 宽禁带半导体 寄生电容耦合 dv/dt 电力电子系统 电磁兼容性 绝缘可靠性 |
语言:
中文摘要
随着中压宽禁带半导体器件的发展，高功率转换效率需求日益增长。然而，高dv/dt带来的寄生电容耦合问题对系统电磁兼容性及绝缘可靠性提出了严峻挑战。本文综述了寄生耦合机制及其对电力电子系统的负面影响。
English Abstract
Recent developments within the field of medium voltage wide-bandgap semiconductor devices are drawing attention from both researchers and industries due to the demanding requirements for more efficient high-power energy conversion. The rapid development has entailed an increased awareness of the negative impact of the increased rate of change in voltage, dv/dt, and its derived issues caused by the...
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SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源在高压大功率电力电子设备中的核心技术挑战。随着PowerTitan系列储能系统及集中式光伏逆变器向更高电压等级（如1500V及以上）和更高开关频率演进，SiC等宽禁带器件的应用使得dv/dt效应愈发显著。寄生电容耦合分析对于优化功率模块布局、降低EMI干扰、提升绝缘可靠性至关重要。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器设计中，引入该文的寄生参数建模方法，以提升系统电磁兼容性设计水平，确保产品在复杂电网环境下的长期运行稳定性。