60V pLDMOS功率器件漏端调制工程的可靠性设计与布局策略

Design and Layout Strategy in the 60-V Power pLDMOS With Drain-End Modulated Engineering of Reliability Considerations

作者	Shen-Li Chen · Yu-Ting Huang
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2015年1月
技术分类	功率器件技术
技术标签	功率模块可靠性分析
相关度评分	★★★ 3.0 / 5.0
关键词	pLDMOS 60V功率器件可靠性漏端布局可控硅整流器电力电子器件设计

语言:

中文摘要

本文研究了不同漏端布局对60V p沟道横向扩散金属氧化物半导体（pLDMOS）FET可靠性与电气性能的影响。通过在漏极引线中嵌入具有离散调节结构的硅控整流器（SCR），设计了“N-P-N”和“P-N-P”排列的pLDMOS，旨在有效提升器件的可靠性与性能。

English Abstract

This study reports the impacts of various drain end layouts on the reliability and electrical performance of 60V p-channel laterally diffused metal-oxide-semiconductor (pLDMOS) FETs. For effectively improving the reliability, drain-end “N-P-N” and “P-N-P” permutated pLDMOSs embedded with silicon-controlled rectifiers (pLDMOS-SCRs) with discrete regulated structures in the drain strap were manufact...

SunView 深度解读

该研究聚焦于中低压功率器件（pLDMOS）的漏端结构优化与可靠性提升，对阳光电源的户用光伏逆变器、电动汽车充电桩及iSolarCloud智能运维平台中的辅助电源模块具有参考价值。虽然阳光电源的核心功率器件多为SiC或IGBT，但该类LDMOS技术常用于驱动电路及控制芯片的集成。建议研发团队关注其漏端布局策略，以优化功率模块在复杂工况下的鲁棒性，提升产品在严苛环境下的长期运行可靠性。