考虑电容非线性与位移电流的超结MOSFET直流-直流变换器开关损耗分析模型

Analytical Switching Loss Model for Superjunction MOSFET With Capacitive Nonlinearities and Displacement Currents for DC–DC Power Converters

作者	Ignacio Castro · Jaume Roig · Ratmir Gelagaev · Basil Vlachakis · Filip Bauwens · Diego G. Lamar · Johan Driesen
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2016年3月
技术分类	功率器件技术
技术标签	DC-DC变换器功率模块
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	超结MOSFET 开关损耗硬开关解析模型 DC-DC变换器寄生参数位移电流

语言:

中文摘要

本文提出了一种新的解析模型，用于预测高压硅基超结MOSFET在硬开关工作条件下的功率损耗和波形。该模型基于半导体数据手册参数及PCB寄生参数，并引入了考虑强非线性电容和位移电流的创新特性，提高了损耗计算的准确性。

English Abstract

A new analytical model is presented in this study to predict power losses and waveforms of high-voltage silicon superjunction MOSFET during hard-switching operation. This model depends on datasheet parameters of the semiconductors, as well as the parasitics obtained from the printed circuit board characterization. It is important to note that it also includes original features accounting for stron...

SunView 深度解读

该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及DC-DC变换模块）具有极高的应用价值。在追求高功率密度和高效率的趋势下，准确建模超结MOSFET的开关损耗是优化逆变器及PCS拓扑设计的关键。通过该模型，研发团队可更精准地评估器件在硬开关工况下的热应力，从而优化驱动电路设计与PCB布局，提升产品效率并降低散热成本，对提升光伏与储能产品的市场竞争力具有直接指导意义。