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氮化镓高电子迁移率晶体管
GaN-based HEMTs）击穿特性表征方法分析
| 作者 | Sheng Lei Zhao · Bin Hou · Wei Wei Chen · Min Han Mi · Jia Xin Zheng · Jin Cheng Zhang · Xiao Hua Ma · Yue Hao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN基HEMT 击穿特性 关断漏电流 击穿曲线 电力电子 可靠性 半导体器件 |
语言:
中文摘要
本文通过研究关断状态漏电流和击穿曲线，分析了GaN HEMT的击穿特性表征方法。研究发现，在七种常规击穿曲线中，仅有两种能通过传统三端击穿表征方法合理呈现，并针对其余五种击穿类型进行了深入探讨。
English Abstract
In this paper, we carried out an analysis of the breakdown characterization method by the investigation on off-state leakage currents and breakdown curves. For conventional breakdown, seven kinds of breakdown curves are summarized and it is found that only two of them can be shown by the conventional three-terminal breakdown characterization method reasonably. For the other five kinds of breakdown...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩领域对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为关键技术趋势。本文提出的击穿特性表征方法，对于优化阳光电源功率模块的选型、提升高频变换器的可靠性设计具有重要参考价值。建议研发团队将此表征方法引入GaN器件的入库测试与失效分析流程中，以更精准地评估器件在极端工况下的耐压裕量，从而提升户用逆变器及充电桩产品的长期运行稳定性。