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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

用于智能功率开关的数字压摆率与S型控制以降低EMI产生

Digital Slew Rate and S-Shape Control for Smart Power Switches to Reduce EMI Generation

作者 Mathias Blank · Tobias Gluck · Andreas Kugi · Hans-Peter Kreuter
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2015年9月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 智能功率开关 EMI 产生 压摆率控制 S 型控制 汽车应用 电力电子 电磁干扰
语言:

中文摘要

本文探讨了智能功率开关在无需额外EMI滤波器和散热器的情况下,通过数字压摆率控制和S型控制技术,有效抑制电磁干扰(EMI)产生。该技术旨在降低汽车电子等应用中电路板的重量、空间占用及成本,为高集成度功率开关的驱动控制提供了优化方案。

English Abstract

Smart power switches are power switches with integrated control and protection functions for the switching of middle- and high-current loads. In particular in automotive applications, smart power switches have to be operated without additional stabilization networks, EMI filters, and heat sinks to keep the weight, required space and costs of the circuit boards as low as possible. Therefore, the ge...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的功率电子设计具有重要参考价值。在组串式逆变器和电动汽车充电桩产品中,EMI抑制一直是提升功率密度和降低滤波器成本的关键挑战。通过采用数字压摆率和S型控制,可以在不增加额外硬件成本的前提下,优化功率器件(如SiC/IGBT)的开关轨迹,减少高频噪声,从而缩小EMI滤波器体积,提升整机功率密度。建议研发团队在下一代高频化逆变器及充电桩的驱动电路设计中,引入此类先进数字控制策略,以优化EMC性能并降低系统集成成本。