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600V以下IGBT概念研究
Conceptual Study of Sub-600 V IGBTs
| 作者 | Friedhelm D. Bauer |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 充电桩 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 功率 MOSFET 超结 电动汽车 数值器件仿真 400 V 级 漂移层 |
语言:
中文摘要
本文通过混合模式数值器件仿真，对比了60-600V低压IGBT与传统及超结功率MOSFET的性能。研究背景聚焦于电动汽车/混合动力汽车中400V等级IGBT的应用，探讨了此前作为IGBT与MOSFET性能分界线的600V电压等级的演变。
English Abstract
Very low voltage, 60-600 V insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) were compared to power mosfet s with conventional and superjunction drift layers of identical voltage classes using mixed-mode numerical device simulation. This study was done in the light of forthcoming 400 V class IGBTs for use in electric vehicle/hybrid electric vehicle: the 600 V borderline, which previously separated the bu...
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SunView 深度解读
该研究探讨的低压IGBT技术对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着400V平台在电动汽车领域的普及，优化功率器件选型对于提升充电桩的转换效率和功率密度至关重要。虽然阳光电源目前在光伏逆变器中多采用高压IGBT或SiC器件，但针对充电桩产品线，评估低压IGBT与超结MOSFET在不同工况下的损耗特性，有助于进一步降低充电模块成本并提升系统可靠性。建议研发团队关注该类器件在中小功率充电模块中的应用潜力，以应对日益激烈的市场竞争。