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功率器件技术 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

基于解析模型的MOSFET驱动

缓冲)电路振荡研究

作者 Buket Turan Azizoglu · Haldun Karaca
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2015年9月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 可靠性分析
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 MOSFET 驱动电路 解析模型 振铃 寄生参数 栅极驱动 MATLAB仿真
语言:

中文摘要

本文提出了一种基于MOSFET数据手册的解析模型,并开发了MATLAB仿真代码,用于分析容性负载下MOSFET驱动电路的输出振荡。研究重点关注高电平到低电平的转换过程,探讨了栅极驱动电阻、PCB布线寄生参数等因素对振荡的影响。

English Abstract

In this paper, a new analytical model introduced extracting from datasheet of a MOSFET and developed a MATLAB code for simulating a MOSFET driver circuit is proposed in the literature to observe the ringings of its output for capacitively loaded case. The output waveform is studied only for high-to-low transition. Gate drive resistance, wiring parasitics of the printed circuit board layout, and th...
S

SunView 深度解读

该研究对于提升阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中的功率模块驱动设计具有重要参考价值。在高速开关应用中,驱动电路的振荡直接影响功率器件(如SiC/IGBT)的开关损耗、电磁兼容性(EMC)及长期可靠性。通过该解析模型,研发团队可在设计阶段快速评估PCB布局寄生参数对驱动波形的影响,从而优化驱动电路布局,减少振荡带来的过压风险,提升逆变器与PCS产品的功率密度与运行稳定性。