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变频及漏源偏置应力下p-GaN HEMT输出电容提取方法
Output Capacitance Extraction of p-GaN HEMTs Under Multi Pulse Switching Across Variable Frequencies and Drain-Bias Stress
| 作者 | Xinzhi Liu · Junting Chen · Shanshan Wang · Sijiang Wu · Zuoheng Jiang · Mohd Amran Mohd Radzi · Norhafiz Azis · Suhaidi Shafie · Mengyuan Hua |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 预计 2026年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | p-GaN HEMT 输出电容 开关瞬态 寄生电感 电力电子 漏极偏置应力 多脉冲开关 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种在多脉冲开关条件下提取200V肖特基p-GaN HEMT输出电容（COSS）的方法。通过栅源短路配置，在开关瞬态期间捕获CGD和CDS。为减少振荡，设计了低寄生电感的四层PCB，并分析了不同频率和偏置电压下的电容特性。
English Abstract
This article proposes a method to extract the output capacitance (COSS) of 200 V Schottky p-GaN high-electron-mobility transistor under multipulse switching conditions. By employing a gate-source shorted configuration, both CGD and CDS are captured during switching transients. To minimize ringing oscillations, a four-layer printed circuit board with low parasitic inductance was designed, along wit...
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SunView 深度解读
GaN作为宽禁带半导体，在阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中具有提升功率密度和转换效率的巨大潜力。本文提出的COSS精确提取方法，有助于优化高频开关下的损耗模型，对提升阳光电源下一代高频化、小型化逆变器及充电桩的驱动电路设计及EMI抑制具有重要参考价值。建议研发团队在后续高频功率模块设计中引入该测试方法，以更精准地评估GaN器件在复杂工况下的动态特性，从而优化驱动参数，提升系统整体能效。