← 返回
电力电子系统的多时间尺度耦合仿真框架及分段解析SiC MOSFET瞬态模型
A Multitimescale Coupled Simulation Framework for Power Electronic Systems and the Piecewise Analytical SiC MOSFET Transient Model
| 作者 | Yikang Xiao · Yong Chen · Xu Cheng · Bochen Shi · Jiayao Pei · Shiqi Ji · Zhengming Zhao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 电力电子系统 SiC MOSFET 开关瞬态 多时间尺度仿真 宽禁带器件 瞬态建模 |
语言:
中文摘要
随着碳化硅（SiC）MOSFET等宽禁带器件的广泛应用，开关瞬态对电力电子系统的影响日益显著。本文提出了一种多时间尺度耦合仿真框架，将纳秒至微秒级的器件瞬态行为与毫秒至秒级的系统级运行相结合，通过分段解析模型精确描述SiC MOSFET的开关过程，为电力电子系统的设计与优化提供了高效的仿真工具。
English Abstract
The role of switching transients has become increasingly critical in power electronic systems, particularly with the growing adoption of wide-band-gap devices such as silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). This evolution necessitates the coupled simulation of nanosecond- to microsecond-scale device-level transients alongside millisecond- to second-scale...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心业务具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和效率演进，SiC器件的应用已成为提升产品竞争力的关键。该多时间尺度仿真框架能有效解决SiC器件在高频开关下的电磁干扰（EMI）与热应力问题，缩短研发周期。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台的数字孪生模型中，通过更精准的器件级瞬态分析，提升逆变器及PCS产品的可靠性评估能力，并优化驱动电路设计，以应对复杂电网环境下的高效运行需求。