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功率器件技术 SiC器件 功率模块 多物理场耦合 热仿真 ★ 5.0

一种用于低电气和热阻抗多芯片SiC模块的高效位置-连接-解耦布局设计方法

An Efficient Location-Connection-Decoupling Layout Design Method for Multi-Chip SiC Modules With Low Electrical and Thermal Impedance

作者 Yun-Hui Mei · Lijuan Zhang · Yucong Zhao · Yongqi Pei · Puqi Ning · Longnv Li · Gaojia Zhu
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2025年8月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 多物理场耦合 热仿真
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC模块 功率模块 布局设计 电阻抗 热阻抗 设计自动化 多芯片并联
语言:

中文摘要

本文针对高功率碳化硅(SiC)模块中多芯片并联布局的挑战,提出了一种高效的布局设计自动化方法。该方法通过位置、连接与解耦的协同优化,有效降低了功率模块的电气寄生参数与热阻抗,提升了高功率密度SiC模块的设计效率与性能表现。

English Abstract

Design automation methods have recently garnered significant research interest in providing effective and advanced tools for generating optimal layout solutions for power modules. However, when addressing high-power silicon carbide (SiC) modules with numerous paralleled power dies, design efficiency, and effectiveness have become critical challenges. This article introduces a highly efficient loca...
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SunView 深度解读

该研究直接服务于阳光电源的核心功率电子技术底座。随着公司组串式逆变器(如SG系列)和储能变流器(如PowerTitan系列)向更高功率密度和更高效率演进,SiC器件的应用已成为提升整机效率的关键。该布局设计方法能显著降低功率模块的寄生电感和热阻,有助于解决大功率SiC模块并联时的均流与散热瓶颈,从而提升逆变器在高频开关下的可靠性与转换效率。建议研发团队将其引入功率模块封装设计流程,以优化下一代高功率密度产品的散热结构与电气布局,进一步巩固公司在电力电子集成领域的领先优势。