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用于预测功率模块中SiC MOSFET芯片功率损耗与温度的电热联合仿真
Electrothermal Cosimulation for Predicting the Power Loss and Temperature of SiC MOSFET Dies Assembled in a Power Module
| 作者 | |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 日期未知 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 多物理场耦合 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 电热联合仿真 SiC MOSFET 功率模块 功率损耗 温度预测 Buck 变换器 体二极管 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种电热联合仿真方法，能够精确复现Buck变换器功率模块中SiC MOSFET芯片的功率损耗与温度。研究重点在于SiC MOSFET体二极管的非理想电流-电压特性，通过电热耦合模型实现了对器件运行状态的准确预测。
English Abstract
The electrothermal cosimulation proposed in this paper accurately reproduces the power loss and the temperature of the silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) dies assembled in a power module comprising a buck converter. The current-voltage characteristic of the body diode embedded in a SiC mosfet is not like that of an ideal diode because this characterist...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务至关重要。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率，精确的电热联合仿真能显著优化功率模块的热设计与可靠性评估。建议研发团队引入该仿真流程，通过多物理场耦合分析，在产品设计阶段精准预测SiC芯片在极端工况下的结温，从而优化散热结构，延长产品寿命，并降低因热失效导致的运维成本，进一步提升iSolarCloud智能运维平台的故障预测精度。