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多芯片SiC功率模块的交错式平面封装方法以提升热电性能
Interleaved Planar Packaging Method of Multichip SiC Power Module for Thermal and Electrical Performance Improvement
| 作者 | Fengtao Yang · Jia Lixin · Laili Wang · Fan Zhang · Binyu Wang · Cheng Zhao · Jianpeng Wang · Christoph Bayer · Jan Ferreira |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 热仿真 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC功率模块 平面封装 双面冷却 热耦合 电流均流 多芯片 电力电子 热管理 |
语言:
中文摘要
基于平面封装的双面冷却技术在热性能上优于传统的引线键合单面冷却。然而，多芯片SiC功率模块仍面临严重的芯片间热耦合及布局不合理导致的电流不平衡问题。本文提出了一种交错式平面封装方法，旨在优化多芯片SiC模块的热电性能。
English Abstract
Double-sided cooling based on planar packaging method features better thermal performance than traditional single-sided cooling based on wire bonds. However, this method still faces thermal and electrical challenges in multichip SiC power modules. Specifically, one is severe thermal coupling among parallel bare dies, and the other is unbalanced current sharing due to unreasonable layout design. Th...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务至关重要。随着光伏逆变器和储能变流器（如PowerTitan、ST系列PCS）向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成为主流。该交错式平面封装方法能有效解决多芯片并联时的热耦合与电流不平衡问题，直接提升逆变器功率模块的可靠性与散热极限。建议研发团队在下一代组串式逆变器及大功率储能PCS的功率模块设计中引入该封装架构，以进一步缩小体积、降低损耗，并提升产品在极端工况下的热稳定性。